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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EMCJ 2019-04-11
15:50
沖縄 沖縄産業支援センター ダイポールアンテナを用いた時間領域測定による電波暗室特性改善手法の一考察
森岡健浩産総研EMCJ2019-7
中型暗室(10 m×5.2 m×5.75 m)内に3次元スキャナを設置して測定利便性を向上させた.スキャナはアンテナ設置... [more] EMCJ2019-7
pp.35-38
EMCJ 2018-04-13
15:05
東京 東京工業大学 標準電界プローブの校正手法と不確かさ
森岡健浩産総研EMCJ2018-4
 [more] EMCJ2018-4
pp.19-23
WPT, EMCJ
(併催)
2017-11-21
15:10
東京 機械振興会館 リフレクトメータによる入射電力の測定と不確かさ
森岡健浩産総研EMCJ2017-63
 [more] EMCJ2017-63
pp.25-28
EMCJ 2017-03-10
15:55
東京 機械振興会館 不平衡成分を含むダイポールアンテナからの放射電界分布測定
森岡健浩産総研EMCJ2016-125
ダイポールアンテナは基本的な線状アンテナ素子の一つであり,その単純な構造から精密な電界測定に用いられる.一般にダイポール... [more] EMCJ2016-125
pp.29-33
EMCJ, IEE-EMC, IEE-MAG
(連催)
2016-06-03
12:55
海外 NTU (台湾) A study on system characterization of an optical E-field probe
Takehiro MoriokaSatoru KurokawaAIST)・Jun IchijouYoshikazu TobaSEIKOH GIKENEMCJ2016-38
 [more] EMCJ2016-38
p.73
PEM
(第二種研究会)
2015-11-27
- 2015-11-28
京都 Doshisha Univ. [ポスター講演]Optical E-field probe characterization in a TEM cell
Takehiro MoriokaAIST)・Yoshikazu TobaJun IchijoSEIKOH GIKEN)・Satoru KurokawaAIST
A well-defined E-field is necessary for the characterization... [more]
EMCJ 2015-09-04
14:45
京都 けいはんなプラザ バランを必要としないダイポールアンテナによるサイトアッテネーション測定
森岡健浩産総研EMCJ2015-56
 [more] EMCJ2015-56
pp.19-24
EMCJ, PEM
(併催)
2014-11-14
14:50
東京 産総研 臨海副都心センター グランドプレーン上任意高におけるダイポールアンテナ係数測定の不確かさ
森岡健浩産総研)・平沢一紘筑波大EMCJ2014-71
アンテナ係数(AF)は測定器指示電圧とアンテナ位置における電界強度の間の変換係数であり,EMC計測では広く用いられる.ア... [more] EMCJ2014-71
pp.25-30
PEM
(第二種研究会)
2013-06-27
- 2013-06-28
北海道 北海道大学 光電界センサの安定性向上
鳥羽良和一條 淳精工技研)・森岡健浩黒川 悟産総研
ニオブ酸リチウム(LiNbO3:LN)のポッケルス効果を用いた反射型光電界センサの出力変動要因について検討をおこなった。... [more]
EMCJ 2013-01-11
12:55
長崎 長崎大学 共振ダイポールからの置換法による短縮ダイポールアンテナ係数
森岡健浩産総研)・山中政来パナソニック)・平沢一紘筑波大EMCJ2012-115
ダイポールアンテナは高い精度で測定値の予測が可能であるため,測定サイトの評価測定など要求精度の高い測定に利用されている.... [more] EMCJ2012-115
pp.75-80
EMCJ
(第二種研究会)
2012-11-30
13:30
東京 情報通信研究機構 小金井本部 E-field probe calibration in a G-TEM cell
Takehiro MoriokaAIST
The E-field strength is ordinary evaluated by using a field ... [more]
EMCJ 2008-11-20
14:55
東京 産業技術総合研究所 臨海副都心センター本館 散乱体によるTEMセル内電磁界の測定
森岡健浩産総研EMCJ2008-74
TEMセル内に散乱体を挿入することによって,セル入力端における反射係数が変動する.この変動は散乱体位置における散乱体が存... [more] EMCJ2008-74
pp.1-6
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