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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ICD
(共催)
2015-08-25
11:45
熊本 熊本市 線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるしきい値電圧および電流ばらつき
水谷朋子棚橋裕麻鈴木龍太更屋拓哉小林正治平本俊郎東大SDM2015-68 ICD2015-37
 [more] SDM2015-68 ICD2015-37
pp.59-62
SDM 2015-01-27
14:25
東京 機械振興会館 [招待講演]SOI基板の直接接合を用いた画素並列A/D変換方式3次元構造CMOSイメージセンサ
後藤正英萩原 啓井口義則大竹 浩NHK)・更屋拓哉小林正治日暮栄治年吉 洋平本俊郎東大SDM2014-141
超高精細と高フレームレートとを両立できる次世代のイメージセンサを目指して、画素並列信号処理を行う3次元構造CMOSイメー... [more] SDM2014-141
pp.25-28
ICD, SDM
(共催)
2014-08-05
09:00
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]しきい値電圧自己調整MOSトランジスタおよびSRAMセルの超低電圧(0.1V)動作
平本俊郎上田晃頌鄭 承旻水谷朋子更屋拓哉東大SDM2014-71 ICD2014-40
0.1Vという超低電圧で動作するVth自己調整MOSFETを提案した.このデバイスでは,オン時にVthが低下し,オフ時に... [more] SDM2014-71 ICD2014-40
pp.51-54
SDM, ICD
(共催)
2013-08-02
09:00
石川 金沢大学 角間キャンパス SRAMセル安定性指標パラメータの検討:ノイズマージンかVminか?
Anil Kumar更屋拓哉東大)・宮野信治半導体理工学研究センター)・平本俊郎東大SDM2013-74 ICD2013-56
SRAMセルの安定性の指標となるパラメータとして,ノイズマージン(NM)と最低動作電圧(Vmin)を比較検討した.NMと... [more] SDM2013-74 ICD2013-56
pp.43-46
SDM, ED
(共催)
2013-02-28
09:00
北海道 北海道大学(百年記念会館) 室温動作単電子トランジスタとCMOS1-bitアナログセレクタの集積化
鈴木龍太野末喬城更屋拓也平本俊郎東大ED2012-137 SDM2012-166
あらまし 本研究では、室温動作シリコン単電子トランジスタ(SET)の作製プロセスの改良により、同時に作製されるMOSF... [more] ED2012-137 SDM2012-166
pp.47-52
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
10:00
北海道 札幌市男女共同参画センター SRAMセル安定性の一括ポストファブリケーション自己修復技術
クマール アニール更屋拓哉東大)・宮野信治半導体理工学研究センター)・平本俊郎東大SDM2012-65 ICD2012-33
電源電圧線(VDD)へ高電圧ストレスを製造後に印加することにより,SRAMセルの安定性が自己修復することを1kビットのS... [more] SDM2012-65 ICD2012-33
pp.13-16
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-29
12:00
沖縄 沖縄県青年会館 Reliability Measurement of PFETs under Post Fabrication Self-Improvement Scheme for SRAM
Nurul Ezaila AliasAnil KumarTakuya SarayaUniv. of Tokyo)・Shinji MiyanoSTARC)・Toshiro HiramotoUniv. of Tokyo
The negative bias temperature instability (NBTI) reliability... [more]
ICD, SDM
(共催)
2010-08-27
13:20
北海道 札幌エルプラザ内男女共同参画センター DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析
平本俊郎鈴木 誠更屋拓哉清水 健東大)・西田彰男蒲原史朗竹内 潔最上 徹MIRAI-SeleteSDM2010-144 ICD2010-59
 [more] SDM2010-144 ICD2010-59
pp.111-114
ICD, SDM
(共催)
2009-07-16
15:00
東京 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 (110)SOI基板上に作製したGAAシリコンナノワイヤの移動度評価
陳 杰智更屋拓哉平本俊郎東大SDM2009-105 ICD2009-21
(110)基板上のシリコンナノワイヤpFETにおける正孔移動度の実験結果について述べる.ナノワイヤFETはゲートオールア... [more] SDM2009-105 ICD2009-21
pp.45-48
SDM, ED
(共催)
2009-02-27
09:50
北海道 北海道大学 シリコンナノワイヤpMOSFET及び室温動作単正孔トランジスタにおける一軸歪みの効果
鄭 然周Chen Jiezhi更屋拓哉平本俊郎東大ED2008-234 SDM2008-226
NW(nanowire) pFET及びSHT(single-hole transistor)における一軸歪みの効果を報告... [more] ED2008-234 SDM2008-226
pp.59-62
ICD, SDM
(共催)
2006-08-18
09:25
北海道 北海道大学 (110)面<100>方向pMOSFETにおける移動度崩壊の実証
清水 健更屋拓哉平本俊郎東大
(110)面pMOSFETはその移動度の高さから将来のCMOSテクノロジにおいて有用な選択肢の一つであるが、移動度のユニ... [more] SDM2006-143 ICD2006-97
pp.105-109
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