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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2010-06-17 16:15 |
石川 | 北陸先端大 | AlGaN/GaN MIS構造におけるC-V特性の解釈 ○水江千帆子（北大）・橋詰 保（北大/JST）  ED2010-40 |
[more] | ED2010-40 pp.37-40 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | 周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT ○大井幸多・橋詰 保（北大） ED2009-183 MW2009-166 |
ゲート電極直下のみに周期的メサ構造を有する多重台形チャネル(MMC: Multi-Mesa-Channel)HEMTでは... [more] | ED2009-183 MW2009-166 pp.49-53 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 13:40 |
東京 | 機械振興会館 | Al2O3/AlGaN/GaNおよびAl2O3/n-GaN構造における界面特性 ○水江千帆子・堀 祐臣・橋詰 保（北大） ED2009-185 MW2009-168 |
[more] | ED2009-185 MW2009-168 pp.61-64 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 10:55 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | MgドープGaN表面特性のアニールによる変化 ○小川恵理・橋詰 保（北大/JST） ED2009-150 CPM2009-124 LQE2009-129 |
Mgドープ量の異なるGaN表面にSiO2保護膜を形成し，1000〜1100oCの高温でアニールを行い，アニ... [more] | ED2009-150 CPM2009-124 LQE2009-129 pp.105-108 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 11:45 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位 ○菅原克也・久保俊晴（北大）・武富浩幸・三宅秀人・平松和政（三重大）・橋詰 保（北大） ED2009-152 CPM2009-126 LQE2009-131 |
[more] | ED2009-152 CPM2009-126 LQE2009-131 pp.115-118 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 11:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | 原子層堆積により形成したAl2O3/n-GaN構造の界面評価 ○大山公士（北大/Sumitomo Metal Mining）・水江千帆子・堀 祐臣・橋詰 保（北大） ED2009-74 SDM2009-69 |
[more] | ED2009-74 SDM2009-69 pp.109-112 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 11:30 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | InP pn接合基板へのポーラス構造の形成とデバイス応用 ○佐藤威友・吉澤直樹・オカザキ ヒロユキ・橋詰 保（北大） ED2009-76 SDM2009-71 |
We demonstrated to form InP porous structures on n-type epit... [more] | ED2009-76 SDM2009-71 pp.117-120 |
| ED | 2009-06-11 16:00 |
東京 | 東京工業大学 | 原子層堆積により形成したAl2O3/AlGaN/GaNの界面評価 ○水江千帆子・堀 祐臣（北大）・ミツェーク マルチン（Silesian Univ. of Tech.）・橋詰 保（北大） ED2009-41 |
[more] | ED2009-41 pp.27-30 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-15 13:50 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | AlGaN/GaN HEMTの動作安定性評価 ○田島正文・橋詰 保（北大） ED2009-34 CPM2009-24 SDM2009-24 |
[more] | ED2009-34 CPM2009-24 SDM2009-24 pp.87-90 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-15 14:15 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | GaNの電気化学酸化による表面制御 ○原田脩央・塩崎奈々子・橋詰 保（北大） ED2009-35 CPM2009-25 SDM2009-25 |
[more] | ED2009-35 CPM2009-25 SDM2009-25 pp.91-94 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 11:45 |
東京 | 機械振興会館 | ナノ細線チャネルを利用した台形ゲートAlGaN/GaN HEMT ○大井幸多・橋詰 保（北大） ED2008-223 MW2008-188 |
ゲート電極直下のみを周期的トレンチ構造とした多重台形チャネル(MMC) AlGaN/GaN HEMTは，側面ゲートからの... [more] | ED2008-223 MW2008-188 pp.141-144 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-10 10:00 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | 2-bit Arithmetic Logic Unit Utilizing Hexagonal BDD Architecture for Implemention of Nanoprocessor on GaAs Nanowire Network ○Hong-Quan Zhao（Hokkaido Univ.）・Seiya Kasai（Hokkaido Univ./JST）・Tamotsu Hashizume（Hokkaido Univ.） ED2008-66 SDM2008-85 |
2-bit arithmetic logic unit (ALU) utilizing the binary-decis... [more] | ED2008-66 SDM2008-85 pp.139-144 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-11 15:50 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | 電気化学的手法によるInPポーラスナノ構造の形成および機能修飾と化学センサへの応用 ○溝畑彰規・吉澤直樹・佐藤威友・橋詰 保（北大） ED2008-102 SDM2008-121 |
We investigated the electrocatalytic activity of n-type InP ... [more] | ED2008-102 SDM2008-121 pp.327-330 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-11 15:05 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | Characterization of GaN Surfaces After High-Temperature Annealing and Carbon Diffusion ○Takeshi Kimura・Tamotsu Hashizume（Hokkaido Univ.） ED2008-106 SDM2008-125 |
A SiNx/GaN structure was prepared by ECR-CVD, and annealed a... [more] | ED2008-106 SDM2008-125 pp.347-350 |
| ED | 2008-06-13 13:50 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | AlGaNの深い準位とAlGaN/GaN HEMTの動作安定性の評価 ○田島正文・小谷淳二・菅原克也・橋詰 保（北大） ED2008-24 |
[more] | ED2008-24 pp.11-16 |
| ED, SDM (共催) |
2008-01-31 11:15 |
北海道 | 北海道大学 | ショットキーラップゲート制御GaAsナノワイヤネットワーク構造上への能動回路・順序回路の実装 ○葛西誠也（北大/JST）・趙 洪泉・橋詰 保（北大） ED2007-249 SDM2007-260 |
特定のトポロジおよび周期性を有する半導体ナノワイヤネットワーク構造上への能動回路・順序回路の実装について検討を行った．基... [more] | ED2007-249 SDM2007-260 pp.63-68 |
| ED, MW (共催) |
2008-01-16 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | 電気化学的プロセスによるGaN表面安定化 ○塩崎奈々子・橋詰 保（北大） ED2007-207 MW2007-138 |
ウェットプロセスによるGaN系材料の表面安定化(パッシベーション)を試みるため、グリコール水溶液中での電気化学プロセスに... [more] | ED2007-207 MW2007-138 pp.7-10 |
| SDM, R, ED (共催) |
2007-11-16 14:15 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | 多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性 ○田村隆博・小谷淳二・大井幸多・橋詰 保（北大） R2007-49 ED2007-182 SDM2007-217 |
AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)のチャネル中における電界分布の均一性向上を図るため、ゲート電極直下... [more] | R2007-49 ED2007-182 SDM2007-217 pp.19-22 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-11 17:35 |
福井 | 福井大学 | 絶縁膜/n-GaN構造の光応答とセンサ応用 ○水江千帆子・松山哲也・小谷淳二・ミツェーク マルチン・橋詰 保（北大） ED2007-164 CPM2007-90 LQE2007-65 |
Metal-Insulator-Semiconductor(MIS)構造を用いた紫外光センサ構造を目的として、絶縁膜にA... [more] | ED2007-164 CPM2007-90 LQE2007-65 pp.43-46 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 11:15 |
福井 | 福井大学 | AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用 ○田島正文・小谷淳二・田村隆博・橋詰 保（北大） ED2007-170 CPM2007-96 LQE2007-71 |
AlGaN/GaN HEMTの動作安定性・信頼性を向上させることを目的として、高温でのバイアスストレス（BTストレス）評... [more] | ED2007-170 CPM2007-96 LQE2007-71 pp.73-76 |
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