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講演検索結果
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 41件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催)
SID-JC, IEIJ-SSL
(共催)
(連催) [詳細]
2024-01-25
13:10
京都 龍谷大学響都ホール校友会館 + オンライン開催
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[ポスター講演]三層GTOを用いたReRAMにおける負性抵抗を利用した抵抗変化挙動[ポスター講演]
阿部祥也谷内田健太澤井一輝龍谷大)・松田時宜近畿大)・河西秀典木村 睦龍谷大EID2023-3
ReRAMは高密度、安定性、高速動作、低コストなどの特徴から注目されている。そこで、アモルファス酸化物半導体(AOS)で... [more] EID2023-3
pp.5-8
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催)
SID-JC, IEIJ-SSL
(共催)
(連催) [詳細]
2024-01-25
13:15
京都 龍谷大学響都ホール校友会館 + オンライン開催
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[ポスター講演]メモリスタを用いたシナプス素子によるニューロンの膜電位変化の再現
谷内田健太阿部祥也澤井一輝龍谷大)・松田時宜近大/龍谷大)・河西秀典龍谷大)・木村 睦龍谷大/奈良先端大EID2023-4
メモリスタと高抵抗SiO2を統合した薄膜ニューロモルフィックデバイスを用いてニューロンの膜電位の変化の再現を試みた.メモ... [more] EID2023-4
pp.9-12
SDM, EID
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2019-12-24
14:05
奈良 奈良先端大(物質領域 大講義室) Al2O3絶縁膜上に作製したGa-Sn-O TFT
服部一輝谷野健太松田時宜木村 睦龍谷大)・川原村敏幸高知工科大
 [more]
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2018-12-25
11:45
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 ミストCVD法によるGTO薄膜を用いたデバイス
滝下雄太龍谷大)・是友大地曲 勇作古田 守高知工科大)・松田時宜木村 睦龍谷大
 [more]
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2018-12-25
14:00
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 Ga-Sn-O TFT特性のUVアニール依存性解析
谷野健太高木 瞭松田時宜木村 睦龍谷大
 [more]
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2018-12-25
14:45
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 ミストCVD法により作製したGa-Sn-O薄膜熱電変換素子の評価
荒牧達也野村竜生池口 翼松田時宜龍谷大)・梅田鉄馬上沼睦典奈良先端大)・木村 睦龍谷大
 [more]
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
13:15
京都 京都大学 GaSnO薄膜を用いたフレキシブルデバイス応用
髙木 瞭龍谷大)・梅田鉄馬奈良先端大)・松田時宜龍谷大)・上沼睦典奈良先端大)・木村 睦龍谷大EID2017-16 SDM2017-77
レアメタルフリー酸化物半導体のアモルファスGa-Sn-O(a-GTO)薄膜を用いてフレキシブルデバイスへの応用を見据えた... [more] EID2017-16 SDM2017-77
pp.23-28
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
13:30
京都 京都大学 レアメタルフリー酸化物半導体のゼーベック効果測定
野村竜生荒牧達也松田時宜龍谷大)・梅田鉄馬上沼睦典奈良先端大)・木村 睦龍谷大EID2017-17 SDM2017-78
廃熱を回収し,効率よく熱エネルギーを電気エネルギーに変換することができれば石油の使用量等を減らすとこができると考えられて... [more] EID2017-17 SDM2017-78
pp.29-34
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
15:00
京都 京都大学 ミストCVD法を用いたGaSnO薄膜の特性評価
岡本龍吾福嶋大貴松田時宜木村 睦龍谷大EID2017-23 SDM2017-84
 [more] EID2017-23 SDM2017-84
pp.63-66
SDM, EID
(共催)
2016-12-12
10:15
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 ミストCVD法で作製したGaSnO薄膜の特性評価
福嶋大貴弓削政博木村 睦松田時宜龍谷大EID2016-11 SDM2016-92
 [more] EID2016-11 SDM2016-92
pp.11-14
SDM, EID
(共催)
2016-12-12
11:30
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 薄膜生体刺激デバイスのin-vitro実験
冨岡圭佑三宅康平松田時宜木村 睦龍谷大EID2016-15 SDM2016-96
 [more] EID2016-15 SDM2016-96
pp.27-30
SDM, EID
(共催)
2016-12-12
11:45
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 薄膜コイルを用いたワイヤレス電力伝送
山本友稀三澤慶悟松田時宜木村 睦龍谷大EID2016-16 SDM2016-97
 [more] EID2016-16 SDM2016-97
pp.31-35
SDM, EID
(共催)
2016-12-12
16:00
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 薄膜トランジスタによるセルラニューラルネットワークでの文字認識
杉崎澄生松田時宜木村 睦龍谷大EID2016-26 SDM2016-107
我々は,薄膜デバイスを用いたセルラニューラルネットワークの研究開発を行っている.今回,ニューラルネットワークの基本構成要... [more] EID2016-26 SDM2016-107
pp.75-79
SDM, EID
(共催)
2016-12-12
16:15
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 GTO薄膜を用いたプレーナ型シナプスの特性評価
生島恵典梅田鉄馬松田時宜木村 睦龍谷大EID2016-27 SDM2016-108
ニューラルネットワークとは, 人間の脳を基とした情報処理モデルであり, 盛んに研究されている.
しかし, ハードウェ... [more]
EID2016-27 SDM2016-108
pp.81-84
SDM, EID
(共催)
2016-12-12
16:30
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 ニューラルネットワークのハードウェア化におけるキャパシタ型シナプスの検討
和多田晃樹中西弘樹木村 睦松田時宜龍谷大EID2016-28 SDM2016-109
ニューラルネットワークをハードウェア化するときの低消費電力化を目的として,キャパシタ型シナプスを検討している.トリマコン... [more] EID2016-28 SDM2016-109
pp.85-88
SDM, EID
(共催)
2016-12-12
16:45
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 a-IGZO薄膜を用いたニューラルネットワークのシナプスの作製
堀 賢将田中 遼古我祐貴松田時宜木村 睦龍谷大EID2016-29 SDM2016-110
ニューラルネットワークとは人間の脳を基にした情報処理モデルであり, 盛んに研究されている. しかし, ハードウェアでのニ... [more] EID2016-29 SDM2016-110
pp.89-92
SDM, EID
(共催)
2016-12-12
17:00
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 セルラニューラルネットワークのアナログ回路シミュレーション
横山朋陽木村 睦松田時宜龍谷大EID2016-30 SDM2016-111
 [more] EID2016-30 SDM2016-111
pp.93-97
SDM, OME
(共催)
2016-04-09
10:50
沖縄 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 デバイスシミュレーションによるIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタのキャリア輸送メカニズムの解析 ~ バックチャネルキャリア濃度の影響 ~
是友大地戸田達也高知工科大)・松田時宜木村 睦龍谷大)・古田 守高知工科大SDM2016-14 OME2016-14
デバイスシミュレータ(ATLAS)を用い、In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタ(IGZO TFT)におけるバックチャネル... [more] SDM2016-14 OME2016-14
pp.57-60
SID-JC, IEIJ-SSL
(共催)
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2016-01-28
14:10
富山 富山大学 薄膜デバイスによるセルラニューラルネットワーク ~ 文字認識の動作検証 ~
木村 睦森田竜平杉崎澄生松田時宜龍谷大EID2015-28
我々は,薄膜デバイスによるセルラニューラルネットワークの研究開発を続けている.薄膜デバイスは大面積に作製でき,印刷プロセ... [more] EID2015-28
pp.21-24
SID-JC, IEIJ-SSL
(共催)
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2016-01-28
14:18
富山 富山大学 薄膜デバイスによる人工網膜 ~ In vitro実験による動作検証 ~
木村 睦春木翔太冨岡圭佑松田時宜龍谷大EID2015-29
我々は,薄膜デバイスによる人工網膜の研究開発を続けている.薄膜デバイスは透明でフレキシブルな基板に作製できるため,網膜上... [more] EID2015-29
pp.25-28
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