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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2021-02-05 16:40 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］3D冗長とWafer-on-Wafer(WOW) テクノロジを用いたBumpless-Build-Cube(BBCube) ○菅谷慎二・中條徳男・作井康司・良尊弘幸・中村友二・大場隆之（東工大）  SDM2020-61 |
縦方向にメモリブロックを入れ替える”3Ｄ冗長”のアプリケーションとしてBBCubeへの応用を示す．既存のknown-go... [more] | SDM2020-61 pp.27-32 |
| SDM | 2016-01-22 10:40 |
東京 | 東京大学 山上会館 | ［招待講演］常温12年応力変動の結果から銅配線のストレスマイグレーションメカニズムの再考 ○松山英也（ソシオネクスト）・鈴木貴志・中村友二（富士通研）・塩津基樹・江原英郎（三重富士通セミコンダクター） SDM2015-109 |
[more] | SDM2015-109 pp.5-8 |
| SDM | 2016-01-22 13:00 |
東京 | 東京大学 山上会館 | ［招待講演］低温作製された窒化物薄膜の特性 ○武山真弓・佐藤 勝（北見工大）・小林靖志・中田義弘・中村友二（富士通研）・野矢 厚（北見工大） SDM2015-112 |
[more] | SDM2015-112 pp.17-20 |
| CPM | 2015-11-06 14:55 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | 室温成膜したSiNx膜の特性評価 ○佐藤 勝・武山真弓（北見工大）・小林靖志・中田義弘・中村友二（富士通研）・野矢 厚（北見工大） CPM2015-88 |
[more] | CPM2015-88 pp.23-26 |
| CPM | 2015-08-10 14:40 |
青森 | 弘前大学 文京町地区キャンパス 総合教育棟 | 絶縁バリアとしてのSiNx膜の低温作製 ○武山真弓・佐藤 勝（北見工大）・小林靖志・中田義弘・中村友二（富士通研）・野矢 厚（北見工大） CPM2015-34 |
[more] | CPM2015-34 pp.15-18 |
| CPM | 2014-10-25 09:40 |
長野 | 信州大学工学部 地域共同研究センター３階研修 キャンパスマップ17番 | 3D及び2.5D-IC配線に適用可能な低温SiNx膜の特性 ○武山真弓・佐藤 勝（北見工大）・小林靖志・中田義弘・中村友二（富士通研）・野矢 厚（北見工大） CPM2014-115 |
微細化により達成してきた従来のLSIの高性能化は、量子限界や微細化限界が切迫し、新たな方向性の検討が盛んに行われている。... [more] | CPM2014-115 pp.53-56 |
| SDM | 2014-02-28 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］三次元積層向けウェハの裏面研削によるダメージ評価 ○水島賢子（富士通研/東工大）・金 永ソク（東工大/ディスコ）・中村友二（富士通研）・杉江隆一・橋本秀樹（東レリサーチセンター）・上殿明良（筑波大）・大場隆之（東工大） SDM2013-167 |
10 um以下まで薄化したウェハを用いたバンプレスの積層技術を開発している。極薄膜のデバイスを積層するには、裏面研削がS... [more] | SDM2013-167 pp.13-18 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2013-11-27 15:30 |
鹿児島 | 鹿児島県文化センター | ［招待講演］3D/2.5D実装向けチップ間接続微細配線技術 ○谷 元昭・中田義弘・神吉剛司・中村友二（富士通研） VLD2013-75 CPM2013-119 ICD2013-96 CPSY2013-60 DC2013-41 RECONF2013-43 |
[more] | VLD2013-75 CPM2013-119 ICD2013-96 CPSY2013-60 DC2013-41 RECONF2013-43 pp.101-106(VLD), pp.63-68(CPM), pp.63-68(ICD), pp.9-14(CPSY), pp.101-106(DC), pp.21-26(RECONF) |
| CPM | 2013-10-24 16:55 |
新潟 | 新潟大ときめいと | 低温プロセスによるSiNx膜の特性評価 ○武山真弓・佐藤 勝（北見工大）・中田義弘・小林靖志・中村友二（富士通研）・野矢 厚（北見工大） CPM2013-100 |
微細化により達成してきた従来のLSIの高性能化は、量子限界や微細化限界が切迫し、新たな方向性の検討が盛んに行われている。... [more] | CPM2013-100 pp.35-39 |
| SDM | 2013-02-04 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | LSI配線構造中のCu／絶縁膜界面の結晶粒レベル局所強度に対応するサブミクロン機械工学への挑戦 ○神谷庄司・佐藤 尚（名工大）・大宮正毅（慶大）・宍戸信之・小岩康三・西田政弘（名工大）・中村友二・鈴木貴志（富士通研）・野久尾毅・鈴木俊明（日本電子専門学校） SDM2012-153 |
構造物の対破壊信頼性確保は機械工学の基本的使命の一つである。エレクトロニクスデバイスもその例外ではないが、構造の３次元化... [more] | SDM2012-153 pp.15-20 |
| SDM | 2013-02-04 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | 高密度チップ集積を実現する微細再配線の高信頼性技術 ～ Metal-Capバリア配線技術 ～ ○神吉剛司・池田淳也・須田章一・小林靖志・中田義弘・中村友二（富士通研） SDM2012-155 |
高密度チップ集積技術の要素技術となる低コストの有機樹脂を用いたChip間接続再配線の微細化において，有機樹脂中のハロゲン... [more] | SDM2012-155 pp.25-30 |
| CPM | 2012-08-09 09:50 |
山形 | 山形大学工学部100周年記念会館セミナー室 | ラジカル反応を応用した低温でのSiNx膜の作製 ○武山真弓・佐藤 勝（北見工大）・中田義弘・小林靖志・中村友二（富士通研）・野矢 厚（北見工大） CPM2012-45 |
3次元LSIにおいては、LSIプロセス後にTSVを作製するビア・ラストプロセスが理想的である。そのためには、絶縁膜である... [more] | CPM2012-45 pp.51-54 |
| SDM | 2012-03-05 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | Si貫通ビア(TSV)の側壁ラフネスに起因したリーク電流特性とビア応力の関係 ○北田秀樹（東大/富士通研）・前田展秀・藤本興冶・児玉祥一・金 永束（東大）・水島賢子（東大/富士通研）・中村友二（富士通研）・大場隆之（東大） SDM2011-183 |
[more] | SDM2011-183 pp.41-46 |
| SDM | 2012-03-05 15:55 |
東京 | 機械振興会館 | Wafer-on-wafer構造における貫通Si電極周辺の局所歪の評価 ○中塚 理（名大）・北田秀樹・金 永束（東大）・水島賢子・中村友二（富士通研）・大場隆之（東大）・財満鎭明（名大） SDM2011-184 |
Wafer-on-wafer技術の応用に向けて，積層した薄化Si層内部における局所歪構造を，顕微ラマン分光法およびX線マ... [more] | SDM2011-184 pp.47-52 |
| SDM | 2011-02-07 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | 3次元積層技術における低温バンプレスTSVプロセス ○北田秀樹・前田展秀（東大）・藤本興治（大日本印刷）・水島賢子・中田義弘・中村友二（富士通研）・大場隆之（東大） SDM2010-224 |
低温プラズマCVDを用いたCu貫通ビア(TSV)製造のCu拡散の挙動を評価した。成膜温度が150℃の低温-PECVD法で... [more] | SDM2010-224 pp.49-53 |
| ICD, SDM (共催) |
2010-08-27 10:15 |
北海道 | 札幌エルプラザ内男女共同参画センター | ［招待講演］実デバイス基板を用いたサブ10ミクロンの薄化技術の開発 ○前田展秀・金 永ソク（東大）・彦坂幸信・恵下 隆（富士通セミコンダクター）・北田秀樹・藤本興治（東大）・水島賢子（富士通研）・鈴木浩助（大日本印刷）・中村友二（富士通研）・川合章仁・荒井一尚（ディスコ）・大場隆之（東大） SDM2010-141 ICD2010-56 |
200mmおよび300mmのデバイスウェハーを10μm以下のレベルまで薄化した．裏面研削後にできる200nmの非結晶層は... [more] | SDM2010-141 ICD2010-56 pp.95-97 |
| SDM | 2007-12-14 13:50 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 光散乱法を利用した薄膜Si1-xGex/Siの転位運動の観測 ○原 明人（東北学院大）・田村直義・中村友二（富士通研） SDM2007-229 |
エッチング法では観察ができないほどに薄いＳｉＧｅ中の転位の運動を光散乱法により非破壊に観測した。この方法を使って、厚さ５... [more] | SDM2007-229 pp.31-34 |
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