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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW, ED (共催) |
2019-01-18 10:40 |
東京 | 日立中研 | 高温動作時のGaN-HEMTの故障モード分析 ○四田泰代（住友電工デバイス・イノベーション）・舘野泰範・米村卓巳・古川将人・山本 洋（住友電工）・野瀬幸則・清水 聡（住友電工デバイス・イノベーション）  ED2018-81 MW2018-148 |
本研究の目的は，高温通電試験におけるGaN-HEMTの閾値電圧変動の原因について，デバイス内部の応力・結晶歪に着目し，シ... [more] | ED2018-81 MW2018-148 pp.67-70 |
| MW, ED (共催) |
2019-01-18 11:05 |
東京 | 日立中研 | 高温信頼度試験におけるGaN-HEMTのパルスI-V特性劣化メカニズムの解析 ○舘野泰範（住友電工）・四田泰代（住友電工デバイス・イノベーション）・山本 洋・中林隆志（住友電工） ED2018-82 MW2018-149 |
高温保存試験におけるGaN-HEMTのパルスI-V特性変化の物理的メカニズムについて解析を行った. GaN-HEMTに高... [more] | ED2018-82 MW2018-149 pp.71-74 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-26 14:25 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | ［依頼講演］高周波GaN-HEMTの製品化の経緯 ○舘野泰範（住友電工） ED2016-97 MW2016-173 |
[more] | ED2016-97 MW2016-173 pp.7-12 |
| SDM, R, ED (共催) |
2007-11-16 15:45 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | AlGaN/GaN HEMT量産のためのリーク電流による選別 ○八巻史一・石井和明・西 眞弘・生松 均・舘野泰範・川田春雄（ユーディナデバイス） R2007-52 ED2007-185 SDM2007-220 |
[more] | R2007-52 ED2007-185 SDM2007-220 pp.33-37 |
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