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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2014-02-28 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］三次元積層向けウェハの裏面研削によるダメージ評価 ○水島賢子（富士通研/東工大）・金 永ソク（東工大/ディスコ）・中村友二（富士通研）・杉江隆一・橋本秀樹（東レリサーチセンター）・上殿明良（筑波大）・大場隆之（東工大）  SDM2013-167 |
10 um以下まで薄化したウェハを用いたバンプレスの積層技術を開発している。極薄膜のデバイスを積層するには、裏面研削がS... [more] | SDM2013-167 pp.13-18 |
| SDM | 2012-03-05 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | Si貫通ビア(TSV)の側壁ラフネスに起因したリーク電流特性とビア応力の関係 ○北田秀樹（東大/富士通研）・前田展秀・藤本興冶・児玉祥一・金 永束（東大）・水島賢子（東大/富士通研）・中村友二（富士通研）・大場隆之（東大） SDM2011-183 |
[more] | SDM2011-183 pp.41-46 |
| SDM | 2012-03-05 15:55 |
東京 | 機械振興会館 | Wafer-on-wafer構造における貫通Si電極周辺の局所歪の評価 ○中塚 理（名大）・北田秀樹・金 永束（東大）・水島賢子・中村友二（富士通研）・大場隆之（東大）・財満鎭明（名大） SDM2011-184 |
Wafer-on-wafer技術の応用に向けて，積層した薄化Si層内部における局所歪構造を，顕微ラマン分光法およびX線マ... [more] | SDM2011-184 pp.47-52 |
| SDM | 2011-02-07 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | 3次元積層技術における低温バンプレスTSVプロセス ○北田秀樹・前田展秀（東大）・藤本興治（大日本印刷）・水島賢子・中田義弘・中村友二（富士通研）・大場隆之（東大） SDM2010-224 |
低温プラズマCVDを用いたCu貫通ビア(TSV)製造のCu拡散の挙動を評価した。成膜温度が150℃の低温-PECVD法で... [more] | SDM2010-224 pp.49-53 |
| ICD, SDM (共催) |
2010-08-27 10:15 |
北海道 | 札幌エルプラザ内男女共同参画センター | ［招待講演］実デバイス基板を用いたサブ10ミクロンの薄化技術の開発 ○前田展秀・金 永ソク（東大）・彦坂幸信・恵下 隆（富士通セミコンダクター）・北田秀樹・藤本興治（東大）・水島賢子（富士通研）・鈴木浩助（大日本印刷）・中村友二（富士通研）・川合章仁・荒井一尚（ディスコ）・大場隆之（東大） SDM2010-141 ICD2010-56 |
200mmおよび300mmのデバイスウェハーを10μm以下のレベルまで薄化した．裏面研削後にできる200nmの非結晶層は... [more] | SDM2010-141 ICD2010-56 pp.95-97 |
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