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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2023-11-09 14:00 |
東京 | 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］半導体ナノシートにおける表面ラフネス散乱の量子論に基づく数値解析 ○岡田 丈・田中 一・森 伸也（阪大）  SDM2023-65 |
単一モード半導体ナノシートにおいて，表面ラフネス散乱で決まる平均自由行程を数値計算により求める手法を提案する．平均自由行... [more] | SDM2023-65 pp.10-15 |
| SDM | 2023-11-10 14:40 |
東京 | 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］GaNの高電界物性の精密評価 ～ 衝突イオン化係数と絶縁破壊電界 ～ ○前田拓也（東大） SDM2023-72 |
パワーデバイスの耐圧シミュレーションや安全動作領域の予測には，正確な物性値を用いたデバイスシミュレーションが必要不可欠で... [more] | SDM2023-72 pp.41-46 |
| MW, ED (共催) |
2023-01-27 12:50 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
GaN HEMTのGaNトラップが低周波Y22パラメータに与える影響の検討 ～ デバイスシミュレーション ～ 諸隈奨吾（佐賀大）・大塚友絢（三菱電機）・○大石敏之（佐賀大）・山口裕太郎・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機） ED2022-91 MW2022-150 |
GaN HEMTの高周波やパワーエレクトロニクス分野への応用を考えた場合、Hz～MHz付近の低周波領域における特性改善が... [more] | ED2022-91 MW2022-150 pp.29-32 |
| SDM | 2022-11-10 16:15 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］ゲート式量子コンピューティングアルゴリズムを援用したナノスケールデバイスシミュレーション手法の検討 ○相馬聡文・松尾信吾・石橋拓也（神戸大） SDM2022-69 |
電界効果型トランジスタなどの種々の素子の性能向上 に向けては，シミュレーションによる性能予測とそれ に基づくデバイス... [more] |
SDM2022-69 pp.23-27 |
| VLD, DC, RECONF, ICD, IPSJ-SLDM (連催) (併催) [詳細] |
2021-12-01 09:20 |
ONLINE | オンライン開催 | TCADを用いた回路とレイアウト構造によるフリップフロップのソフトエラー耐性の評価 ○小谷萌香・中島隆一（京都工繊大）・井置一哉（ローム）・古田 潤・小林和淑（京都工繊大） VLD2021-17 ICD2021-27 DC2021-23 RECONF2021-25 |
本稿では130 nmプロセスのフリップフロップ（FF）とトランジスタと配線を追加した面積，遅延，電力オーバーヘッドの小さ... [more] | VLD2021-17 ICD2021-27 DC2021-23 RECONF2021-25 pp.1-6 |
| SDM | 2021-11-12 15:45 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］非平衡グリーン関数法に基づくナノスケールデバイスシミュレーションの機械学習を用いた高速化 ○相馬聡文（神戸大） SDM2021-65 |
非平衡グリーン関数法に基づくデバイスシミュレーションでは行列演算を要する非平衡空間電荷分布の計算がボトルネックとなるが，... [more] | SDM2021-65 pp.66-71 |
| SDM | 2019-11-08 09:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］強誘電体電界効果トランジスタの動的挙動のデバイスシミュレーション ○服部淳一・池上 努・福田浩一・太田裕之・右田真司・浅井栄大（産総研） SDM2019-74 |
ゲート・スタックに有する強誘電体膜の特性を利用する強誘電体電界効果トランジスタについて，その非定常状態における振る舞いを... [more] | SDM2019-74 pp.27-32 |
| SDM | 2018-11-09 14:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］強誘電体の負性容量を用いたトランジスタのデバイスシミュレーション ○服部淳一・池上 努・福田浩一・太田裕之・右田真司・浅井栄大（産総研） SDM2018-74 |
ゲート絶縁膜の一つに強誘電体膜を持ち，その負性容量状態を利用する負性容量トランジスタについて，その振る舞いをシミュレーシ... [more] | SDM2018-74 pp.47-52 |
| SDM | 2017-11-09 15:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］深いトラップを含むGaN MOSキャパシタ容量のシミュレーション ○福田浩一・浅井栄大・服部淳一・清水三聡（産総研）・橋詰 保（北大） SDM2017-66 |
深いトラップ準位を含むGaN MOSキャパシタの容量をtransientモードで解析する手法を検証し，周波数分散など各非... [more] | SDM2017-66 pp.27-32 |
| SDM | 2017-11-10 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］極微細トランジスタの量子輸送シミュレーション ○森 伸也・美里劫夏南（阪大）・岩田潤一・押山 淳（東大） SDM2017-69 |
ナノワイヤトランジスタなどの極めて微細なデバイスの電気特性をシミュレーションするため，実空間密度汎関数法と非平衡グリーン... [more] | SDM2017-69 pp.43-46 |
| SDM | 2016-11-11 16:05 |
東京 | 機械振興会館 | a-Si pin太陽電池の自己無撞着シミュレーションとキャリアの捕獲生成過程の物理機構 ○鈴木 東（筑波大）・吉田勝尚（東大）・佐野伸行（筑波大） SDM2016-89 |
ドリフト拡散式にポアソン方程式をカップルさせ、自己無撞着に解く、アモルファス・シリコン(a-Si) p-i-n 太陽電池... [more] | SDM2016-89 pp.59-64 |
| OME | 2016-10-28 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］有機薄膜トランジスタにおけるコンタクト修飾効果のデバイスシミュレーション解析 ○野田 啓・長浜陽生・山本 亮・和田恭雄（慶大）・鳥谷部 達（東洋大） OME2016-38 |
有機薄膜トランジスタ（OTFT）におけるコンタクトドーピングやコンタクト電極表面の化学修飾に着目した，デバイス作製評価と... [more] | OME2016-38 pp.1-4 |
| SDM, OME (共催) |
2016-04-09 10:50 |
沖縄 | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 | デバイスシミュレーションによるIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタのキャリア輸送メカニズムの解析 ～ バックチャネルキャリア濃度の影響 ～ ○是友大地・戸田達也（高知工科大）・松田時宜・木村 睦（龍谷大）・古田 守（高知工科大） SDM2016-14 OME2016-14 |
デバイスシミュレータ(ATLAS)を用い、In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタ(IGZO TFT)におけるバックチャネル... [more] | SDM2016-14 OME2016-14 pp.57-60 |
| SDM | 2015-11-05 11:25 |
東京 | 機械振興会館 | モンテカルロ法による超高速イメージセンサの解析 ○南谷夏海（阪大）・Vu Truon Son Dao・下ノ村和弘・江藤剛治（立命館大）・鎌倉良成・森 伸也（阪大） SDM2015-86 |
裏面照射型CCDを用いた超高速撮像素子を想定した基礎的なシミュレーション解析を行った。光電変換層で生成した光電子がコレク... [more] | SDM2015-86 pp.13-17 |
| OME | 2015-05-29 14:45 |
東京 | 機械振興会館 | デバイスシミュレータを利用した正孔注入層/ナフチル置換ジアミン誘導体の電導解析 ○坂井田雅人・光崎茂松・古橋秀夫・森 竜雄（愛知工大） OME2015-21 |
本研究の目的は，有機EL素子において正孔輸送材料として使用されるNPD（ナフチル置換トリフェニルジアミン誘導体）と，正孔... [more] | OME2015-21 pp.15-19 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 17:05 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | Al2O3絶縁膜を有するNO2吸着H終端処理ダイヤモンドFETのデバイスシミュレーション ○大石敏之・東 竜太郎・原田和也・古賀優太（佐賀大）・平間一行（NTT）・嘉数 誠（佐賀大） ED2015-24 CPM2015-9 SDM2015-26 |
H終端処理したダイヤモンド表面にNO2を吸着させ，Al2O3絶縁膜で保護したダイヤモンド電界効果トランジスタのデバイスシ... [more] | ED2015-24 CPM2015-9 SDM2015-26 pp.41-44 |
| SDM, ED (共催) |
2015-02-05 16:35 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | カーボンナノチューブ薄膜への電界集中効果によるOLEDのキャリア注入増強 ○山田竜也・岸本 茂・大野雄高（名大） ED2014-144 SDM2014-153 |
有機発光ダイオード(OLED)の透明電極としてカーボンナノチューブ(CNT)薄膜を用い、CNTへの電界集中効果を利用する... [more] | ED2014-144 SDM2014-153 pp.33-38 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 13:00 |
京都 | 京都大学 | n-ch, p-ch, pin-ch poly-Si TFPTの光伝導性の評価 ○渕矢剛宏・前田善春・門目尭之・田中 匠・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2014-21 SDM2014-116 |
フォトセンサ応用を目指して、n-ch, p-ch, pin-ch poly-Si TFPT の光伝導性を評価した．ゲート... [more] | EID2014-21 SDM2014-116 pp.41-44 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2014-11-26 11:35 |
大分 | ビーコンプラザ（別府国際コンベンションセンター） | 65nm薄膜BOX-SOIとバルクプロセスにおけるSETパルス幅の電圧依存性の評価 ○曽根崎詠二・張 魁元・古田 潤・小林和淑（京都工繊大） VLD2014-84 DC2014-38 |
近年、プロセスの微細化や高集積化により消費電力の増加が問題になっている。 低消費電力の実現には、低電圧化が最も効果的で... [more] |
VLD2014-84 DC2014-38 pp.93-97 |
| SDM | 2013-11-14 15:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］量子エネルギー輸送モデルを用いた先端MOSFETシミュレーション ○鍾 菁廣・小田中紳二（阪大） SDM2013-105 |
量子流体(QHD)モデルは電子輸送のマクロモデルとして重要であり, 拡散スケーリングによって量子エネルギー輸送(QET)... [more] | SDM2013-105 pp.31-36 |
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