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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2012-12-18
11:15
宮城 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム テラヘルツ帯無線通信応用を目指した広帯域アンテナ集積共鳴トンネルダイオードのモデリングと動作解析
浅川澄人斉藤光史須原理彦首都大東京ED2012-105
共鳴トンネルダイオード(RTD)をテラヘルツ帯動作デバイスとして無線通信システムへの応用を真摯に考える際, RTD集積構... [more] ED2012-105
pp.69-74
SDM 2012-12-07
10:00
京都 京都大学(桂) 超高耐圧SiC PiNダイオードの作製と低オン抵抗化
梶 直樹丹羽弘樹須田 淳木本恒暢京大SDM2012-115
超高耐圧SiCバイポーラデバイス実現には、接合終端構造の設計が重要になる。本研究では、当グループが提案した空間変調型Ju... [more] SDM2012-115
pp.1-5
SDM 2012-12-07
13:30
京都 京都大学(桂) デバイスシミュレーションによるアモルファス酸化物半導体における劣化現象の理論的解析
浦川 哲上岡義弘山崎はるか石河泰明浦岡行治奈良先端大SDM2012-125
透明アモルファス酸化物半導体(TAOS)はa-Siに代わる次世代材料として,薄膜トランジスタなど次世代情報端末への応用が... [more] SDM2012-125
pp.59-64
SDM 2012-11-16
14:15
東京 機械振興会館 Tunnel FETの非局所モデリング ~ デバイスモデルと回路モデル ~
福田浩一森 貴洋水林 亘森田行則田邊顕人昌原明植安田哲二右田真司太田裕之産総研SDM2012-111
非局所バンド間トンネルモデルに基づき、トンネルFETのデバイス及び回路モデルの基礎を開発した。デバイスでモデルでは非局所... [more] SDM2012-111
pp.63-68
SDM 2011-12-16
11:00
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 接合終端構造の改良による15kV級SiC PiNダイオードの実現
丹羽弘樹馮 淦須田 淳木本恒暢京大SDM2011-135
様々な接合終端構造を有する4H-SiC PiNダイオードを作製し、その耐圧特性を評価した。その結果two-zone JT... [more] SDM2011-135
pp.17-21
SDM, OME
(共催)
2010-04-23
11:40
沖縄 沖縄県青年会館 a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション
坂本明典野口 隆琉球大)・大鉢 忠同志社大)・大城文明ジョン デ ディウ ムジラネザ琉球大SDM2010-5 OME2010-5
水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)と単結晶シリコン(c-Si)のPINフォトセンサにおいて、光電流の照射強度とi... [more] SDM2010-5 OME2010-5
pp.19-22
ED, MW
(共催)
2010-01-14
14:05
東京 機械振興会館 HfO2/AlGaN/GaN MOSFETの過渡応答解析
林 慶寿岸本 茂水谷 孝名大ED2009-186 MW2009-169
時間を考慮したデバイスシミュレーションを行うことで、HfO2/AlGaN/GaN MOSFETにおいてHfO2/AlGa... [more] ED2009-186 MW2009-169
pp.65-70
OME, EID
(共催)
2009-03-06
15:40
東京 機械振興会館 デバイスシミュレーターを用いた有機半導体中の電気伝導式の導出
服部励治李 相根九大EID2008-89 OME2008-100
有機半導体中の電流-電圧特性に関わる理論式をショットキー障壁接合での拡散モデルに基づく電荷注入式とプール・フレンケル移動... [more] EID2008-89 OME2008-100
pp.33-36
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-28
11:40
愛知 名古屋工業大学 HfO2/AlGaN/GaN MOSFETのデバイスシミュレーション ~ HfO2/AlGaN界面の影響 ~
林 慶寿杉浦 俊岸本 茂水谷 孝名大ED2008-175 CPM2008-124 LQE2008-119
HfO2/AlGaN/GaN MOSFETのシミュレーションを行い、デバイスの動作機構の解明及び界面トラップのデバイス特... [more] ED2008-175 CPM2008-124 LQE2008-119
pp.115-120
SDM [詳細] 2008-11-14
10:00
東京 機械振興会館 次世代半導体デバイス3次元シミュレータの開発(1) ~ 強安定収束シミュレータの開発 ~
桜井清吾朱 日明佐藤昌宏山口 憲アドバンスソフトSDM2008-173
本稿では次世代半導体デバイス設計に必要なシミュレータの要件を取り上げ、それらを満たすべく我々が開発をしているデバイスシミ... [more] SDM2008-173
pp.27-32
SDM [詳細] 2008-11-14
15:00
東京 機械振興会館 ナノスケールMOSFETチャネル中の引力型イオンがデバイス電気特性に与える影響
鎌倉良成ミリニコフ ゲナディ森 伸也阪大)・江崎達也広島大SDM2008-179
非平衡グリーン関数法に基づく3次元デバイスシミュレータを用いて,無ドープのチャネル中に存在する単一の引力型イオン(ドナー... [more] SDM2008-179
pp.61-66
SDM 2007-12-14
11:00
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 Poly-Si TFTにおける容量-電圧特性のシミュレーションによる解析
葛岡 毅辻 博史桐原正治鎌倉良成谷口研二阪大SDM2007-225
短チャネルpoly-Si TFTの容量‐電圧 (C-V) 特性について,2次元デバイスシミュレーションによる解析を行った... [more] SDM2007-225
pp.15-18
SDM 2007-12-14
16:20
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 傾斜メサ構造とJTE領域を有する10 kV SiC PiNダイオード
日吉 透京大)・堀 勉日立)・須田 淳木本恒暢京大SDM2007-233
次世代パワーデバイス用半導体として期待されているSiCを用いて、デバイス終端構造に改良を加えた10 kV PiNダイオー... [more] SDM2007-233
pp.47-50
CPM, ED, LQE
(共催)
2007-10-12
10:50
福井 福井大学 AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因した緩やかな電流応答と電流コラプスの解析
中島 敦堀尾和重芝浦工大ED2007-169 CPM2007-95 LQE2007-70
半絶縁バッファ層中の深いドナーと深いアクセプタを考慮したAlGaN/GaN HEMTの2次元過渡解析を行い,その結果より... [more] ED2007-169 CPM2007-95 LQE2007-70
pp.67-72
SDM, VLD
(共催)
2006-09-26
13:00
東京 機械振興会館 3次元プロセスデバイスシミュレーションによるBulk-FinFETの駆動電流の改善
金村貴永泉田貴士青木伸俊近藤正樹伊藤早苗遠田利之岡野王俊川崎博久八木下淳史金子明生稲葉 聡中村光利石丸一成須黒恭一江口和弘東芝
3次元プロセス/デバイスシミュレーションを用いてbulk-FinFETの構造とイオン注入条件の最適化を検討した。チャネル... [more] VLD2006-43 SDM2006-164
pp.25-29
ICD, CPM
(共催)
2005-01-27
13:30
東京 機械振興会館 90nmデバイスのLVP測定容易性評価とLVP測定用素子の開発
野中淳平和田慎一NECエレクトロニクス
90nm以降のプロセスでは、トランジスタサイズがLVPで使用されるレーザ波長の回折限界に到達するため、LVP測定が困難に... [more] CPM2004-156 ICD2004-201
pp.7-12
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