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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
US 2017-07-27
16:15
岡山 岡山大学 フォノニック結晶中の超音波伝搬と光学的可視化評価
真鍋健輔石川 篤神田岳文鶴田健二岡山大US2017-43
音響特性が異なる物質を交互に配置したフォノニック結晶は,超音波を自在に制御できる技術として注目されている.本研究では,水... [more] US2017-43
pp.67-69
WPT, MW
(共催)
2017-04-28
16:15
東京 機械振興会館地下2階1号室 マイクロ波帯における金属フォトニック結晶による点欠陥共振器のシミュレーションと測定
陳 春平・○謝 成龍鐵田大輔木川 駿穴田哲夫張 沢君神奈川大WPT2017-7 MW2017-7
本稿では,従来の金属フォトニック結晶(M-PhCs)点欠陥共振器の中心に金属円柱を装荷することにより,共振周波数を制御可... [more] WPT2017-7 MW2017-7
pp.29-34
OPE
(共催)
OCS, OFT
(併催) [詳細]
2017-02-17
09:55
大阪 大阪府立大(I-siteなんば) フォトニックバンドギャップファイバの表面モードの分散特性に及ぼす影響
小酒信昭久保田寛和三好悠司大橋正治阪府大OFT2016-50 OPE2016-167
中空コアフォトニックバンドギャップファイバ(PBGF)は光の伝搬媒質を空気とすることによって低損失,低分散な光ファイバの... [more] OFT2016-50 OPE2016-167
pp.29-32(OFT), pp.39-42(OPE)
SDM 2016-11-11
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイス開発に資するシミュレーション研究
望月和浩産総研SDM2016-85
ワイドバンドギャップ半導体である4H-SiCおよび2H-GaNを用いたパワーデバイスの開発に資する,市販プロセス・デバイ... [more] SDM2016-85
pp.37-42
ED 2016-01-20
13:55
東京 機械振興会館 [依頼講演]等価回路モデルを利用したレクテナRF-DC変換効率計算 ~ 大電力RFデバイスに適した半導体材料の検討 ~
大石敏之嘉数 誠佐賀大ED2015-116
Ga2O3やダイヤモンドなどのワイドバンドギャップ半導体が,レクテナ回路のRF-DC変換効率に与える影響を等価回路モデル... [more] ED2015-116
pp.25-29
SDM 2015-06-19
16:30
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]二層グラフェンのバンドギャップ形成と電極接触抵抗
野内 亮阪府大SDM2015-54
二層グラフェンは層間ポテンシャル差の導入によりバンドギャップが形成されるため,高い電荷キャリア易動度と相まって,スイッチ... [more] SDM2015-54
pp.87-92
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-28
15:40
愛知 豊橋技科大VBL棟 コランダム構造酸化物半導体の成長とMOSFET試作
伊藤義人金子健太郎・○藤田静雄京大ED2015-21 CPM2015-6 SDM2015-23
サファイア基板を用いたコランダム構造の酸化物半導体について、適切なバッファ層を導入しミストCVD法による成長条件を明らか... [more] ED2015-21 CPM2015-6 SDM2015-23
pp.27-30
SDM 2014-11-06
13:00
東京 機械振興会館 [招待講演]デバイス・シミュレーション ~ 30年間を振り返って ~
執行直之東芝SDM2014-100
TCADは,デバイス開発に必須なツールとなっている.仮想的な試作により,開発期間の短縮やプロセスばらつきに強いロバスト設... [more] SDM2014-100
pp.25-30
EMCJ, EST
(共催)
2014-09-12
15:15
北海道 北見工業大 テラヘルツ帯2次元フォトニック結晶共振器とその応用
鎌田克洋加藤丈政加藤紀樹陳 春平・○穴田哲夫神奈川大)・武田重喜アンテナ技研EMCJ2014-41 EST2014-55
THz波(周波数0.1 THz~10 THz)は光波と電波の境界に位置する帯域であり、双方の性質を併せ持つ周波数帯として... [more] EMCJ2014-41 EST2014-55
pp.57-62
MW, OPE, EMT, MWP, EST
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2014-07-18
10:00
北海道 室蘭工業大 2次元フォトニック結晶T字型分岐回路のシミュレーションと電磁波伝搬の制御
加藤丈政鎌田克洋加藤紀樹陳 春平穴田哲夫神奈川大)・武田重喜アンテナ技研MW2014-76 OPE2014-45 EST2014-37 MWP2014-34
次世代高度情報通信社会の実現に向けて,サブミリ波の本格的な利用のためには,電磁波発生を含めて超小型電磁波回路が必須である... [more] MW2014-76 OPE2014-45 EST2014-37 MWP2014-34
pp.169-174
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-29
15:55
愛知 名古屋大学VBL3階 デバイス応用に向けたコランダム構造酸化物半導体の電気特性評価
金子健太郎鈴木規央李 三東北島雅士赤岩和明藤田静雄京大
コランダム構造をもつ酸化物は現在のところ8種類存在するが, その中でも電気伝導性を有するものは少ない. α-In2O3は... [more]
OPE, OME
(共催)
2013-11-22
14:25
東京 機械振興会館 インピーダンス分光法による低分子系有機光電変換素子の特性制限要因の解析
柴 瀛村山龍平小島広孝松原亮介中村雅一奈良先端大OME2013-71 OPE2013-132
室内光エネルギーを効率よく、かつ、人間の目に暗さを感じさせずに回収する目的で、ワイドバンドギャップ半導体材料であるジビフ... [more] OME2013-71 OPE2013-132
pp.19-23
CPM 2013-08-01
14:30
北海道 釧路生涯学習センターまなぼっと幣舞 Si基板表面炭化によるCubic-SiC膜形成機構の考察
渡邉幸宗上村喜一信州大CPM2013-42
ワイドバンドギャップ材料のSiCは高耐圧素子向けに開発が盛んになされている.本研究では,比較的低温で形成できる立方晶構造... [more] CPM2013-42
pp.17-20
OFT 2013-05-24
09:55
沖縄 まりんぴあ宮古 広帯域空気コアフォトニックバンドギャップファイバの設計
松原一樹齊藤晋聖北大)・松尾昌一郎フジクラOFT2013-10
近年,空気コアフォトニックバンドギャップファイバ(PBGF)は魅力的な特徴を有することから注目を集めている.フォトニック... [more] OFT2013-10
pp.41-44
AP, WPT
(併催)
2012-08-27
11:25
新潟 新潟大学(駅南キャンパス 「ときめいと」) ループ型人工磁気導体のバンドギャップ特性
久世竜司堀 俊和藤元美俊福井大AP2012-71
完全磁気導体(PMC: Perfect Magnetic Conductor)特性を持つ人工磁気導体(AMC: Arti... [more] AP2012-71
pp.19-22
EMT, PN, LQE, OPE, MWP, EST
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2012-01-26
09:30
大阪 大阪大学コンベンションセンター FDTD法による3.5GHz帯EBG基板上逆FアンテナのSAR評価
盛田慎也平田晃正名工大PN2011-34 OPE2011-150 LQE2011-136 EST2011-84 MWP2011-52
無線機器の急速な普及により,電波の人体に与える影響に対して高い関心が寄せられている.携帯電話など,人体近傍における電波ば... [more] PN2011-34 OPE2011-150 LQE2011-136 EST2011-84 MWP2011-52
pp.5-9
EMCJ 2011-09-12
13:30
北海道 北海道大学 3.5GHz帯EBG基板上アンテナによる人体頭部SARの低減
池内 涼平田晃正名工大EMCJ2011-72
携帯電話に代表される無線通信の急速な普及に伴い,電波の人体防護に関心が寄せられている.携帯電話のアンテナ等,局所ばく露に... [more] EMCJ2011-72
pp.7-10
OFT 2011-05-26
13:00
鹿児島 屋久島環境文化村センター フォトニックバンドギャップファイバを用いた光カプラ作製に関する検討
菊池 雅東大)・久保田寛和NTT)・何 祖源保立和夫東大OFT2011-1
フォトニックバンドギャップファイバ(PBF)は中空のコアを持ち、低非線形性や温度安定性など従来のファイバにない特性を数多... [more] OFT2011-1
pp.1-4
OPE, EMT, LQE, PN
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2011-01-27
14:05
大阪 大阪大学 [招待講演]フォトニック結晶の最近の進展
野田 進京大PN2010-34 OPE2010-147 LQE2010-132
フォトニック結晶は,周知のように,周期的な屈折分布をもつ光ナノ構造を意味し,光の存在を禁止するフォトニックバンドギャップ... [more] PN2010-34 OPE2010-147 LQE2010-132
pp.47-48
SDM 2010-12-17
10:00
京都 京都大学(桂) MOSFETのしきい値電圧および理論計算から求めた<100>Siナノワイヤのバンドギャップ
吉岡裕典森岡直也須田 淳木本恒暢京大SDM2010-185
18 nmから4 nmの断面サイズ(断面積の平方根)の<100>SiナノワイヤMOSFETを作製し、電気的特性を評価した... [more] SDM2010-185
pp.1-6
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