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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2023-11-09 11:20 |
東京 | 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］GaN基板上GaN縦型パワーデバイスの研究開発の進展と今後の展望 ○須田 淳（名大）  SDM2023-63 |
GaN基板上に作製したGaN縦型パワーデバイスの研究開発の進展と今後の動向について述べる．GaN縦型パワーデバイスの設計... [more] | SDM2023-63 p.7 |
| SDM | 2023-11-10 14:40 |
東京 | 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］GaNの高電界物性の精密評価 ～ 衝突イオン化係数と絶縁破壊電界 ～ ○前田拓也（東大） SDM2023-72 |
パワーデバイスの耐圧シミュレーションや安全動作領域の予測には，正確な物性値を用いたデバイスシミュレーションが必要不可欠で... [more] | SDM2023-72 pp.41-46 |
| EE, OME, CPM (共催) |
2022-12-09 11:20 |
東京 | 機械振興会館 B3-1 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
ゲートドライバーICの1チップ化・高機能化に向けての検討 ○大串悠介・松本 聡（九工大） EE2022-22 CPM2022-77 OME2022-35 |
近年、電源の小型化に対して、高周波で高効率動作が実現できるGaNパワーデバイスが注目を集めている。本研究室では高周波で高... [more] | EE2022-22 CPM2022-77 OME2022-35 pp.18-23 |
| SDM | 2021-11-12 10:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］4H-SiCの高エネルギー輸送における一軸性応力の影響に関するフルバンドモンテカルロ解析 ○西村智也・永久克己・園田賢一郎・緒方 完（ルネサス エレクトロニクス） SDM2021-61 |
SiCは、パワーデバイス向けの次世代半導体材料として期待されており、一部はすでに実用化されている。しかし、その応力応答は... [more] | SDM2021-61 pp.43-46 |
| EE, IEE-SPC (連催) |
2021-07-20 09:55 |
ONLINE | オンライン開催 | SiC MOSFETのハーフブリッジ回路を用いた放射ノイズの支配的動作の分離に関する検討 ○只熊利弥（九大）・松高佑紀・鈴木 伸・上甲基信（三菱電機）・庄山正仁（九大） EE2021-11 |
パワーエレクトロニクス技術の向上にはパワーデバイス特性の向上は欠かせず、資源の有効利用のためには低損失の素子の進化は必須... [more] | EE2021-11 pp.21-25 |
| EE, OME, CPM (共催) |
2020-12-11 10:45 |
ONLINE | オンライン開催 | 部品内蔵基板技術を用いたパワーモジュールの紹介 ○林 繁宏・末吉晴樹・野北寛太（ふくおかアイスト）・韓 栄建・加藤義尚・末次 正（福岡大） EE2020-16 CPM2020-48 OME2020-1 |
電力変換・制御・電源のキーコンポーネントであるパワーエレクトロニクス機器はさらなる高電力密度化、低損失化が求められている... [more] | EE2020-16 CPM2020-48 OME2020-1 pp.1-6 |
| SDM | 2020-11-20 10:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］ゲート電圧波形の機械学習を用いたパワーデバイスの劣化推定 山崎大夢・宮崎耕太郎・羅 揚・イスラム マーフズル・畑 勝裕・桜井貴康・○高宮 真（東大） SDM2020-29 |
ゲート電圧波形から機械学習を用いてSiC MOSFETのボンディングワイヤ剥がれを検出する手法を提案した。本稿では、従来... [more] | SDM2020-29 pp.32-35 |
| SDM | 2019-11-08 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］トレンチゲート型Si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション ○渡辺正裕・執行直之・星井拓也・古川和由・角嶋邦之（東工大）・佐藤克己（三菱電機）・末代知子（東芝デバイス&ストレージ）・更屋拓哉・高倉俊彦・伊藤一夫・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔（東大）・宗田伊里也・若林 整（東工大）・中島 昭（産総研）・西澤伸一（九大）・筒井一生（東工大）・平本俊郎（東大）・大橋弘通・岩井 洋（東工大） SDM2019-77 |
トレンチゲート型シリコンIGBT(insulated gate bipolar transistor)の３次元TCADシ... [more] | SDM2019-77 pp.45-48 |
| LQE, OPE, CPM, EMD, R (共催) |
2019-08-22 16:00 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究 本館オープンセミナールーム（M153) | ［招待講演］SiC/GaNパワー・RFデバイス・イメージセンサにおける再活用を見据えた厚膜絶縁膜TDDB寿命統計の再考察 ○岡田健治（パナソニック・タワージャズセミコンダクター） R2019-25 EMD2019-23 CPM2019-24 OPE2019-52 LQE2019-30 |
注目を集めるSiC, GaNパワーデバイスで使用されるゲート絶縁膜やRF/MMIC、イメージセンサにおけるMIM容量絶縁... [more] | R2019-25 EMD2019-23 CPM2019-24 OPE2019-52 LQE2019-30 pp.29-34 |
| SDM | 2019-01-29 15:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減 ○更屋拓哉・伊藤一夫・高倉俊彦・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔（東大）・附田正則（北九州市環境エレクトロニクス研）・沼沢陽一郎（明大）・佐藤克己（三菱電機）・末代知子・齋藤 渉（東芝）・角嶋邦之・星井拓也・古川和由・渡辺正裕・執行直之・筒井一生・岩井 洋（東工大）・小椋厚志（明大）・西澤伸一（九大）・大村一郎（九工大）・大橋弘通（東工大）・平本俊郎（東大） SDM2018-90 |
スケーリング原理に基づく5Vゲート駆動1200V耐圧を有するSi-IGBT (Insulated Gate Bipola... [more] | SDM2018-90 pp.39-44 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-29 14:15 |
愛知 | 名古屋工業大学 | GaN-MOSFETにおけるGaN表面処理とゲート絶縁膜アニールによるチャネル移動度の改善 ○梶原瑛祐・新留 彩・彦坂年輝・蔵口雅彦（東芝）・吉岡 啓（東芝デバイス&ストレージ）・布上真也（東芝） ED2018-35 CPM2018-69 LQE2018-89 |
リセス構造型のノーマリオフGaN-MOSFETのチャネル移動度を改善したので報告する．これは，リセスエッチングで生じたG... [more] | ED2018-35 CPM2018-69 LQE2018-89 pp.13-16 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 09:00 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET ○細見大樹・古岡啓太・陳 珩・斉藤早紀・久保俊晴・江川孝志・三好実人（名工大） ED2018-41 CPM2018-75 LQE2018-95 |
新規AlGaNチャネルHFET構造として，バリア層に四元混晶AlGaInNを採用したAlGaInN/AlGaNヘテロ構造... [more] | ED2018-41 CPM2018-75 LQE2018-95 pp.41-44 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2018-05-24 15:50 |
愛知 | 豊橋技科大VBL | FZ-Siウエハにおける水素ドナーのアニール温度依存性 ○清井 明・中村勝光（三菱電機） ED2018-19 CPM2018-6 SDM2018-14 |
水素ドナー（HD）の発生機構を明らかにするために，HDおよび格子間Si対の発生，消滅挙動のアニール温度依存性を調べた。水... [more] | ED2018-19 CPM2018-6 SDM2018-14 pp.23-28 |
| ICD, CPSY, CAS (共催) |
2017-12-14 15:10 |
沖縄 | アートホテル石垣島 | Matrix Exponential法を用いたパワーMOSFETの過渡解析の高速化 ○亀井達也・熊代成孝・小林和淑（京都工繊大） CAS2017-87 ICD2017-75 CPSY2017-84 |
パワーデバイスの設計・開発において、シミュレーション時間の短縮が求められている。本研究では、デバイス過渡解析における正確... [more] | CAS2017-87 ICD2017-75 CPSY2017-84 pp.107-112 |
| SDM | 2017-11-10 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］行列指数法によるデバイス過渡シミュレーションの正確な時間刻み指標 ○熊代成孝・亀井達也・廣木 彰・小林和淑（京都工繊大） SDM2017-70 |
パワーデバイスの過渡シミュレーションの正確な時間刻み制御指標を提案する。本指標は行列指数法によって求められた、デバイス構... [more] | SDM2017-70 pp.47-52 |
| EE, WPT (共催) IEE-SPC (連催) [詳細] |
2017-07-28 09:10 |
東京 | 機械振興会館 | 電力パケットの双方向伝送のためのルータに関する検討 ○吉田直充（京大）・高橋 亮（愛知工科大）・引原隆士（京大） EE2017-21 WPT2017-26 |
パルス電力の電圧波形に直接情報をタグ付けし, 電力をパケット化して伝送するシステムの研究開発が行われている. このシステ... [more] | EE2017-21 WPT2017-26 pp.71-74 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-26 14:00 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | ［依頼講演］Si基板上GaNパワーデバイス ～ スイッチング及び高周波応用 ～ ○上田哲三・上本康裕・酒井啓之・田中 毅（パナソニック）・上田大助（京都工繊大） ED2016-96 MW2016-172 |
GaNトランジスタはスイッチング機器で使用される、いわゆるパワーデバイスとして、その実用化に向けての研究開発が積極的に行... [more] | ED2016-96 MW2016-172 pp.1-5 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-26 15:25 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | ［依頼講演］GaN縦型パワーデバイス実用化に向けた課題 ○須田 淳（京大） ED2016-99 MW2016-175 |
高耐圧，低オン抵抗の次世代パワーデバイスとしてGaN縦型パワーデバイスに期待が寄せられている．高性能デバイスの試作報告も... [more] | ED2016-99 MW2016-175 pp.17-18 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 15:20 |
京都 | 京大桂キャンパス | キャリア数によるGaN HEMT素子のコラプス評価 ○大麻浩平・吉岡 啓・齊藤泰伸・菊地拓雄・大黒達也・浜本毅司・杉山 亨（東芝） ED2016-62 CPM2016-95 LQE2016-78 |
GaNパワーデバイスが克服すべき課題の一つである電流コラプス現象に関して、新たな評価手法を検討した。従来の動的オン抵抗を... [more] | ED2016-62 CPM2016-95 LQE2016-78 pp.27-30 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-13 13:00 |
京都 | 京大桂キャンパス | コランダム構造n型およびp型ワイドギャップ酸化物半導体の結晶成長と応用 ○金子健太郎（京大）・人羅俊実（FLOSFIA）・藤田静雄（京大） ED2016-74 CPM2016-107 LQE2016-90 |
コランダム構造をもつワイドバンドギャップ半導体α-In2O3 (Eg= 3.7 eV)は酸素空孔や格子間インジウム等で電... [more] | ED2016-74 CPM2016-107 LQE2016-90 pp.85-88 |
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