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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD, SDM (共催) |
2010-08-27 16:25 |
北海道 | 札幌エルプラザ内男女共同参画センター | 極微FinFETおよびMulti-FinFETにおける特性ばらつき評価 ○柳 永勲・遠藤和彦・大内真一（産総研）・亀井貴弘（明大）・塚田順一・山内洋美・石川由紀（産総研）・林田哲郎（明大）・坂本邦博・松川 貴（産総研）・小椋厚志（明大）・昌原明植（産総研）  SDM2010-151 ICD2010-66 |
ゲート長を20 nmまでスケーリングした微細FinFETにおけるしきい値電圧(Vt)のばらつきを系統的に評価し，結晶異方... [more] | SDM2010-151 ICD2010-66 pp.149-154 |
| SDM | 2009-10-29 14:00 |
宮城 | 東北大学 | n+-、p+-Si領域に最適なシリサイドを用いた高電流駆動能力トランジスタ ○中尾幸久・黒田理人・田中宏明・寺本章伸・須川成利・大見忠弘（東北大） SDM2009-117 |
MOSFETにおけるソース・ドレイン電極の直列抵抗を低減するために、ソース・ドレイン領域に、低コンタクト抵抗を有するシリ... [more] | SDM2009-117 pp.1-6 |
| SDM | 2009-10-29 14:30 |
宮城 | 東北大学 | 2段階シリサイド化によるHf混晶化PtSiの耐熱性向上に関する検討 ○高 峻・石川純平・大見俊一郎（東工大） SDM2009-118 |
400℃/60 minで形成したPtxHfySiの耐熱性を改善するため、2段階シリサイド化プロセスに関する検討を行った。... [more] | SDM2009-118 pp.7-10 |
| OME | 2009-07-23 14:15 |
長野 | (財)加藤科学振興会軽井沢研修所 | 自己組織化単分子膜の有機EL素子への応用 ○森 竜雄・今西雅人・西野俊祐（名大） OME2009-31 |
ITO上に作製したフッ素化された自己組織化単分子膜(SAM) CF3(CF2)7(CH2)2Si(OC2H5)3 (F-... [more] | OME2009-31 pp.15-18 |
| SDM | 2008-10-10 13:30 |
宮城 | 東北大学 | Hf混晶化PtSiの仕事関数変調機構の検討 ○高 峻・石川純平・大見俊一郎（東工大） SDM2008-162 |
PtSiのn-Siに対する障壁高さを低減することを目的として、Hfとの混晶化によるPtSiの仕事関数変調に関する検討を行... [more] | SDM2008-162 pp.41-44 |
| ED | 2008-06-13 13:25 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | p-GaNショットキー接触のI-V,C-V特性 ～ キャリア濃度,金属仕事関数依存性 ～ ○福島慶広・荻須啓太・葛原正明・塩島謙次（福井大） ED2008-23 |
4種類のMgドーピング濃度の異なるp-GaN上に10種類の電極金属を用いてショットキー接触を形成し、I-V、C-V特性か... [more] | ED2008-23 pp.5-10 |
| SDM | 2008-06-10 10:30 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 ～ Ruの実効仕事関数変化の起源 ～ ○森 大樹・大田晃生・吉永博路・宮崎誠一（広島大）・門島 勝・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ） SDM2008-50 |
厚さ1~6nmのSiO2もしくは厚さ0.7nmのSiON上に、~2.5nmのHfSiONを形成後、仕事関数制御メタルとし... [more] | SDM2008-50 pp.47-52 |
| SDM | 2008-06-10 11:20 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるX線光電子分光分析 ～ Al拡散による実効仕事関数変化の緩和 ～ ○大田晃生・森 大樹・吉永博路・宮崎誠一（広島大）・門島 勝・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ） SDM2008-52 |
厚さ~2.5nmのHfSiON膜をSiO2(~1nm)/Si(100)上に形成後、仕事関数制御メタルとして厚さ~30nm... [more] | SDM2008-52 pp.59-64 |
| SDM | 2007-10-05 14:25 |
宮城 | 東北大学 | Hfとの混晶化によるPtSiの仕事関数制御 ○大見俊一郎・高 峻・仲野雄介（東工大） SDM2007-189 |
Hfとの混晶化によるPtSiの仕事関数制御に関する検討を行った。Pt/Hf/n-Si(100)積層構造を形成後に、窒素中... [more] | SDM2007-189 pp.53-56 |
| SDM | 2007-06-08 12:45 |
広島 | 広島大学（学士会館） | 熱処理雰囲気に依存したLaAlO3ゲート絶縁膜上メタルゲート電極の実効仕事関数評価 ○鈴木正道・土屋義規・小山正人（東芝） SDM2007-45 |
High-kゲート絶縁膜LaAlO3上の様々なメタルの実効仕事関数（Φeff）を系統的に評価し、その振る舞いをHfSiO... [more] | SDM2007-45 pp.75-80 |
| SDM | 2006-06-21 16:25 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | NiSi/SiO2界面近傍の化学結合状態およびNiSi 層の実効仕事関数評価 ○吉永博路・東 大介・村上秀樹・大田晃生・宗高勇気・東 清一郎・宮崎誠一（広島大）・青山敬幸・保坂公彦（富士通研）・芝原健太郎（広島大） |
不純物(Sb、As 、PおよびB)添加したNi-silicideを熱酸化シリコン酸化膜（SiO2）上に形成し、Si基板を... [more] | SDM2006-49 pp.43-48 |
| ED | 2005-12-22 13:35 |
東京 | 機械振興会館 | S-Kチャートによる電界放出デバイス評価技術 ○後藤康仁・辻 博司・石川順三（京大） |
S-Kチャートに対して描かれた等仕事関数線、等曲率半径線に対する検討を行った。異なる$k$の値(巨視的な電圧電界変換係数... [more] | ED2005-184 pp.11-14 |
| ICD, SDM (共催) |
2005-08-19 11:35 |
北海道 | 函館国際ホテル | poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト ～ SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果 ～ ○由上二郎（ルネサステクノロジ）・嶋本泰洋（日立）・井上真雄・水谷斉治・林 岳・志賀克哉・藤田文子・土本淳一・大野吉和・米田昌弘（ルネサステクノロジ） |
SiON/poly-Si界面に微量Hfを添加することにより、poly-Si電極の仕事関数変調が可能になる。我々は、本技術... [more] | SDM2005-149 ICD2005-88 pp.37-42 |
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