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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 12:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | SiO2埋め込みによる光導波構造を有するIII族窒化物面発光レーザ ○飯田涼介（名城大）・林 菜摘，村永 亘・岩山 章・竹内哲也・上山 智・岩谷素顕（名城大）・赤﨑 勇（名城大/名大）  ED2018-47 CPM2018-81 LQE2018-101 |
窒化物半導体面発光レーザのしきい値電流低減に向けて、SiO2埋め込みによる光導波構造を検討した。本論文では、まず、SiO... [more] | ED2018-47 CPM2018-81 LQE2018-101 pp.71-74 |
| SDM, EID (共催) |
2017-12-22 10:30 |
京都 | 京都大学 | 薄型結晶シリコン太陽電池に向けたナノインプリントテクスチャの光閉じ込め効果 ○中井雄也・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大） EID2017-11 SDM2017-72 |
薄型結晶シリコン太陽電池の実現には光吸収層内での光り閉じ込め効果が重要であり，光の多重反射を目的としたテクスチャを形成す... [more] | EID2017-11 SDM2017-72 pp.1-4 |
| MRIS, IEE-MAG (連催) |
2017-03-10 15:10 |
愛知 | 名古屋大学 | GeSbTe-Siマイクロ共振器を用いた2次元情報符号化素子の提案と動作実証 ○木原雄也・中村政輝・ソビ ファラビ・片岩大智（慶大）・桑原正史（産総研）・斎木敏治（慶大） MR2016-63 |
近年、インターネットやSNSの発展に伴い、情報量が年々膨大に増加している。その対策として情報保存量の増加のみでなく、情報... [more] | MR2016-63 pp.35-40 |
| OPE, LQE (共催) |
2016-06-17 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | 量子構造混晶化を用いたVCSELのキャリア及び光閉じ込めに関する研究 ○齋藤 季・森脇翔平・宮本智之（東工大） OPE2016-15 LQE2016-25 |
VCSELは二次元アレー・低消費電力・優れた生産性といった特徴を有し，広く実用されている．今後，VCSELは光無線給電と... [more] | OPE2016-15 LQE2016-25 pp.31-34 |
| LQE, LSJ (共催) |
2015-05-21 13:20 |
石川 | 金沢能楽美術館 | 電流注入形半導体薄膜分布反射型レーザの室温連続動作 ○平谷拓生・井上大輔・冨安高弘・厚地祐輝・福田 快・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大） LQE2015-1 |
近年のLSIは素子の微細化による高性能化を進める一方で、配線層上部のグローバル配線において、信号遅延や発熱などが問題とな... [more] | LQE2015-1 pp.1-6 |
| LQE | 2013-12-13 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | オンチップ光配線に向けた半導体薄膜レーザの消費電力検討 ○平谷拓生・土居恭平・厚地祐輝・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大） LQE2013-128 |
近年、LSIの微細化による配線遅延や発熱の影響が無視できなくなってきており、電気配線の光配線への代替が有望視されている。... [more] | LQE2013-128 pp.15-20 |
| LQE | 2013-12-13 13:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［奨励講演］オンチップ光配線に向けた半導体薄膜レーザの低しきい値動作への進展 ○進藤隆彦・二見充輝・土居恭平・平谷拓生・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大） LQE2013-130 |
LSI内のグローバル配線層の代替として、我々はこれまで半導体薄膜構造を用いたオンチップ光集積回路を提案してきた。オンチッ... [more] | LQE2013-130 pp.27-32 |
| LQE | 2012-12-13 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | GaInAsP/InP横方向電流注入型半導体薄膜レーザの低しきい値動作化 ○進藤隆彦・二見充輝・土居恭平・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大） LQE2012-123 |
LSIの微細化・高速化に伴い、素子間の配線におけるRC遅延や発熱といった問題が将来的にLSI全体の性能を律速すると懸念さ... [more] | LQE2012-123 pp.9-14 |
| LQE, CPM, EMD, OPE, R (共催) |
2012-08-23 15:15 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | GaInAsP/InP半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作と熱特性解析 ○土居恭平・進藤隆彦・二見充輝・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大） R2012-29 EMD2012-35 CPM2012-60 OPE2012-67 LQE2012-33 |
我々は、オンチップ光インターコネクション用の光源として半導体薄膜（membrane）DFBレーザを提案してきた。半導体薄... [more] | R2012-29 EMD2012-35 CPM2012-60 OPE2012-67 LQE2012-33 pp.41-46 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 13:50 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長 ○熊谷啓助・小路耕平・河合 剛・山根啓輔・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2011-10 CPM2011-17 SDM2011-23 |
格子整合系III-V-N/Siの発光素子構造において、Siと格子整合した低屈折率混晶があれば光閉じ込め構造作製に応用でき... [more] | ED2011-10 CPM2011-17 SDM2011-23 pp.49-54 |
| LQE | 2010-12-17 11:10 |
東京 | 機械振興会館 | a-Si表面回折格子を有する1550nm波長帯横方向電流注入型DFBレーザ ○進藤隆彦・奥村忠嗣・伊藤 瞳・小口貴之・高橋大佑・渥美裕樹・姜 ジュンヒョン・長部 亮・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大） LQE2010-118 |
LSIの高速化に伴い、現在のグローバル配線層における遅延や発熱といった問題が将来的にLSI全体の性能を律速すると懸念され... [more] | LQE2010-118 pp.17-22 |
| OPE | 2010-12-17 17:30 |
東京 | 機械振興会館地下3階2号室 | BCB貼付によるSi基板上GaInAsP細線導波路特性 ○前田泰奈・李 智恩・渥美裕樹・西山伸彦・荒井滋久（東工大） OPE2010-141 |
LSIの性能律速となりつつあるLSI内電気グローバル配線を代替するために極低消費電力かつ小型な光配線への期待が高まってい... [more] | OPE2010-141 pp.55-60 |
| OPE | 2007-02-16 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | ブラッグファイバの光閉じ込め効果による損失評価 ○左貝潤一（立命館大） |
ブラッグファイバの光閉じ込め効果に起因した光損失を、クラッド材損失、光ファイバ構造パラメータ、動作波長λ0の関数として定... [more] | OPE2006-164 pp.5-10 |
| OPE, LQE (共催) |
2006-06-30 09:45 |
東京 | 機械振興会館 | 凹凸形状回折格子を用いた半導体薄膜BH-DFBレーザ ○阪本真一・内藤秀幸・田村茂雄・丸山武男・荒井滋久（東工大） |
半導体薄膜活性層分離型DFBレーザは、光閉じ込め係数$\xi$と屈折率結合係数$\kappa$_{i}の増大により、低し... [more] | OPE2006-15 LQE2006-19 pp.1-6 |
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