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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因した電流コラプスに与える裏面電極とゲートフィールドプレートの影響の2次元解析 ○小野寺 啓・中島 敦・堀尾和重（芝浦工大）  ED2010-183 MW2010-143 |
バッファ層中に深いドナーと深いアクセプタを考慮したAlGaN/GaN HEMTの２次元過渡解析を行い，ゲートフィールドプ... [more] | ED2010-183 MW2010-143 pp.45-50 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-12 11:15 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | 低転位GaN基板上縦型HFET ○岡田政也・斎藤 雄・横山満徳・中田 健・八重樫誠司・片山浩二・上野昌紀・木山 誠・勝山 造・中村孝夫（住友電工） ED2010-157 CPM2010-123 LQE2010-113 |
再成長AlGaN/GaNの2次元電子ガスをチャネルとする低転位GaN基板上の縦型Heterojunction Field... [more] | ED2010-157 CPM2010-123 LQE2010-113 pp.67-70 |
| ED | 2010-06-17 14:25 |
石川 | 北陸先端大 | AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタにおける自己発熱による電子速度低下率の解析 ○鈴木寿一・田中成明（北陸先端大） ED2010-36 |
AlGaN/GaN ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET) は, 高電流駆動能力・高耐圧に基づく高出力動作が可能な能... [more] | ED2010-36 pp.17-20 |
| ED | 2010-06-17 14:50 |
石川 | 北陸先端大 | リセスゲートAlGaN/GaNヘテロ接合FETの電気的特性評価 ○向野美郷・山田直樹・徳田博邦・葛原正明（福井大） ED2010-37 |
BCl3ガスを用いたICP方式ドライエッチングを用いてリセスゲート構造AlGaN/GaN HEMTを試作した。ICPパワ... [more] | ED2010-37 pp.21-24 |
| ED | 2010-06-17 15:15 |
石川 | 北陸先端大 | 高周波・高出力AlGaN/GaN系HEMTの作製 ○山下良美・渡邊一世・遠藤 聡・広瀬信光・松井敏明（NICT）・三村高志（NICT/富士通研） ED2010-38 |
AlGaN/GaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)は高出力・高耐圧特性に優れるだけでなくミリ波帯(30-300 G... [more] | ED2010-38 pp.25-30 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 14:05 |
東京 | 機械振興会館 | HfO2/AlGaN/GaN MOSFETの過渡応答解析 ○林 慶寿・岸本 茂・水谷 孝（名大） ED2009-186 MW2009-169 |
時間を考慮したデバイスシミュレーションを行うことで、HfO2/AlGaN/GaN MOSFETにおいてHfO2/AlGa... [more] | ED2009-186 MW2009-169 pp.65-70 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 10:20 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価 ○市村幹也・三好実人・田中光浩（日本ガイシ）・江川孝志（名工大） ED2009-149 CPM2009-123 LQE2009-128 |
格子長とバンドギャップの独立制御が可能な四元混晶を障壁層とするInAlGaN/GaN HEMT構造のMOCVD成長および... [more] | ED2009-149 CPM2009-123 LQE2009-128 pp.99-103 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 11:20 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | ステップストレス測定によるAlGaN/GaN HFET電流コラプス解析 ○黒田健太郎・井川裕介・光山健太・敖 金平・大野泰夫（徳島大） ED2009-151 CPM2009-125 LQE2009-130 |
AlGaN/GaN HFETの電流コラプスは、ドレインバイアスによるデバイス内での局所的な負帯電が原因とされている。本研... [more] | ED2009-151 CPM2009-125 LQE2009-130 pp.109-114 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 14:00 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | Si基板上AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化 ○鈴江隆晃・ローレンス セルバラージ・江川孝志（名工大） ED2009-155 CPM2009-129 LQE2009-134 |
Si基板上AlGaN/GaN HEMTについて厚膜サンプルの特性評価を行った。耐圧測定を行ったところ、成長層膜厚の増加に... [more] | ED2009-155 CPM2009-129 LQE2009-134 pp.129-132 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 15:50 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 60 GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性 ○渡邊一世・遠藤 聡・山下良美・広瀬信光（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2009-159 CPM2009-133 LQE2009-138 |
AlGaN/GaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)は高出力・高耐圧特性に優れるだけでなくミリ波帯(30-300 G... [more] | ED2009-159 CPM2009-133 LQE2009-138 pp.151-155 |
| ED | 2009-07-30 15:50 |
大阪 | 大阪大学（銀杏会館） | オープンゲートAlGaN/GaN HFETの電解質溶液を介した電流制御 ○野崎兼史・高橋義也・敖 金平・大野泰夫（徳島大） ED2009-107 |
オープンゲートAlGaN/GaN HFETのゲート部を酸、アルカリなどの電解質溶液に浸け、電解質溶液に各種金属板を介して... [more] | ED2009-107 pp.29-32 |
| ED | 2009-06-11 16:25 |
東京 | 東京工業大学 | MIS構造AlGaN/GaN HFETにおける絶縁膜/AlGaN/GaN層構造設計によるデバイス高性能化 ○前田就彦・廣木正伸・榎木孝知（NTT）・小林 隆（NTT-AT） ED2009-42 |
MIS構造AlGaN/GaNヘテロ構造FET（HFET）の高性能化への指針を得るため、絶縁膜とAlGaN障壁層とを一体の... [more] | ED2009-42 pp.31-36 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性 ○遠藤 聡・渡邊一世・山下良美（NICT）・三村高志（NICT/富士通研）・松井敏明（NICT） ED2008-219 MW2008-184 |
SiN/SiO2/SiN三層絶縁膜を有するAlGaN/GaN系MIS-HEMT（metal-insulator-semi... [more] | ED2008-219 MW2008-184 pp.119-123 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 10:20 |
東京 | 機械振興会館 | In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET ○黒田正行・村田智洋・中澤敏志・瀧澤俊幸・西嶋将明・柳原 学・上田哲三・田中 毅（パナソニック） ED2008-220 MW2008-185 |
GaN系化合物半導体は大きな絶縁破壊電界と飽和電子速度を有するため、高周波高出力トランジスタとして有望である。AlGaN... [more] | ED2008-220 MW2008-185 pp.125-128 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 11:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | HfO2/AlGaN/GaN MOSFETのデバイスシミュレーション ～ HfO2/AlGaN界面の影響 ～ ○林 慶寿・杉浦 俊・岸本 茂・水谷 孝（名大） ED2008-175 CPM2008-124 LQE2008-119 |
HfO2/AlGaN/GaN MOSFETのシミュレーションを行い、デバイスの動作機構の解明及び界面トラップのデバイス特... [more] | ED2008-175 CPM2008-124 LQE2008-119 pp.115-120 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 13:05 |
愛知 | 名古屋工業大学 | ALD成膜HfO2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価 ○合田祐司・林 慶寿・大野雄高・岸本 茂・水谷 孝（名大） ED2008-176 CPM2008-125 LQE2008-120 |
ALDで成膜したHfO2をゲート酸化膜とするAlGaN/GaN MOSFETを作製し、特性評価を行った。HfO2の成膜温... [more] | ED2008-176 CPM2008-125 LQE2008-120 pp.121-124 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 13:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | p-InGaN cap層を用いたノーマリオフ型AlGaN/GaN HEMTs ○李 旭・黒内正仁・岸本 茂・水谷 孝（名大）・中村文彦（パウデック） ED2008-177 CPM2008-126 LQE2008-121 |
p-InGaN cap層を用いたAlGaN/GaN HEMTsを作製しデバイスの特性評価を行った。p-InGaN cap... [more] | ED2008-177 CPM2008-126 LQE2008-121 pp.125-130 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 15:45 |
愛知 | 名古屋工業大学 | AlGaN/GaNヘテロ構造における曲げ変形と2DEGのシミュレーション ○束原 肇・中村成志・奥村次徳（首都大東京） ED2008-182 CPM2008-131 LQE2008-126 |
AlGaN/GaNヘテロ構造にMEMS技術（マイクロオリガミ）を適用し，界面に生じる二次元電子ガス（2DEG）の影響を調... [more] | ED2008-182 CPM2008-131 LQE2008-126 pp.149-154 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 16:10 |
愛知 | 名古屋工業大学 | Pd/AlGaN/GaN HEMT型水素ガスセンサにおける水素検出メカニズムの検討 ○高橋紀行・中村成志・奥村次徳（首都大東京） ED2008-183 CPM2008-132 LQE2008-127 |
100ppm以下の水素濃度検知を目指し，ゲート電極にパラジウム(Pd)を用いたAlGaN/GaN 高電子移動度トランジス... [more] | ED2008-183 CPM2008-132 LQE2008-127 pp.155-159 |
| MW | 2008-08-28 14:20 |
大阪 | 大阪大学（豊中） | サファイア基板上準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC ○村田智洋・黒田正行（松下電器）・永井秀一（Panasonic Boston Lab.）・西嶋将明・石田秀俊・柳原 学・上田哲三・酒井啓之・田中 毅（松下電器）・Ming Li（Panasonic Boston Lab.） MW2008-85 |
サファイア基板上にAlGaN/GaN HFETとマイクロストリップ線路からなる整合回路を集積化した準ミリ波帯増幅器MMI... [more] | MW2008-85 pp.37-40 |
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