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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW | 2014-05-22 16:15 |
京都 | 同志社大 | 積層セラミックコンデンサの直流バイアス依存性を反映した等価回路モデルの作成方法 ○日高青路・櫻木 敦・菅谷弘之（村田製作所）  MW2014-34 |
積層セラミックコンデンサの直流バイアス依存性を反映した等価回路モデルの作成方法を提供する．作成方法は汎用的であり，他のコ... [more] | MW2014-34 pp.61-66 |
| VLD | 2014-03-05 13:50 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 薄膜BOX-SOIにおける動的なマルチVth技術に関する設計手法 ○三枝樹規・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2013-162 |
薄膜BOX-SOI（Silicon on Thin BOX:SOTB）はFD-SOIのデバイスの一つである。これは、電源... [more] | VLD2013-162 pp.153-158 |
| SDM | 2014-01-29 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］P/N駆動力バランスを考慮した基板バイアス制御による超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつき抑制 ○槇山秀樹・山本芳樹・篠原博文・岩松俊明・尾田秀一・杉井信之（超低電圧デバイス技研組合）・石橋孝一郎（電通大）・水谷朋子・平本俊郎（東大）・山口泰男（超低電圧デバイス技研組合） SDM2013-143 |
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧低減に有効である。しかし、超低電圧領域で... [more] | SDM2013-143 pp.35-38 |
| ED, MW (共催) |
2014-01-16 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［特別講演］抵抗でバイアス回路の影響を抑えた広帯域2段増幅器 ○吉川修平・石崎俊雄（龍谷大） ED2013-112 MW2013-177 |
2013年度学生マイクロ波回路製作コンテストのために設計試作した広帯域増幅器について報告する．今回トランジスタの種類・個... [more] | ED2013-112 MW2013-177 pp.15-18 |
| CPSY, VLD, RECONF (共催) IPSJ-SLDM (連催) [詳細] |
2013-01-16 17:00 |
神奈川 | 慶応義塾大学 日吉キャンパス | 薄膜BOX-SOIにおける基板バイアス効果を利用した動的なマルチVth設計の検討 ○網代慎也・工藤 優・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2012-120 CPSY2012-69 RECONF2012-74 |
薄膜BOX-SOI(Silicon on Thin BOX:SOTB)というFD-SOIデバイスは0.4Vという超低電圧... [more] | VLD2012-120 CPSY2012-69 RECONF2012-74 pp.75-80 |
| ED | 2012-12-18 12:05 |
宮城 | 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム | サブミリ波帯ゼロバイアス動作InP系SBDモジュール ○伊藤 弘（北里大）・村本好史（NTT）・山本 洋（北里大）・石橋忠夫（NEL） ED2012-107 |
サブミリ波帯においてゼロバイアスで動作する、InP系ショットキーバリアダイオード（SBD）モジュールを開発した。SBDに... [more] | ED2012-107 pp.77-82 |
| MW | 2012-12-13 13:30 |
山梨 | 山梨大学 | 独立バイアス形1.2-2.0GHz帯GaAs pHEMTカスコード電力増幅器MMIC ○田崎悟史・高山洋一郎・石川 亮・本城和彦（電通大） MW2012-127 |
カスコード回路構成において，二つのトランジスタの接続点にバイアス回路を設けることで各々のトランジスタの動作点を独立に設定... [more] | MW2012-127 pp.1-6 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2012-11-26 16:00 |
福岡 | 九州大学百年講堂 | ランダム・テレグラフ・ノイズに起因した組合せ回路遅延ゆらぎに対する基板バイアスの影響 ○松本高士（京大）・小林和淑（京都工繊大）・小野寺秀俊（京大） VLD2012-70 DC2012-36 |
近年のLSI素子の微細化により、NBTIおよび、RTNなどのゲート絶縁膜の信頼性が回路の信頼性に与える影響がますます深刻... [more] | VLD2012-70 DC2012-36 pp.63-68 |
| MW | 2012-10-18 09:00 |
栃木 | 宇都宮大学 | InGaP/GaAs HBTを用いた高効率低ひずみ独立バイアス形カスコード電力増幅器 ○高木裕貴・高山洋一郎・石川 亮・本城和彦（電通大） MW2012-81 |
カスコード回路構成において，両トランジスタ間に直流バイアスを給電することにより，各トランジスタに独立にバイアスを印加でき... [more] | MW2012-81 pp.1-6 |
| ICD, SDM (共催) |
2012-08-02 13:00 |
北海道 | 札幌市男女共同参画センター | ［依頼講演］超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI （SOTB) CMOS技術 ○杉井信之・岩松俊明・山本芳樹・槇山秀樹・角村貴昭・篠原博文・青野英樹・尾田秀一・蒲原史朗・山口泰男（超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス）・水谷朋子・平本俊郎（東大） SDM2012-68 ICD2012-36 |
CMOSの超低電力化への要求は相変わらず大きい．消費電力効率を出来るだけ高めた超低電圧動作CMOSデバイスが実現できれば... [more] | SDM2012-68 ICD2012-36 pp.29-32 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-29 09:45 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］超低電力応用に向けた薄膜BOX-SOI （SOTB) CMOS技術 ○杉井信之・岩松俊明・山本芳樹・槇山秀樹・角村貴昭・篠原博文・青野英樹・尾田秀一・蒲原史朗・山口泰男（超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス）・水谷朋子・平本俊郎（東大） |
低電力CMOSデバイスへの要求は今でも高い。消費電力効率の高い超低電圧動作CMOSが実現すると、ユビキタスセンサネットワ... [more] | |
| VLD | 2012-03-07 16:05 |
大分 | ビーコンプラザ | パワースイッチの基板電圧選択制御によるサブスレッショルド回路のリークエネルギー低減化 ○三橋 遼・工藤 優・太田雄也・宇佐美公良（芝浦工大） VLD2011-144 |
リークエネルギーを低減する技術の一つであるパワーゲーティング(PG)は、挿入するパワースイッチ(PS)の閾値にリークエネ... [more] | VLD2011-144 pp.145-150 |
| ICD | 2011-12-15 16:10 |
大阪 | 大阪大学会館 | ［ポスター講演］スリープ深度制御による動作時リーク電力削減 ○武田清大・三輪 忍・中村 宏（東大） ICD2011-114 |
製造プロセスの微細化にともないリーク電力は増加しており，VLSI回路設計においてリーク電力の削減は必須である．スタンバイ... [more] | ICD2011-114 p.69 |
| ICD | 2011-12-16 14:25 |
大阪 | 大阪大学会館 | チップ間ばらつき及びチップ内ばらつきを抑制する基板バイアス制御回路を備えた0.42-V 576-Kb 0.15-μm FD-SOI 7T/14T SRAM ○吉本秀輔・山口幸介・奥村俊介・吉本雅彦・川口 博（神戸大） ICD2011-133 |
本論文では，チップ内ばらつき及びチップ間ばらつきを抑制する，基板バイアス制御回路を備えた7T/14T SRAMを提案する... [more] | ICD2011-133 pp.155-160 |
| ED | 2011-12-14 16:15 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 | 広帯域アンテナ集積一体型三重障壁共鳴トンネルダイオードを用いたゼロバイアス検波特性の非線形解析 ○高萩 智・斉藤光史・須原理彦（首都大東京） ED2011-106 |
テラヘルツ帯における検波素子の小型化・低消費電力化を実現するには、検波素子への直流バイアスの印加を不要にする「ゼロバイア... [more] | ED2011-106 pp.35-40 |
| MW | 2011-10-20 10:15 |
東京 | 電気通信大学 | InGaP/GaAs HBTを用いた独立バイアス形カスコード電力増幅器 MMIC ○高木裕貴・高山洋一郎・石川 亮・本城和彦（電通大） MW2011-87 |
カスコード回路構成において，両トランジスタ間に直流バイアスを給電することにより，トランジスタ間のバイアスを安定化させ，ト... [more] | MW2011-87 pp.11-15 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2011-07-21 09:55 |
広島 | 広島工業大学 | 基板バイアス制御を用いた超低電圧センスアンプ回路の高速化 ○増田長太郎・廣瀬哲也・大崎勇士・黒木修隆・沼 昌宏（神戸大） ICD2011-22 |
本研究は，センスアンプの性能向上を目的とし，消費電力を増加させることなく 高速動作を実現する手法を提案する．提案するセ... [more] |
ICD2011-22 pp.7-12 |
| ICD | 2010-12-17 16:40 |
東京 | 東京大学 先端科学技術研究センター | 起動回路に向けた基板順バイアス型0.18-V入力チャージポンプ回路 ○陳 柏宏・石田光一・張 信（東大）・大熊康介・劉 良勝（半導体理工学研究センター）・高宮 真・桜井貴康（東大） ICD2010-128 |
本論文では、0.18-V入力基板順バイアス型三段チャージポンプ回路を提案した。本回路はチャージポンプを構成する全てのトラ... [more] | ICD2010-128 pp.169-173 |
| OCS | 2010-07-29 12:45 |
静岡 | ニューウェルシティ湯河原 | 2並列Mach-Zehnder変調器を用いた任意光波形生成のための自動バイアス制御 ○吉田 剛・杉原隆嗣・宇藤健一・別所浩資・澤田和重・石田和行・水落隆司（三菱電機） OCS2010-24 |
直交周波数分割多重信号，直交振幅変調信号，予等化信号などの任意の光電界を生成するために2並列Mach-Zehnder変調... [more] | OCS2010-24 pp.1-6 |
| ICD | 2010-04-22 09:50 |
神奈川 | 湘南工大 | ［招待講演］回路およびデバイス工夫による極低電圧動作SRAMの実現 ～ 非対称MOSFETおよびフォワードボディーバイアス技術を用いた0.5V 100MHz PD-SOI SRAMの開発 ～ ○新居浩二・薮内 誠・塚本康正・平野有一・岩松俊明・木原雄治（ルネサス エレクトロニクス） ICD2010-2 |
回路及びデバイス工夫により、0.5V極低電圧で動作可能なSRAMを開発した。微細化と共にSRAMの動作下限電圧(VCCm... [more] | ICD2010-2 pp.7-12 |
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