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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| RCS, SR, SRW (併催) |
2013-02-27 13:20 |
東京 | 早稲田大学 | DFT-Precoded OFDMAにおける繰り返し判定帰還チャネル推定を用いたときのDistributed送信と周波数スケジューリングを用いるLocalized送信の特性比較 ○美和啓太（東京都市大）・川村輝雄・三木信彦（NTTドコモ）・佐和橋 衛（東京都市大）  RCS2012-316 |
本稿では，Discrete Fourier Transform (DFT)-precoded Orthogonal Fr... [more] | RCS2012-316 pp.195-200 |
| RCS, SR, SRW (併催) |
2013-02-27 14:00 |
東京 | 早稲田大学 | DFT-Precoded OFDMAにおける適応アンテナ選択を用いるコードブックベースの送信ダイバーシチの特性評価 ○沼田英之（東京都市大）・川村輝雄（NTTドコモ）・田岡秀和（ドコモ欧州研）・佐和橋 衛（東京都市大） RCS2012-318 |
本稿では，Discrete Fourier Transform (DFT)-precoded Orthogonal Fr... [more] | RCS2012-318 pp.207-212 |
| SIP, RCS (共催) |
2013-02-01 10:15 |
広島 | ビューポートくれ（呉） | DFT-Precoded OFDMAにおける適応アンテナ選択を用いるSTBCのブロック誤り率特性 ○沼田英之（東京都市大）・川村輝雄（NTTドコモ）・田岡秀和（ドコモ欧州研）・佐和橋 衛（東京都市大） SIP2012-115 RCS2012-272 |
本稿では，Discrete Fourier Transform (DFT)-precoded Orthogonal Fr... [more] | SIP2012-115 RCS2012-272 pp.201-206 |
| OME, OPE (共催) |
2012-11-16 13:55 |
東京 | 機械振興会館 | EFI-SHG法によるフレキシブル有機トランジスタの特性評価 ～ 曲げ変形の効果 ～ ○阿部洋平・田口 大・間中孝彰・岩本光正（東工大） OME2012-57 OPE2012-129 |
有機半導体層をtips-pentacene、ゲート絶縁膜をポリイミドとしたフレキシブルトランジスタを作製し、曲げ変形によ... [more] | OME2012-57 OPE2012-129 pp.13-18 |
| SDM | 2012-11-16 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | 20nm以細MOSFETの実効移動度モデルの反転層電荷閉じ込めを考慮した評価 ○山本真大・廣木 彰・尹 鍾鐵（京都工繊大） SDM2012-104 |
ITRSでMOSデバイスの電気特性の計算に用いられるプログラムMASTARの電子実効移動度モデルの精度を評価した。評価方... [more] | SDM2012-104 pp.25-30 |
| CPM | 2012-10-26 13:25 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | H2-O2触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてサファイア基板上に堆積したZnO薄膜の電気伝導特性の解析 ○永冨瑛智・山口直也・竹内智彦・里本宗一・加藤孝弘・安井寛治（長岡技科大） CPM2012-93 |
白金ナノ粒子表面での水素と酸素の発熱反応を利用して高エネルギーH_2Oを生成、アルキル亜鉛ガスと気相中で反応させ形成した... [more] | CPM2012-93 pp.1-5 |
| ED | 2012-04-18 13:50 |
山形 | 山形大学工学部 百周年記念会館大会議室 | F4TCNQのP3HT膜へのドーピングとそれを用いた有機薄膜トランジスタ ○但木大介・馬 騰・張 晋逾・飯野祥平・木村康男・庭野道夫（東北大） ED2012-3 |
近年、有機薄膜トランジスタ(OTFT)に関する研究が盛んに行われている。OTFTは、軽量で柔軟性を持った大面積デバイスを... [more] | ED2012-3 pp.9-13 |
| OME, IEE-DEI (連催) |
2012-01-20 14:20 |
愛知 | 名古屋大学 | 紫外光照射下における酸化チタン薄膜の電子と正孔の移動度 ○渡邉悠介・村本裕二・清水教之（名城大） OME2011-75 |
酸化チタン(TiO2)は紫外光を吸収することで、光触媒として働く。これは紫外光によって価電子帯の電子が伝導帯に励起される... [more] | OME2011-75 pp.35-39 |
| ED | 2011-12-15 10:45 |
宮城 | 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 | テラヘルツ及び赤外ー紫外分光を用いた有機導電性高分子PEDOT:PSSのキャリア輸送特性評価 ○山下将嗣・大谷知行（理研）・奥崎秀典（山梨大） ED2011-111 |
テラヘルツ波を用いた導電性高分子薄膜のキャリア輸送特性非破壊評価法の開発を目指して開発を進めている。本研究では、テラヘル... [more] | ED2011-111 pp.63-67 |
| OME | 2011-01-19 14:15 |
愛知 | 愛知工業大学 本山キャンパス | 紫外光照射下における酸化チタン薄膜の電子的特性 ○渡辺悠介・村本裕二・清水教之（名城大） OME2010-66 |
酸化チタン(TiO2)は紫外光を吸収することで、光触媒として働く。これは紫外光によって価電子帯の電子が伝導帯に励起される... [more] | OME2010-66 pp.39-43 |
| SDM | 2010-06-22 10:20 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | キャリア移動度評価によるシリコンナノワイヤトランジスタの電気特性解析 ○佐藤創志・角嶋邦之・パールハット アヘメト（東工大）・大毛利健治（早大）・名取研二・岩井 洋（東工大）・山田啓作（早大） SDM2010-35 |
高いON電流と低いOFF電流を併せ持つことによる低電源電圧・低消費電力デバイスとしてシリコンナノワイヤトランジスタ(Si... [more] | SDM2010-35 pp.11-16 |
| ED | 2010-04-22 10:50 |
山形 | 伝国の杜（米沢） | 非晶質膜内の分子配向と有機ELの素子特性 ○横山大輔（山形大）・安達千波矢（九大）・城戸淳二（山形大） ED2010-3 |
有機EL素子において一般的に用いられる有機非晶質膜に焦点を当て、その膜中における分子配向が有機EL素子の電荷輸送特性に与... [more] | ED2010-3 pp.7-10 |
| ED | 2010-04-23 10:45 |
山形 | 伝国の杜（米沢） | 有機ゲート絶縁膜を用いたFETの試作とキャリア輸送特性評価 ○橋本将貴・鈴木貴彦・廣瀬文彦（山形大） ED2010-14 |
我々は多結晶Si中の粒界の電荷輸送への影響を調査するために、150ºC以下でSiFETを低温形成し電気特性評価... [more] | ED2010-14 pp.61-65 |
| RCS, AN, MoNA, SR (併催) |
2010-03-05 14:30 |
神奈川 | YRP | 3重対角行列近似を用いたFDEの特性評価 ○齊藤敬佑・西村寿彦・大鐘武雄・小川恭孝（北大） RCS2009-333 |
シングルキャリア伝送における周波数選択性フェージング対策として，周波数領域等化(FDE)，繰り返し復号を応用した周波数領... [more] | RCS2009-333 pp.443-448 |
| SDM | 2009-11-13 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪みSiGe/Si-pMOSFETのキャリア輸送特性解析 ○竹田 裕（NECエレクトロニクス）・河田道人（NEC情報システムズ）・竹内 潔・羽根正巳（NECエレクトロニクス） SDM2009-144 |
歪みSiGe/SiチャネルpMOSFETのキャリア輸送特性をフルバンド・デバイスシミュレーションにより解析し、最適なSi... [more] | SDM2009-144 pp.49-53 |
| OME | 2009-10-23 16:20 |
大阪 | 中央電気倶楽部 ２１４号室 | 特異的な分子間相互作用を導入したディスコチック液晶性半導体のキャリア移動度特性 ○三宅康雄（産総研/阪大）・物部浩達（産総研）・胡 平・趙 可清（四川師範大）・藤井彰彦・尾崎雅則（阪大）・清水 洋（産総研） OME2009-52 |
ディスコチック液晶の高配向秩序カラムナー相においてアモルファスシリコンに匹敵する高キャリア移動度(~10-1 cm2/V... [more] | OME2009-52 pp.65-70 |
| NS, RCS (併催) |
2009-07-17 17:00 |
北海道 | 北海道大学 | 3重対角行列近似によるFDEの高速フェージング対策 ○齊藤敬佑・西村寿彦・大鐘武雄・小川恭孝（北大） RCS2009-73 |
シングルキャリア伝送における周波数選択性フェージング対策として，周波数領域等化(FDE)，繰り返し復号を応用した周波数領... [more] | RCS2009-73 pp.119-124 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-16 15:50 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とTinvスケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン 後藤正和・○川中 繁・犬宮誠治・楠 直樹・齋藤真澄・辰村光介・木下敦寛・稲葉 聡・豊島義明（東芝） SDM2009-107 ICD2009-23 |
Tinvスケーリングとチャネル内キャリア移動度劣化のトレードオフに関し、極微細MOSFETを用いた実験データに基づき解析... [more] | SDM2009-107 ICD2009-23 pp.53-56 |
| ED | 2009-04-23 13:30 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | ［招待講演］有機多結晶薄膜トランジスタにおけるキャリア輸送の制限要因 ○中村雅一（千葉大） ED2009-2 |
著者らは、電極の影響を排除して電界効果キャリア移動度を評価できる四探針電界効果測定、および、高空間分解能精密電位分布評価... [more] | ED2009-2 pp.7-11 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-11 13:35 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | Electrical Properties of Highly Crystallized Ge:H Thin Films Grown from VHF Inductively-Coupled Plasma of H2-diluted GeH4 ○Hirotaka Kaku・Katsunori Makihara・Mitsuhisa Ikeda・Seiichiro Higashi・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.） ED2008-90 SDM2008-109 |
[more] | ED2008-90 SDM2008-109 pp.271-274 |
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