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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| WPT | 2023-11-10 14:50 |
東京 | 八丈町商工会 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］学生手作りストレートラジオによるアナログAM放送受信 ○大平 孝（豊橋技科大）  WPT2023-29 |
ワイヤレス電力伝送はキロヘルツ帯のみならずメガヘルツ帯やギガヘルツ帯へスペクトル範囲が広がりつつある。高周波帯を用いるワ... [more] | WPT2023-29 p.32 |
| OME | 2023-11-01 15:10 |
兵庫 | じばさんびる 502会議室（姫路） | ［招待講演］金属／絶縁体／有機半導体／金属接合における熱平衡および非熱平衡型電荷抽出 ○田島裕之・小田丈志（兵庫県立大）・角屋智史（甲南大） OME2023-47 |
本論文では金属/絶縁体/有機半導体/金属（MIOM）型接合コンデンサーが示す非熱平衡型電荷抽出の概念と実験的証拠について... [more] | OME2023-47 pp.21-26 |
| OME | 2022-01-07 14:05 |
大阪 | 中央電気俱楽部 ２１３号室 | nチャネル高分子トランジスタを用いた有機フローティングゲートメモリのデバイス特性 ○西田直之・服部励太郎・永瀬 隆・安達天規・森川和慶・小林隆史・内藤裕義（阪府大） OME2021-48 |
高分子半導体をチャネルとするトップゲート有機電界効果トランジスタ (有機FET) に高分子絶縁体 (PMMA) と可溶性... [more] | OME2021-48 pp.4-8 |
| SDM | 2019-11-08 09:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］強誘電体電界効果トランジスタの動的挙動のデバイスシミュレーション ○服部淳一・池上 努・福田浩一・太田裕之・右田真司・浅井栄大（産総研） SDM2019-74 |
ゲート・スタックに有する強誘電体膜の特性を利用する強誘電体電界効果トランジスタについて，その非定常状態における振る舞いを... [more] | SDM2019-74 pp.27-32 |
| SDM | 2018-11-09 14:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］強誘電体の負性容量を用いたトランジスタのデバイスシミュレーション ○服部淳一・池上 努・福田浩一・太田裕之・右田真司・浅井栄大（産総研） SDM2018-74 |
ゲート絶縁膜の一つに強誘電体膜を持ち，その負性容量状態を利用する負性容量トランジスタについて，その振る舞いをシミュレーシ... [more] | SDM2018-74 pp.47-52 |
| SDM | 2017-01-30 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］等電子トラップ技術によるオン電流増大に伴う相補型トンネルトランジスタ回路の性能向上 ○森 貴洋・浅井栄大・服部淳一・福田浩一・大塚慎太郎・森田行則・大内真一・更田裕司・右田真司・水林 亘・太田裕之・松川 貴（産総研） SDM2016-130 |
我々は等電子トラップ(IET)技術を用いて，シリコントンネルトランジスタ(TFET)による相補的回路の性能を改善した．I... [more] | SDM2016-130 pp.1-4 |
| SDM | 2016-06-29 16:20 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | ［依頼講演］自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた低電圧駆動MoS2 FETの作製 ○川那子高暢・小田俊理（東工大） SDM2016-45 |
自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた低電圧駆動MoS2 FETsについて報告する。ゲート絶縁膜は酸素プラズマによって... [more] | SDM2016-45 pp.69-74 |
| SDM | 2016-01-28 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］ファンデルワールス接合の作製と量子輸送現象 ○町田友樹・守谷 頼・佐田洋太・山口健洋・荒井美穂・矢吹直人・森川 生・増渕 覚（東大）・上野啓司（埼玉大） SDM2015-123 |
グラフェンや二次元層状物質をファンデルワールス力で積層した、ファンデルワールス接合を用いた新機能素子実現の試みについて述... [more] | SDM2015-123 pp.13-16 |
| ED | 2016-01-20 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術 ○東脇正高・ワン マンホイ・小西敬太（NICT）・佐々木公平（タムラ/NICT）・後藤 健（タムラ/東京農工大）・野村一城・ティユ クァン トゥ・富樫理恵・村上 尚・熊谷義直・Bo Monemar・纐纈明伯（東京農工大）・倉又朗人・増井建和・山腰茂伸（タムラ） ED2015-114 |
酸化ガリウム (Ga{$_{2}$}O{$_{3}$}) は，パワーデバイス用途に適した優れた物性を有する酸化物半導体で... [more] | ED2015-114 pp.13-18 |
| OME | 2015-10-23 15:50 |
大阪 | 大阪大学中之島センター | 混合溶媒による塗布型有機トランジスタの高移動度化および低閾値電圧化 ○中道諒介・永瀬 隆・小林隆史（阪府大）・貞光雄一（日本化薬）・内藤裕義（阪府大） OME2015-58 |
有機電界効果トランジスタ（OFET）の電気的特性（移動度、閾値電圧）の制御はOFETの実用化に向け重要である。OFETの... [more] | OME2015-58 pp.43-46 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-04 13:05 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | ［招待講演］急峻スイッチング素子の研究動向とTFETにおけるオン電流向上策 ○森 貴洋・森田行則・右田真司・水林 亘・福田浩一・宮田典幸・安田哲二・昌原明植・太田裕之（産総研） SDM2014-67 ICD2014-36 |
低電圧動作可能な急峻スイッチング素子が注目を集めている。本論文では急峻スイッチング素子の研究動向を概観する。その中でも最... [more] | SDM2014-67 ICD2014-36 pp.29-34 |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2014-01-25 11:06 |
新潟 | 新潟大学 駅南キャンパス | 有機薄膜トランジスタにおける電界効果移動度の温度依存性の考察 ○松本竜也・金 丞謙・服部励治（九大） EID2013-29 |
有機薄膜トランジスタにおける有機半導体層へのキャリア注入機構を明らかとするため，電界効果移動度と，有機半導体と金属電極と... [more] | EID2013-29 pp.117-120 |
| ED, MW (共催) |
2014-01-16 11:45 |
東京 | 機械振興会館 | Siイオン注入を用いて作製したディプレッション型酸化ガリウムMOSFET ○東脇正高（NICT）・佐々木公平（タムラ製作所/NICT）・ワン マンホイ・上村崇史・ダイワシガマニ キルシナムルティ（NICT）・倉又朗人（タムラ製作所）・増井建和（光波）・山腰茂伸（タムラ） ED2013-116 MW2013-181 |
我々は，新たに開発したSiイオン注入技術を用いてディプレッション型Ga2O3 MOSFETを作製した．今回作製したデバイ... [more] | ED2013-116 MW2013-181 pp.35-39 |
| ED, MW (共催) |
2014-01-17 09:30 |
東京 | 機械振興会館 | 低転位GaN基板上縦型ショットキバリアダイオードとHFETの特性評価 ○吉本 晋・石原邦亮・岡田政也・住吉和英・平野英則・三橋史典・善積祐介・石塚貴司・木山 誠・上野昌紀（住友電工） ED2013-124 MW2013-189 |
窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスは、GaN基板を用いた縦型構造を採用することで、コラプス抑制や低オン抵抗、また高い面... [more] | ED2013-124 MW2013-189 pp.79-84 |
| OME | 2013-10-11 10:40 |
大阪 | 阪大中之島センター | 有機トランジスタを使用したRFID用アクティブアンテナの作製 ○長谷川 奨・磯田俊介・橋詰貴裕・山内 博・國吉繁一・酒井正俊・工藤一浩・飯塚正明（千葉大） OME2013-53 |
本研究では、低コストな印刷プロセスに向けたRFIDタグの作製に向け、段差型有機トランジスタとアンテナを一体化したRFID... [more] | OME2013-53 pp.11-16 |
| OME | 2013-03-08 14:00 |
東京 | 機械振興会館 B1-2 | 新しい有機半導体分子の設計と有機電界効果トランジスタへの応用 ○中野幸司（東京農工大/JST）・茶山奈津子・チョン ミンアン・児玉俊輔・野崎京子（東大） OME2012-108 |
新しい有機半導体材料の開発を目指し，フラン環が縮環骨格に組み込まれたヘテロアセン，ジベンゾ[d,d']ベンゾ[1,2-b... [more] | OME2012-108 pp.13-16 |
| OME, OPE (共催) |
2012-11-16 13:55 |
東京 | 機械振興会館 | EFI-SHG法によるフレキシブル有機トランジスタの特性評価 ～ 曲げ変形の効果 ～ ○阿部洋平・田口 大・間中孝彰・岩本光正（東工大） OME2012-57 OPE2012-129 |
有機半導体層をtips-pentacene、ゲート絶縁膜をポリイミドとしたフレキシブルトランジスタを作製し、曲げ変形によ... [more] | OME2012-57 OPE2012-129 pp.13-18 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 11:45 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］Plasmonic Terahertz Wave Detectors Based on Silicon Field-Effect Transistors ○Kyung Rok Kim・Min Woo Ryu・Sunhae Shin・Hee Cheol Hwang・Kibog Park（UNIST） |
We report the first implementation of a modeling and simulat... [more] | |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 13:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Investigation and Optimization of the n-channel and p-channel L-shaped Tunneling Field-Effect Transistors ○Sang Wan Kim（Seoul National Univ.）・Woo Young Choi（Sogang Univ.）・Min-Chul Sun・Hyun Woo Kim・Byung-Gook Park（Seoul National Univ.） |
Tunneling field-effect transistors (TFETs) have been regarde... [more] | |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-28 10:40 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［ポスター講演］Rigorous Design for Gate-Dielectric and n-Pocket Region of Tunneling Field-Effect Transistors and Its High Performances. ○Jae Hwa Seo・Jae Sung Lee・Yun Soo Park・Jung-Hee Lee・In Man Kang（Kyunpook Nat'l Univ.） |
A gate-all-around tunneling field-effect transistor (GAA TFE... [more] | |
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