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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| WPT (第二種研究会) |
2022-12-05 - 2022-12-06 |
京都 | 京都大学（宇治キャンパス） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
A 29 GHz band rectenna with a high impedance wire-loop antenna. ○Naoki Sakai・Naoya Kakutani・Keisuke Noguchi・Kenji Itoh（Kanazawa IT） |
This paper proposes the millimeter wave (MMW) rectenna confi... [more] | |
| WPT (第二種研究会) |
2022-12-05 - 2022-12-06 |
京都 | 京都大学（宇治キャンパス） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
Field-Plate Length Dependence of 2.4-GHz Rectification Characteristics of Gated-Anode GaN HEMT Based Diode ○Gen Taguchi・Naoya Kishimoto・Youichi Tsuchiya・Debaleen Biswasa・Ma Qiang（Nagoya Inst. of Tech.）・Yuji Ando・Hidemasa Takahashi（Nagoya Univ）・Kenji Itoh・Naoki Sakai（Kanazawa Inst. of Tech）・Akio Wakejima（Nagoya Inst. of Tech.） |
We demonstrate field-plate (FP) length dependence of 2.4-GHz... [more] | |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-24 14:35 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
低周波Y22パラメータ測定によるGaN HEMT中のFeトラップ評価 ○西田大生・大石敏之（佐賀大）・大塚友絢・山口裕太郎・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機）  ED2022-34 CPM2022-59 LQE2022-67 |
GaNを使った増幅器の性能向上に対する課題のひとつにトラップの性質解明がある．今回，回路設計と整合性の良い低周波$Y$パ... [more] | ED2022-34 CPM2022-59 LQE2022-67 pp.49-52 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-24 15:45 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
リセス構造形成後表面処理を施したAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価 ○戸田圭太郎・久保俊晴・江川孝志（名工大） ED2022-37 CPM2022-62 LQE2022-70 |
ALD-SiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたゲートリセス構造を有するノーマリオフ型AlGaN/GaN MIS-HEM... [more] | ED2022-37 CPM2022-62 LQE2022-70 pp.61-64 |
| MW | 2022-11-15 11:15 |
長崎 | 福江文化会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
1ポートCRLH線路の分散制御による高効率電力増幅器の帯域改善 ○最上椋太・辻 恵梨・田中愼一（芝浦工大） MW2022-110 |
我々はこれまで，高調波処理回路として1ポート構成の右手／左手系複合（CRLH）線路を用いる電力増幅器を提案してきた．増幅... [more] | MW2022-110 pp.7-12 |
| MW | 2022-11-16 09:30 |
長崎 | 福江文化会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
ワイヤ・ループアンテナを用いる28GHz帯高効率レクテナ ○坂井尚貴・角谷直哉・野口啓介・伊東健治（金沢工大） MW2022-121 |
本稿は高整流効率を実現するワイヤ・ループアンテナを用いる28GHz帯レクテナの構造を提案する．提案する構造は微小ループア... [more] | MW2022-121 pp.67-72 |
| MW, WPT (共催) |
2022-04-15 15:15 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
SiC基板及びGaN基板上に形成されたAlGaN/GaN HEMTの歪特性比較 森脇 淳，○原 信二（名大） WPT2022-10 MW2022-10 |
本報告では、GaN HEMT特有の電流コラプスが線形性に与える影響を評価する為の相互変調歪(IMD)測定方法の提案並びに... [more] | WPT2022-10 MW2022-10 pp.35-39 |
| MW | 2022-03-03 11:25 |
ONLINE | オンライン開催 | 放熱機能を有するアンテナを用いる5.8GHz帯5Wレクテナ ○小松郁弥・桔川洸一・麦谷彰彦・坂井尚貴・伊東健治（金沢工大） MW2021-117 |
本報告では，放熱機能を有するアンテナを用いる5.8GHz帯5Wレクテナについて報告する．先端短絡スタブ装荷高インピーダン... [more] | MW2021-117 pp.36-41 |
| ED, MW (共催) |
2022-01-27 13:40 |
ONLINE | オンライン開催 | 3次相互変調歪み周波数における負荷インピーダンスの増幅器特性への影響 ○桑田英悟・山口裕太郎・津留正臣（三菱電機）・Johannes Benedikt（カーディフ大） ED2021-63 MW2021-105 |
本報告では、新しいアクティブロードプル測定であるIMD3周波数でのロードプル測定系および測定結果について述べる。基本波や... [more] | ED2021-63 MW2021-105 pp.7-11 |
| ED, MW (共催) |
2022-01-27 15:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［依頼講演］2電力レベル設計28GHz帯GaN HEMTドハティー増幅器MMIC ○石川 亮・瀬下拓也・髙山洋一郎・本城和彦（電通大） ED2021-67 MW2021-109 |
５Ｇ無線通信システムでは28 GHz帯などの準ミリ波帯も利用されるが、デジタル変調信号増幅用広ダイナミックレンジ電力増幅... [more] | ED2021-67 MW2021-109 pp.28-31 |
| ED, THz (共催) |
2021-12-20 13:00 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］光通信-Beyond 5G無線通信間キャリアダウンコンバージョンデバイスの新展開 ○佐藤 昭・中嶋 大・西村和樹・細谷友崇・岩月勝美・末光哲也・葛西恵介・吉田真人・尾辻泰一（東北大） ED2021-48 |
次世代Beyond 5Gの実現には、光通信ネットワークと無線通信ネットワークをシームレスかつ低遅延・超低消費電力に接続す... [more] | ED2021-48 pp.1-5 |
| ED, THz (共催) |
2021-12-20 17:15 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
動作しているGaN-HEMTの表面電子捕獲の時空間ダイナミクスの観測 ○吹留博一（東北大） ED2021-58 |
GaN-HEMTの電流コラプス現象の大きな要因である表面電子捕獲は、重要な研究課題である。高い時空間分解能を有する。我々... [more] | ED2021-58 pp.48-52 |
| ED, THz (共催) |
2021-12-21 09:00 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］Beyond 5G/6G応用を見据えたテラヘルツInP-HEMT-IC製造技術 ○堤 卓也・濱田裕史・杉山弘樹・徐 照男・高橋宏行・松崎秀昭（NTT） ED2021-55 |
本報告では，Beyond 5G/6G における適用周波数帯候補である300 GHz 帯において適用可能なInP 系高電子... [more] | ED2021-55 pp.34-39 |
| ED, THz (共催) |
2021-12-21 10:20 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
エピスケーリングを施したGaInSb-HEMTの特性評価と遅延時間解析 礒前雄人・岸本尚之・林 拓也・國澤宗真（東京理科大）・渡邊一世・山下良美・町田龍人・原 紳介・笠松章史（NICT）・○遠藤 聡・藤代博記（東京理科大） ED2021-57 |
我々は３種類のAl0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb-HEMTを作製した．これらのHEMTエピタキシ... [more] | ED2021-57 pp.44-47 |
| MW | 2021-12-16 14:15 |
神奈川 | 川崎市産業振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
0.1μm E-pHEMTによるGADを用いる30GHz帯倍電圧整流器MMIC ○角谷直哉・小松郁弥・廣瀬裕也・坂井尚貴・伊東健治（金沢工大） MW2021-90 |
本報告では0.1μm E-pHEMTを用いる30GHz帯倍電圧整流器MMICの設計・試作結果を報告する. 整流用ダイオー... [more] | MW2021-90 pp.31-36 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 14:55 |
ONLINE | オンライン開催 | AlN/AlGaInNバリアを備えた高耐圧Al0.36Ga0.64NチャネルHFET ○井上暁喜・田中さくら・江川孝志・三好実人（名工大） ED2021-32 CPM2021-66 LQE2021-44 |
本研究では、AlNおよび四元混晶AlGaInNバリア層を備えたAl0.36Ga0.64Nチャネルヘテロ電界効果トランジス... [more] | ED2021-32 CPM2021-66 LQE2021-44 pp.79-82 |
| SDM | 2021-11-12 11:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］セルオートマトン法によるGaN HEMTの移動度の温度依存のモデリング ○福田浩一・服部淳一・浅井栄大（産総研）・矢板潤也・小谷淳二（富士通） SDM2021-62 |
GaN HEMTの移動度の温度依存モデリングにセルオートマトン法を適用した。分布関数をテーブルで持ち微小時間ステップごと... [more] | SDM2021-62 pp.47-52 |
| MW, ED (共催) |
2021-01-29 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | HfSiOxゲート AlGaN/GaN HEMTsのDC特性とMOS界面評価 ○越智亮太（北大）・前田瑛里香（芝浦工大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀（物質・材料研究機構）・塩﨑宏司（名大）・橋詰 保（北大/名大） ED2020-31 MW2020-84 |
GaN系HEMTは5G基地局用RF増幅器として期待されている。大振幅動作時のゲート漏れ電流制御や経時劣化性の観点から絶縁... [more] | ED2020-31 MW2020-84 pp.22-25 |
| MW, ED (共催) |
2021-01-29 14:50 |
ONLINE | オンライン開催 | InGaAs HEMT寄生抵抗抽出高精度化の検討 ○谷口慶伍（東京理科大）・細谷友崇（東北大）・楳田洋太郎・高野恭弥（東京理科大）・末光哲也・佐藤 昭（東北大） ED2020-35 MW2020-88 |
本稿では、高電子移動度トランジスタ(HEMT)の寄生抵抗を高精度に抽出する新しい方法を提案する。従来の抽出方法では, 寄... [more] | ED2020-35 MW2020-88 pp.38-43 |
| EE | 2021-01-25 13:55 |
ONLINE | オンライン開催 (Zoom) | カスコード接続した分極超接合GaN-FETのターンオン過程の解析 ○新井大輔（名大）・神山祐輔・八木修一・河合弘治・成井啓修（パウデック）・今岡 淳・山本真義（名大） EE2020-32 |
ノーマリーオン型で1200V耐圧の分極超接合GaN-FETを低耐圧Si-MOSFETとカスコード接続し，抵抗負荷でスイッ... [more] | EE2020-32 pp.47-52 |
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