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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2023-10-13 16:20 |
宮城 | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ | サファイア基板上への酸化ガリウム薄膜の形成と基礎評価 ○今泉文伸・森田拓海（小山高専）  SDM2023-59 |
近年、半導体材料の開発としてワイドバンドギャップの材料開発の重要性が高まっている。特に光デバイスやパワーデバイスの開発が... [more] | SDM2023-59 pp.34-39 |
| MW, ED (共催) |
2021-01-29 13:50 |
ONLINE | オンライン開催 | β-Ga2O3 MOSFETの高周波特性評価と遅延時間解析 ○上村崇史・中田義昭・東脇正高（NICT） ED2020-33 MW2020-86 |
ゲート長200 nmのβ-Ga2O3金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) において，電流利得遮断周... [more] | ED2020-33 MW2020-86 pp.30-33 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-13 13:00 |
京都 | 京大桂キャンパス | コランダム構造n型およびp型ワイドギャップ酸化物半導体の結晶成長と応用 ○金子健太郎（京大）・人羅俊実（FLOSFIA）・藤田静雄（京大） ED2016-74 CPM2016-107 LQE2016-90 |
コランダム構造をもつワイドバンドギャップ半導体α-In2O3 (Eg= 3.7 eV)は酸素空孔や格子間インジウム等で電... [more] | ED2016-74 CPM2016-107 LQE2016-90 pp.85-88 |
| ED | 2016-07-23 15:05 |
東京 | 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 | Ga2O3上に堆積したSiO2膜におけるポストアニールの影響 ○小西敬太・上村崇史・ワン マンホイ（NICT）・佐々木公平・倉又朗人・山腰茂伸（タムラ製作所）・東脇正高（NICT） ED2016-29 |
現在，酸化ガリウム (Ga2O3) デバイスの高耐圧化のために，高品質な酸化シリコン (SiO2) 膜の形成が必須となっ... [more] | ED2016-29 pp.11-15 |
| ED | 2016-01-20 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術 ○東脇正高・ワン マンホイ・小西敬太（NICT）・佐々木公平（タムラ/NICT）・後藤 健（タムラ/東京農工大）・野村一城・ティユ クァン トゥ・富樫理恵・村上 尚・熊谷義直・Bo Monemar・纐纈明伯（東京農工大）・倉又朗人・増井建和・山腰茂伸（タムラ） ED2015-114 |
酸化ガリウム (Ga{$_{2}$}O{$_{3}$}) は，パワーデバイス用途に適した優れた物性を有する酸化物半導体で... [more] | ED2015-114 pp.13-18 |
| SDM | 2015-06-19 10:10 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］Al2O3/Ga2O3界面構造とその面方位依存性 ○上村崇史・ダイワシガマニ キルシナムルティ（NICT）・倉又朗人・山腰茂伸（タムラ製作所）・東脇正高（NICT） SDM2015-40 |
Al2O3/n-Ga2O3 (010) とAl2O3/n-Ga2O3 ("2" ̅01) 構造の界面準位密度... [more] | SDM2015-40 pp.11-16 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 15:40 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | コランダム構造酸化物半導体の成長とMOSFET試作 伊藤義人・金子健太郎・○藤田静雄（京大） ED2015-21 CPM2015-6 SDM2015-23 |
サファイア基板を用いたコランダム構造の酸化物半導体について、適切なバッファ層を導入しミストCVD法による成長条件を明らか... [more] | ED2015-21 CPM2015-6 SDM2015-23 pp.27-30 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 16:05 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 高移動度β-Ga2O3(-201)単結晶を用いたショットキーバリアダイオードの作製 ○古賀優太・原田和也・花田賢志・大石敏之・嘉数 誠（佐賀大） ED2015-22 CPM2015-7 SDM2015-24 |
高電子移動度を有するEFG法で成長したβ―Ga2O3(2 ̅01)面方位の単結晶を用いた高性能ショットキーバリ... [more] | ED2015-22 CPM2015-7 SDM2015-24 pp.31-34 |
| LQE, LSJ (共催) |
2015-05-22 11:25 |
石川 | 金沢能楽美術館 | 結晶セレン/酸化ガリウムヘテロ接合ダイオードを積層した高感度イメージセンサ ○為村成亨・菊地健司・宮川和典・大竹 浩・久保田 節（NHK）・中田時夫（東京理科大）・沖野 徹・廣瀬 裕・加藤剛久（パナソニック）・寺西信一（兵庫県立大） LQE2015-13 |
結晶セレン（crystalline selenium: c-Se）を光電変換膜として適用した積層型CMOSイメージセンサ... [more] | LQE2015-13 pp.63-67 |
| CPM | 2014-09-05 10:45 |
山形 | 山形大学工学部百年周年記念会館 セミナールーム1,2,3 | RT Ga2O3 atomic layer deposition by using trimethylgallium and water-oxygen plasma ○P. Pungboon Pansila・Kensaku Kanomata・Bashir Ahmmad Arima・Shigeru Kubota・Fumihiko Hirose（Yamagata Univ.） CPM2014-86 |
[more] | CPM2014-86 pp.59-64 |
| ED | 2014-08-01 15:50 |
東京 | 機械振興会館B3-1室 | Al2O3/β-Ga2O3ヘテロ接合におけるバンドオフセット ○上村崇史（NICT）・佐々木公平（タムラ）・黄 文海・ダイワシガマニ キルシナムルティ（NICT）・倉又朗人（タムラ）・増井建和（光波）・山越茂伸（タムラ）・東脇正高（NICT） ED2014-60 |
Al2O3/n-Ga2O3 (010) ヘテロ接合のバンド配置をx線光電子分光法 (XPS) により調べることにより、A... [more] | ED2014-60 pp.41-46 |
| ED, MW (共催) |
2014-01-16 11:45 |
東京 | 機械振興会館 | Siイオン注入を用いて作製したディプレッション型酸化ガリウムMOSFET ○東脇正高（NICT）・佐々木公平（タムラ製作所/NICT）・ワン マンホイ・上村崇史・ダイワシガマニ キルシナムルティ（NICT）・倉又朗人（タムラ製作所）・増井建和（光波）・山腰茂伸（タムラ） ED2013-116 MW2013-181 |
我々は，新たに開発したSiイオン注入技術を用いてディプレッション型Ga2O3 MOSFETを作製した．今回作製したデバイ... [more] | ED2013-116 MW2013-181 pp.35-39 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 11:30 |
大阪 | 大阪市立大学 | GaNの表面処理による表面フェルミ準位変化の推定 ○杉浦洋平・網谷良介・多次見大樹（工学院大）・尾沼猛儀（東京高専）・山口智広・本田 徹（工学院大） ED2012-68 CPM2012-125 LQE2012-96 |
六方晶(0001)GaN(Ga面)の表面フェルミ準位変化について、X線光電子分光法(XPS)を用い、表面酸化物量と関連づ... [more] | ED2012-68 CPM2012-125 LQE2012-96 pp.13-15 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 13:55 |
大阪 | 大阪市立大学 | 単結晶β-Ga2O3基板を用いたPt/β-Ga2O3ショットキーバリアダイオード ○佐々木公平（タムラ製作所/NICT）・東脇正高（NICT/JST）・倉又朗人（タムラ製作所）・増井建和（光波）・山腰茂伸（タムラ製作所） ED2012-71 CPM2012-128 LQE2012-99 |
単結晶$Ga_2O_3$(010)基板を用いてショットキーバリアダイオードを作製した．フローティングゾーンで作製した単結... [more] | ED2012-71 CPM2012-128 LQE2012-99 pp.25-28 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-29 09:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］New widegap semiconductor Ga2O3 MESFETs and Schottky barrier diodes ○Masataka Higashiwaki（NICT/JST）・Kohei Sasaki（Tamura Corp./NICT）・Akito Kuramata（Tamura Corp.）・Takekazu Masui（Koha Co., Ltd.）・Shigenobu Yamakoshi（Tamura Corp.） |
[more] | |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-17 16:45 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Ga2O3酸素センサの作製と評価 ○以西雅章・山本貴弘・鳥井琢磨（静岡大） ED2012-25 CPM2012-9 SDM2012-27 |
あらまし 近年、環境問題に対する関心の高まりから、排気ガスの制御に酸素ガスセンサが注目されている。酸化ガリウムは900... [more] | ED2012-25 CPM2012-9 SDM2012-27 pp.39-42 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 13:25 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Electrodeposition of Ga2O3 Thin Films from Aqueous Gallium Sulfate Solutions ○Junie Jhon M. Vequizo・Masaya Ichimura（Nagoya Inst. of Tech.） ED2012-34 CPM2012-18 SDM2012-36 |
Gallium oxide (Ga2O3) thin films were prepared by employing ... [more] | ED2012-34 CPM2012-18 SDM2012-36 pp.85-89 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-20 13:25 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | Ga2O3酸素センサの作製と評価 ○山本貴弘・茅野真也・池田紘基・鈴木嘉文・以西雅章（静岡大） ED2011-27 CPM2011-34 SDM2011-40 |
近年、環境問題に対する関心の高まりから、排気ガスの制御に酸素ガスセンサが注目されている。酸化ガリウムは900℃以上で酸素... [more] | ED2011-27 CPM2011-34 SDM2011-40 pp.135-138 |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-14 10:50 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | Ga2O3酸素センサの作製と評価 ○茅野真也・山口直哉・以西雅章（静岡大） ED2010-27 CPM2010-17 SDM2010-27 |
近年、環境問題に対する関心の高まりから、排気ガスの制御に酸素ガスセンサが注目されている。酸化ガリウムは900℃以上で酸素... [more] | ED2010-27 CPM2010-17 SDM2010-27 pp.57-60 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-14 14:45 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | Ga2O3薄膜の作製と酸素センサ特性の評価 ○茅野真也・堀内郁志・以西雅章（静岡大） ED2009-21 CPM2009-11 SDM2009-11 |
近年、環境問題に対する関心の高まりから、排気ガスの制御に酸素ガスセンサが注目されている。酸化ガリウムは900℃以上で酸素... [more] | ED2009-21 CPM2009-11 SDM2009-11 pp.17-20 |
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