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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
OME 2022-01-07
14:05
大阪 中央電気俱楽部 213号室 nチャネル高分子トランジスタを用いた有機フローティングゲートメモリのデバイス特性
西田直之服部励太郎永瀬 隆安達天規森川和慶小林隆史内藤裕義阪府大OME2021-48
高分子半導体をチャネルとするトップゲート有機電界効果トランジスタ (有機FET) に高分子絶縁体 (PMMA) と可溶性... [more] OME2021-48
pp.4-8
SDM 2021-10-21
13:00
ONLINE オンライン開催 A study on Ar/N2-plasma sputtering gas pressure dependence on the LaBxNy insulator formation for non-volatile memory applications
Eun-Ki HongShun-ichiro OhmiTokyo Tech.SDM2021-46
 [more] SDM2021-46
pp.8-11
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
16:30
ONLINE オンライン開催 酸化物半導体Ga-Sn-Oを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタ
福井智貴中川滉貴木村 睦龍谷大EID2020-14 SDM2020-48
本研究では半導体層にアモルファスの酸化物半導体Ga-Sn-O(GTO)、絶縁膜層に強誘電体である(Bi,La)₄Ti₃O... [more] EID2020-14 SDM2020-48
pp.54-57
ITE-IDY, IEE-EDD
(共催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID
(連催) [詳細]
2018-01-25
14:30
静岡 静岡大学 浜松キャンパス 分子配向性絶縁膜上の有機半導体薄膜作製とそのTFT特性への影響に関する研究
沖元 慈飯村靖文東京農工大)・大野龍蔵JSREID2017-36
有機TFTの電気的特性の向上を目指すために、有機材料の分子配向異方性に注目した。通常絶縁の役割しか果たさないOTFTのゲ... [more] EID2017-36
pp.25-28
OME, SDM
(共催)
2017-04-20
16:45
鹿児島 龍郷町生涯学習センター 非晶質ルブレンをゲート絶縁膜に用いたトップゲート型OFETに関する検討
大見俊一郎廣木瑞葉張 鴻立前田康貴東工大SDM2017-4 OME2017-4
有機半導体電界効果トランジスタ(OFET)は、アモルファスSiをしのぐ高いホール移動度を示し、将来のフレキシブルエレクト... [more] SDM2017-4 OME2017-4
pp.15-18
SDM 2015-10-30
15:00
宮城 東北大学未来研 Investigation of stacked HfN gate insulator formed by ECR plasma sputtering
Nithi AtthiShun-ichiro OhmiTokyo TechSDM2015-82
 [more] SDM2015-82
pp.57-62
CPM, OPE, LQE, R, EMD
(共催)
2015-08-27
11:00
青森 青森県観光物産館アスパム ゲート絶縁膜中フッ素による高信頼性a-InGaZnO TFTの実現
山﨑はるか石河泰明藤井茉美ジョアン パウロ ベルムンド奈良先端大)・高橋英治安東靖典日新電機)・浦岡行治奈良先端大R2015-24 EMD2015-32 CPM2015-48 OPE2015-63 LQE2015-32
近年、透明アモルファス酸化物半導体であるa-InGaZnO (a-IGZO)を用いた薄膜トランジスタ(TFT)は、次世代... [more] R2015-24 EMD2015-32 CPM2015-48 OPE2015-63 LQE2015-32
pp.9-11
SDM 2015-06-19
15:15
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー PE-ALD法で作製した極薄膜Al2O3ゲート絶縁膜を用いたGIZO TFTの電気特性
栗島一徳明大/物質・材料研究機構)・生田目俊秀塚越一仁大井暁彦知京豊裕物質・材料研究機構)・小椋厚志明大SDM2015-51
Ga-In-Zn-O(GIZO)薄膜トランジスタ(TFT)の電気特性にAl2O3層が及ぼす影響について調査した。プラズマ... [more] SDM2015-51
pp.69-73
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-28
17:05
愛知 豊橋技科大VBL棟 Al2O3絶縁膜を有するNO2吸着H終端処理ダイヤモンドFETのデバイスシミュレーション
大石敏之東 竜太郎原田和也古賀優太佐賀大)・平間一行NTT)・嘉数 誠佐賀大ED2015-24 CPM2015-9 SDM2015-26
H終端処理したダイヤモンド表面にNO2を吸着させ,Al2O3絶縁膜で保護したダイヤモンド電界効果トランジスタのデバイスシ... [more] ED2015-24 CPM2015-9 SDM2015-26
pp.41-44
SDM 2014-10-16
14:50
宮城 東北大学未来研 シリコン表面原子オーダー平坦化技術のSTIプロセス工程への導入
後藤哲也黒田理人赤川直矢諏訪智之寺本章伸李 翔小原俊樹木本大幾須川成利大見忠弘東北大)・熊谷勇喜鎌田 浩渋沢勝彦ラピスセミコンダクタ宮城SDM2014-85
シリコン表面原子オーダー平坦化技術を,テクノロジーノード0.22mのshallow trench iso... [more] SDM2014-85
pp.7-12
SDM 2014-10-16
16:00
宮城 東北大学未来研 Electrical characteristics of as-deposited HfN gate insulator formed by ECR plasma sputtering
Nithi AtthiShun-ichiro OhmiTokyoTechSDM2014-87
 [more] SDM2014-87
pp.19-22
OME 2014-10-10
11:20
大阪 大阪大学中之島センター 燐光色素をドープした積層有機発光トランジスタの発光特性
梶井博武田中 仁池添郁也原 三喜雄大友隆弘大森 裕阪大OME2014-39
本研究では、有機電界効果トランジスタのソース・ドレイン電極に酸化インジウム錫(ITO)を用い、有機薄膜作製後に、ゲート絶... [more] OME2014-39
pp.9-13
SDM, OME
(共催)
2014-04-11
10:30
沖縄 沖縄県青年会館 O2混合Arスパッタにより室温成膜したSiO2膜の電気特性評価
井村公彦・○岡田竜弥下田清治杉原弘也野口 隆琉球大SDM2014-13 OME2014-13
フレキシブルディスプレイの作製において,良質の絶縁膜をプラスチックなどの低耐熱性基板上に形成することが求められる.本研究... [more] SDM2014-13 OME2014-13
pp.55-57
SDM 2013-10-18
10:30
宮城 東北大学未来研 バイアス印加硬X線光電子分光法を用いた絶縁膜/Si界面の評価
池野成裕永田晃基明大)・陰地 宏廣沢一郎高輝度光科学研究センター)・小椋厚志明大SDM2013-94
SiO2/Si 構造における界面準位の議論は、トランジスタの設計において最も重要なパラメータの一つである。界面準位の評価... [more] SDM2013-94
pp.33-36
MW, ED
(共催)
2013-01-18
14:55
東京 機械振興会館 SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT
小林健悟吉田智洋尾辻泰一片山竜二松岡隆志末光哲也東北大ED2012-126 MW2012-156
HMDSを反応ガスとするPECVDにより堆積したSiCNゲート絶縁膜を導入したAlGaN/GaN MISゲート高電子移動... [more] ED2012-126 MW2012-156
pp.75-78
SDM, OME
(共催)
2012-04-28
11:30
沖縄 沖縄県青年会館 RFスパッタ法により製膜したSiO2及びSiN薄膜の電気特性評価
屋宜佳佑岡田竜弥野口 隆琉球大SDM2012-17 OME2012-17
RFスパッタリングによってSi基板上にSiO2、SiN膜を100 nm製膜した。その後、熱アニールを施し、アニール前後の... [more] SDM2012-17 OME2012-17
pp.75-77
ED 2012-04-18
14:15
山形 山形大学工学部 百周年記念会館大会議室 熱硬化型フッ素系高分子ゲート絶縁膜を用いた高分子TFTの高性能化
南木 創山形大)・伊藤昌宏旭硝子)・奥 慎也福田憲二郎熊木大介水上 誠時任静士山形大ED2012-4
有機半導体薄膜の結晶性や配向性は基板の表面エネルギーに強く依存し,基板に疎水化処理を施すことで移動度が大きく増加すること... [more] ED2012-4
pp.15-18
ED, SDM
(共催)
2012-02-08
13:25
北海道 北海道大学 百年記念会館 CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響
鈴木耕佑大野雄高岸本 茂水谷 孝名大ED2011-156 SDM2011-173
カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタ(CNFET)のゲート絶縁膜界面に生ずる界面電荷について、ケルビンプローブフォ... [more] ED2011-156 SDM2011-173
pp.83-87
ED, SDM
(共催)
2012-02-08
13:50
北海道 北海道大学 百年記念会館 SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析
村松 徹・○葛西誠也谷田部然治北大ED2011-157 SDM2011-174
FETの微細化がすすむと素子自身が発する雑音が増加するといわれており,系統的評価や理解が必要である.本研究では次世代集積... [more] ED2011-157 SDM2011-174
pp.89-93
SDM 2011-10-20
15:20
宮城 東北大学未来研 Effect of Si surface roughness on electrical characteristics of HfON gate insulator
Dae-Hee HanShun-ichiro OhmiTokyo Inst. of Tech.SDM2011-100
 [more] SDM2011-100
pp.17-20
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