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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2016-06-29 11:55 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | ZrO2/Al2O3/ZrO2多層を用いたDRAMキャパシタにおけるAl2O3層が電気特性に及ぼす効果 ○女屋 崇（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀・澤田朋実（物質・材料研究機構/JST）・栗島一徳（明大/物質・材料研究機構）・澤本直美（明大）・大井暁彦・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大）  SDM2016-37 |
本研究では、原子層堆積法によって作製したZrO2/Al2O3/ZrO2 (ZAZ)多層絶縁膜を用いたTiN/ZAZ/Ti... [more] | SDM2016-37 pp.27-32 |
| SDM | 2015-06-19 15:15 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | PE-ALD法で作製した極薄膜Al2O3ゲート絶縁膜を用いたGIZO TFTの電気特性 ○栗島一徳（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀・塚越一仁・大井暁彦・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大） SDM2015-51 |
Ga-In-Zn-O(GIZO)薄膜トランジスタ(TFT)の電気特性にAl2O3層が及ぼす影響について調査した。プラズマ... [more] | SDM2015-51 pp.69-73 |
| SDM | 2014-06-19 09:30 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 極薄EOT high-k/Geゲートスタックの熱安定性及び界面特性改善に向けたプロセス設計 ○淺原亮平・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2014-43 |
高性能Ge-MOSFET実現には、1 nm以下のSiO2換算膜厚（Equivalent Oxide Thickness:... [more] | SDM2014-43 pp.1-5 |
| ED | 2013-08-09 09:25 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 | 真空アニール法がAl2O3/GaSb MOS界面に与える影響 ○後藤高寛・藤川紗千恵・藤代博記（東京理科大）・小倉睦郎・安田哲二・前田辰郎（産総研） ED2013-45 |
あらまし MOCVD法を用いてGaAs基板上に低温GaSbバッファー層を挟みGaSb層を成長させた．GaSb/GaAs界... [more] | ED2013-45 pp.37-42 |
| SDM | 2013-06-18 10:35 |
東京 | 機械振興会館 | HfO2/Ge界面へのルチル型TiO2挿入によるGeOx生成の抑制 ○小橋和義（明大）・長田貴弘・生田目俊秀・山下良之（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大）・知京豊裕（物質・材料研究機構） SDM2013-48 |
Siに代わる新たなチャネル材料として、電子、ホールとともに高い移動度を有したGeが注目されている．しかしながら、high... [more] | SDM2013-48 pp.25-28 |
| SDM | 2013-06-18 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | InGaAs MOSゲートスタック電気特性に与えるメタルゲート電極の影響 ○張 志宇・横山正史・金 相賢（東大）・市川 磨・長田剛規・秦 雅彦（住友化学）・竹中 充・高木信一（東大） SDM2013-50 |
メタルゲート電極がInGaAs MOSゲートスタックの電気特性に与える影響を評価するために、Al2O3/InGaAsとH... [more] | SDM2013-50 pp.33-37 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 15:45 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Influence of co-sputtered HfO2-Ti gate dielectric in IZO-based Transparent thin film transistors ○Jungil Yang・Donghee Lee・Dongkyu Cho・Sanghyun Woo・Yoosung Lim・Sungmin Park・Daekuk Kim・Moonsuk Yi（PNU.） |
Metal-oxide thin film transistors (TFTs) have been fabricate... [more] | |
| SDM | 2012-06-21 11:55 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | TiN電極中の酸素に起因したHf系High-kゲート絶縁膜の特性劣化 ○細井卓治・大嶽祐輝・有村拓晃・力石薫介・北野尚武・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2012-51 |
ゲートファーストmeta/high-kスタックの課題として，実効仕事関数の制御とEOTスケーリングが挙げられる．TiN/... [more] | SDM2012-51 pp.43-46 |
| ED, SDM (共催) |
2012-02-08 13:25 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響 ○鈴木耕佑・大野雄高・岸本 茂・水谷 孝（名大） ED2011-156 SDM2011-173 |
カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタ(CNFET)のゲート絶縁膜界面に生ずる界面電荷について、ケルビンプローブフォ... [more] | ED2011-156 SDM2011-173 pp.83-87 |
| SDM | 2011-07-04 09:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 高温熱処理とMIPS構造によるLa-silicate/Si界面特性の改善と低EOTの実現 ○川那子高暢・角嶋邦之・Parhat Ahmet・筒井一生・西山 彰・杉井信之・名取研二・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2011-50 |
本論文では、低EOTと良好な界面特性の両立に向けた直接接合La-silicate/Si構造の界面制御について報告する。8... [more] | SDM2011-50 pp.1-5 |
| SDM | 2011-07-04 10:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | コンダクタンス法を用いたHfO2/In0.53Ga0.47Asの界面解析 ○ザデ ダリューシュ・細井隆司・アヘメト パルハット・角嶋邦之・筒井一生・西山 彰・杉井信之・名取研二・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2011-53 |
[more] | SDM2011-53 pp.17-22 |
| SDM | 2011-07-04 15:40 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 高温熱処理によるTiN/HfLaSiO/SiO2ゲートスタック中Hf及びLa原子のTiN電極中への拡散とMIPS構造による抑制 ○大嶽祐輝・有村拓晃・佐伯雅之・力石薫介・北野尚武・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2011-65 |
ゲートファーストプロセスによるMetal/High-kスタックの実現に向け、TiN/HfLaSiO/SiO2ゲートスタッ... [more] | SDM2011-65 pp.87-92 |
| SDM | 2010-11-11 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］金属電極／高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたHigh-k/Metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解 ○細井卓治・佐伯雅之・喜多祐起・奥 雄大・有村拓晃・北野尚武（阪大）・白石賢二・山田啓作（筑波大）・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2010-175 |
p型電極／高誘電率絶縁膜ゲートスタックでは，電極材料がpoly-Siもしくは金属に関わらず，ソース／ドレイン活性化アニー... [more] | SDM2010-175 pp.23-28 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 12:00 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | The Analysis of Temperature Dependency of the Mobility In High-k/Metal Gate MOSFET and the Performance on its CMOS Inverter ○Takeshi Sasaki・Takuya Imamoto・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2010-92 SDM2010-93 |
As the integration density and capacitance of semiconductor ... [more] | ED2010-92 SDM2010-93 pp.177-182 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 12:45 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Evaluation of 1/f Noise Characteristics in High-k/Metal Gate and SiON/Poly-Si Gate MOSFET ○Takuya Imamoto・Takeshi Sasaki・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2010-95 SDM2010-96 |
In this paper, we compare the 1/f noise characteristics of H... [more] | ED2010-95 SDM2010-96 pp.195-198 |
| SDM | 2010-06-22 13:45 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | EOT=0.5nmに向けた希土類MOSデバイスの高温短時間熱処理の検討 ○来山大祐・小柳友常・角嶋邦之・Parhat Ahmet・筒井一生・西山 彰・杉井信之・名取研二・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2010-41 |
EOT=0.5 nmを達成するにはSi基板との界面においてSiO<sub>2</sub>界面層が形成されないhigh-k... [more] | SDM2010-41 pp.43-48 |
| ED | 2010-06-18 11:50 |
石川 | 北陸先端大 | ウェトプロセスによるメタルゲートの光コロージョン ○渡辺大祐（ダイキン工業）・木村千春・青木秀充（阪大） ED2010-46 |
次世代の高誘電率材料（High-K）ゲート絶縁膜とメタルゲート電極の構造（High-K/メタルゲート構造） における H... [more] | ED2010-46 pp.69-74 |
| ED, MW (共催) |
2010-01-14 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET ○金澤 徹・若林和也・齋藤尚史・寺尾良輔・田島智宣・池田俊介・宮本恭幸・古屋一仁（東工大） ED2009-181 MW2009-164 |
2016年以降の高速CMOS回路応用へ向けたトランジスタとして、高移動度チャネル材料としてIII-V族化合物半導体を用い... [more] | ED2009-181 MW2009-164 pp.39-42 |
| SDM | 2009-11-13 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | High-k/Metal-gate界面健全性に及ぼす点欠陥と格子ひずみの相互作用の原子レベルシミュレーション ○鈴木 研・伊藤雄太・井上達也・三浦英生（東北大）・吉川英樹・小林啓介（物質・材料研究機構）・寒川誠二（東北大） SDM2009-149 |
原子・分子レベルでアプローチ可能な方法論として計算化学的手法に着目し，High-k絶縁膜と金属電極界面の健全性に及ぼす点... [more] | SDM2009-149 pp.79-84 |
| SDM | 2009-10-30 15:15 |
宮城 | 東北大学 | 自動化超高速化量子分子動力学法によるシリコン表面酸窒化シミュレーション ○坪井秀行・鈴木 愛・畠山 望・遠藤 明・高羽洋充・久保百司・宮本 明（東北大） SDM2009-133 |
シリコン表面における酸窒化膜の形成メカニズムの解明とくにその初期過程におけるNO分子やO2分子とシリコン表面の相互作用の... [more] | SDM2009-133 pp.75-76 |
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