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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2018-06-25
15:15
愛知 名古屋大学 VBL3F リモートプラズマ支援CVDにより形成したSiO2/GaN界面の化学結合状態および熱的安定性評価
松田亮平大田晃生名大)・田岡紀之産総研)・池田弥央牧原克典名大)・清水三聡産総研)・宮崎誠一名大SDM2018-22
n型GaN(0001)基板上に、リモートプラズマ支援CVDにより厚さ~6.2nmのSiO2を堆積し、X線光電子分光法(X... [more] SDM2018-22
pp.29-32
CPM 2014-09-05
10:45
山形 山形大学工学部百年周年記念会館 セミナールーム1,2,3 RT Ga2O3 atomic layer deposition by using trimethylgallium and water-oxygen plasma
P. Pungboon PansilaKensaku KanomataBashir Ahmmad ArimaShigeru KubotaFumihiko HiroseYamagata Univ.CPM2014-86
 [more] CPM2014-86
pp.59-64
SDM, ED
(共催)
2008-07-09
12:05
北海道 かでる2・7(札幌) Properties of GaN MIS Capacitors Using Al2O3 as Gate Dielectric Deposited by Remote Plasma Atomic Layer Deposition
Hyeong-Seon YunKa-Lam KimNo-Won KwakWoo-Seok LeeSang-Hyun JeongCheongju Univ.)・Ju-Ok SeoItswell)・Kwang-Ho KimCheongju Univ.ED2008-42 SDM2008-61
Al2O3 thin films were deposited on GaN 0001) by Remote Plasm... [more] ED2008-42 SDM2008-61
pp.15-19
SDM, ED
(共催)
2008-07-10
09:00
北海道 かでる2・7(札幌) リモート水素プラズマ支援によるPdナノドット形成とフローティングゲートMOSメモリ応用
島ノ江和広牧原克典池田弥央宮崎誠一広島大ED2008-54 SDM2008-73
We have studied the formation of Pd-nanodots on SiO2 from ul... [more] ED2008-54 SDM2008-73
pp.77-80
SDM 2007-06-08
09:25
広島 広島大学(学士会館) 極薄プラズマ酸窒化膜MOSFETのNBTI信頼性に対する窒素プロファイルとフッ素注入の効果
寺井真之藤枝信次NECSDM2007-40
プラズマ酸窒化膜をゲート絶縁膜に用いたp型MOSFETのNBTIに対し、プラズマ窒化及びフッ素導入が及ぼす効果を調べた。... [more] SDM2007-40
pp.49-54
SDM, ED, CPM
(共催)
2007-05-25
10:40
静岡 静岡大学 浜松キャンパス 横型反応管を用いたZnO薄膜のRPE-MOCVD成長
安達允彦青嶌剛嗣中村篤志天明二郎静岡大
横型反応管を用いたリモートプラズマ励起MOCVD(RPE-MOCVD)によるZnO結晶成長をa面サファイア上に行い、膜厚... [more]
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