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シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) (検索条件: 2011年度)
「from:2011-08-25 to:2011-08-25」による検索結果
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-26 14:40 |
富山 | 富山県民会館 | 細粒度アシストバイアス制御によるR/W動作マージン改善を図ったディペンダブルな低電圧SRAM ○新居浩二・薮内 誠・藤原英弘・中野博文・石原和哉・河合浩行・有本和民（ルネサス エレクトロニクス）  SDM2011-91 ICD2011-59 |
[more] | SDM2011-91 ICD2011-59 pp.103-108 |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-26 15:05 |
富山 | 富山県民会館 | 8T DP-SRAMセルのライトディスターブ特性を改善するビット線イコライズ回路を備えた28nmDP-SRAM ○石井雄一郎・藤原英弘・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）・千ヶ崎英夫・黒宮 修・佐伯 宰（ルネサスデザイン）・宮西篤史・木原雄治（ルネサス エレクトロニクス） SDM2011-92 ICD2011-60 |
8T デュアルポートSRAMセルのライトディスターブ状態での動作下限電圧を改善する回路手法を提案する．提案するアクティブ... [more] | SDM2011-92 ICD2011-60 pp.109-114 |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-26 15:30 |
富山 | 富山県民会館 | 動的基板制御による非対称SRAM ○藪内 誠・塚本康正・藤原英弘・前川考志・五十嵐元繁・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） SDM2011-93 ICD2011-61 |
非対称MOS構造をアクセスTrに適用した横型SRAMを開発した。これは追加マスク無しで、Static Noise Mar... [more] | SDM2011-93 ICD2011-61 pp.115-120 |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-26 16:05 |
富山 | 富山県民会館 | 自動選択電荷注入を用いたCMOSロジック回路の最低可動電圧（VDDmin）の低減 ○本田健太郎・池内克之（東大）・野村昌弘（半導体理工学研究センター）・高宮 真・桜井貴康（東大） SDM2011-94 ICD2011-62 |
[more] | SDM2011-94 ICD2011-62 pp.121-126 |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-26 16:30 |
富山 | 富山県民会館 | 低電圧動作可能なコンテンションレス・フリップフロップと2種の電源電圧による整数演算回路のエネルギー効率向上の実証 ○更田裕司（東大）・平入孝二（半導体理工学研究センター）・安福 正・高宮 真（東大）・野村昌弘・篠原尋史（半導体理工学研究センター）・桜井貴康（東大） SDM2011-95 ICD2011-63 |
[more] | SDM2011-95 ICD2011-63 pp.127-132 |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-26 16:55 |
富山 | 富山県民会館 | 自己同期システムに向けた低電圧動作回路の最適化 ○神谷歩未・池田 誠（東大） SDM2011-96 ICD2011-64 |
[more] | SDM2011-96 ICD2011-64 pp.133-138 |
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