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登録講演（開催プログラムが公開されているもの） （日付・降順）

研究会	発表日時	開催地		タイトル・著者	抄録	資料番号
LQE	2006-12-08 10:55	東京	機械振興会館	表面プラズモン共鳴を用いた偏波制御VCSELアレイ ○大西俊一・谷川達也・清水　順・上田哲三・上田大助（松下電器）	[more]	LQE2006-106 pp.17-20
MW, ED (共催)	2005-11-17 13:35	佐賀	佐賀大学	超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器 ○西嶋将明・村田智洋・廣瀬　裕・引田正洋・根来　昇・酒井啓之・上本康裕・井上　薫・田中　毅・上田大助（松下電器）	サファイア基板上にAlGaN/GaN超格子(Superlattice:SL)構造を有するGaN HFET(ヘテロ構造FE... [more]	ED2005-165 MW2005-120 pp.39-43
MW, ED (共催)	2005-01-18 09:20	東京	機械振興会館	ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET ○引田正洋・柳原　学・中澤一志・上野弘明・廣瀬　裕・上田哲三・上本康裕・田中　毅・上田大助（松下電器）・江川孝志（名工大）	AlGaN/GaN HFETをパワースイッチングデバイスに応用するためには、デバイスの低オン抵抗化と高耐圧化の両立、およ... [more]	ED2004-212 MW2004-219 pp.1-5
MW, ED (共催)	2005-01-18 10:10	東京	機械振興会館	超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET ○村田智洋・引田正洋・廣瀬　裕・井上　薫・上本康裕・田中　毅・上田大助（松下電器）	[more]	ED2004-214 MW2004-221 pp.13-17
LQE	2004-12-03 16:05	東京	機械振興会館	液中自己整合選択実装技術によるハイブリッド型高出力２波長レーザの開発 ○東條友昭・山中一彦・小野澤和利・シングビラハムパル・上田大助（松下電器）・曽我育生・前澤浩一・水谷　孝（名大）	ＣＤ／ＤＶＤの光ディスク記録に用いるハイブリッド型の高出力２波長レーザを開発した。要求される２つのレーザの発光点間隔精度... [more]	LQE2004-128 pp.55-58

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