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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD | 2010-04-22 11:40 |
神奈川 | 湘南工大 | しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加, 32%アクティブ電力削減, 42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM ○田中丸周平・畑中輝義・矢島亮児（東大）・高橋光恵・酒井滋樹（産総研）・竹内 健（東大）  ICD2010-5 |
強誘電体トランジスタを使用した0.5V動作の6T-SRAMが提案され，実験的に実証された．提案のSRAMはNMOSの基板... [more] | ICD2010-5 pp.23-28 |
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