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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| AP, MW (併催) |
2016-09-16 09:20 |
茨城 | 産総研 | 0.15um GaN HEMTを用いた効率60%，出力30W X帯電力増幅器と効率33%，出力100W Ku帯電力増幅器 ○鳥居拓真・今井翔平・前原宏昭・國井徹郎・森本卓男・湯之上則弘・宮下美代・宮崎泰典・津山祥紀・山中宏治・福本 宏（三菱電機）  MW2016-83 |
[more] | MW2016-83 pp.53-57 |
| MW | 2012-03-01 13:45 |
佐賀 | 佐賀大学 | 高調波整合による100W超出力GaN高出力増幅器の効率向上についての検討 ○山中宏治・湯之上則弘・茶木 伸・中山正敏・平野嘉仁（三菱電機） MW2011-175 |
GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力電力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛ん... [more] | MW2011-175 pp.41-46 |
| EMCJ, MW, EST (共催) |
2011-05-26 14:35 |
東京 | 情報通信研究機構 | 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET ○山中宏治・湯之上則弘・茶木 伸・中山正敏・平野嘉仁（三菱電機） EMCJ2011-17 MW2011-14 EST2011-10 |
GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力電力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛ん... [more] | EMCJ2011-17 MW2011-14 EST2011-10 pp.45-50 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-13 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | 広帯域高効率E級GaN HEMT増幅器 ○山中宏治・湯之上則弘・茶木 伸・中山正敏・平野嘉仁（三菱電機） ED2010-179 MW2010-139 |
GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力電力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛ん... [more] | ED2010-179 MW2010-139 pp.23-28 |
| EMCJ, MW (共催) |
2006-10-26 14:55 |
青森 | 八戸工業大学 | All-Pass回路を用いた超小型C帯5ビットMMIC移相器 ○宮口賢一・檜枝護重・半谷政毅・湯之上則弘・佐々木善伸・西野 有・宮崎守泰（三菱電機） EMCJ2006-60 MW2006-116 |
本報告では，C帯以下の比較的低い周波数帯において，小型化に適した移相回路構成とその設計法を述べる．本移相回路は，スイッチ... [more] | EMCJ2006-60 MW2006-116 pp.53-56 |
| SCE, MW (共催) |
2006-04-20 09:50 |
東京 | 超電導工学研究所 (東雲) | 低インピーダンス線路にスタブを複数接続した有極低域通過フィルタの試作評価 ○米田 諭・湯之上則弘・大和田 哲・大橋英征（三菱電機） |
無線システムの多様化により、他システムからの干渉を除去するために複数の帯域で高い減衰量を有する低損失なフィルタが求められ... [more] | SCE2006-3 MW2006-3 pp.13-17 |
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