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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-12-01 14:50 |
静岡 | アクトシティ浜松 | 縦型AlGaN系UV-B LDの作製 ○西林到真・近藤涼輔・松原衣里・山田凌矢・井本圭紀・服部光希・岩山 章・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也（名城大）・三宅秀人（三重大）・三好晃平・難波江宏一（ウシオ電機）・山口顕宏（西進商事）  ED2023-33 CPM2023-75 LQE2023-73 |
本研究では、大電流動作に有利で且つ高出力動作が可能な縦型UV-Bレーザーダイオードの作製方法およびその特性について報告す... [more] | ED2023-33 CPM2023-75 LQE2023-73 pp.84-87 |
| SITE, ISEC, HWS, EMM, BioX, ICSS (共催) IPSJ-CSEC, IPSJ-SPT (連催) (連催) [詳細] |
2020-07-21 15:45 |
ONLINE | オンライン開催 | 送・受信者間での鍵交換が不要な共通鍵暗号のための鍵共有方式 ～ －TSシステムの提案 ～ 鈴木伸治・佐々木浩二（アドイン研）・吉村孝広・吉村賢哉（モノリスワークス）・辻 敏雄（ベガ）・山澤昌夫・五太子政史・○辻井重男（中大） ISEC2020-29 SITE2020-26 BioX2020-32 HWS2020-22 ICSS2020-16 EMM2020-26 |
[more] | ISEC2020-29 SITE2020-26 BioX2020-32 HWS2020-22 ICSS2020-16 EMM2020-26 pp.99-103 |
| TL | 2019-07-27 16:10 |
兵庫 | 甲南大学 平生セミナーハウス | ［ポスター講演］Effects of Repeated Exposure to Phonetic Segments and Feedback on Non-Native Phonetic Perception Development ○Hiroki Fujita（UOR）・Ruri Ueda・Ken-ichi Hashimoto（OKU） TL2019-16 |
[more] | TL2019-16 p.23 |
| ISEC, SITE, ICSS, EMM, HWS, BioX (共催) IPSJ-CSEC, IPSJ-SPT (共催) (連催) [詳細] |
2019-07-24 13:45 |
高知 | 高知工科大学 | 究極の本人確認のための3層構造公開鍵暗号の提案 ～ マイナンバー・STRの秘密鍵への埋め込みとその利用に向けて ～ ○辻井重男・才所敏明・山澤昌夫・四方 光（中大）・佐々木浩二・鈴木伸治（アドイン研） ISEC2019-52 SITE2019-46 BioX2019-44 HWS2019-47 ICSS2019-50 EMM2019-55 |
デジタル社会における電子認証による本人確認の重要性が増す中で，安全性に留意しつつ，マイナンバー，及び，STR(Short... [more] | ISEC2019-52 SITE2019-46 BioX2019-44 HWS2019-47 ICSS2019-50 EMM2019-55 pp.341-346 |
| WIT | 2013-12-12 15:15 |
東京 | 産業技術総合研究所 臨海副都心センター | 携帯端末を利用した座位姿勢計測器の開発 ○鈴木浩之・本多春樹・半田隆志（埼玉県産技総合センター）・佐野公治（ユーキ・トレーディング） WIT2013-64 |
専用ハードウエアとして作られていた座位姿勢計測装置HORIZONの機能を，Android端末が持つセンサーを利用して実現... [more] | WIT2013-64 pp.21-26 |
| EMCJ (第二種研究会) |
2012-11-30 13:50 |
東京 | 情報通信研究機構 小金井本部 | Transient voltage measurement on a PC Board exposed by a small gap spark discharge ○Satoshi Isofuku（TET）・Masamitsu Honda（IPL） |
[more] | |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2010-07-23 17:00 |
大阪 | 常翔学園大阪センター | 降圧型と昇圧型DC-DCコンバータを高速にシミュレーションするプログラム手法の検討 ○鈴木優宏（中大）・杉本尚子（アドイン研）・杉本泰博（中大） ICD2010-37 |
DC-DCコンバータはアナログとデジタル機能の混在システムであり, SPICEのようなアナログ回路シミュレータを利用して... [more] | ICD2010-37 pp.127-132 |
| SDM | 2010-02-05 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | EUVリソグラフィーを用いた70nmピッチCu/ポーラス低誘電率膜デュアルダマシンインテグレーションの基礎検討 ○中村直文・小田典明・曽田栄一・細井信基・側瀬聡文・青山 肇・田中雄介・河村大輔・隣 真一・塩原守雄・垂水喜明・近藤誠一・森 一朗・斎藤修一（半導体先端テクノロジーズ） SDM2009-184 |
本報告においては、EUVリソグラフィーを用いた70nmピッチ2層デュアルダマシン構造の作製を行い、電気特性の評価を行った... [more] | SDM2009-184 pp.13-18 |
| WIT | 2010-01-08 15:45 |
東京 | 芝浦工大（豊洲） | 座位姿勢計測器の開発 ○半田隆志（埼玉県産技総合センター）・見木太郎（平賀義肢製作所）・佐野公治（ユーキ・トレーディング）・廣瀬秀行（国立障害者リハビリテーションセンター）・井筒隆文（竹ノ塚脳神経リハビリテーション病院）・古賀 洋（特別養護老人ホーム浅草）・木之瀬 隆（日本医療科学大） WIT2009-75 |
国際規格である「ISO16840-1」に準拠した座位姿勢の計測が可能な「座位姿勢計測器」を開発した。これは加速度センサ及... [more] | WIT2009-75 pp.41-46 |
| SDM | 2009-11-13 15:00 |
東京 | 機械振興会館 | チャネル不純物分布を正確に反映した離散化表面ポテンシャルモデルとその超高速不純物濃度ばらつき解析への応用 ○坂本浩則・有本 宏・増田弘生・船山 敏・熊代成孝（MIRAI-Selete） SDM2009-148 |
[more] | SDM2009-148 pp.73-78 |
| SDM | 2009-06-19 15:10 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 低しきい値pMISFETに向けたAl2O3を堆積させたHfO2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討 ○諸岡 哲・松木武雄・三瀬信行・神山 聡・生田目俊秀・栄森貴尚・奈良安雄・由上二郎・池田和人・大路 譲（半導体先端テクノロジーズ） SDM2009-38 |
Al2O3/HfO2/SiON構造ゲート絶縁膜を形成するためのアニールプロセスとVfb, EOT及びVtバラツキとの関係... [more] | SDM2009-38 pp.67-70 |
| OPE | 2008-12-19 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］オンチップ光配線開発の動向 ○大橋啓之（NEC/MIRAI-Selete） OPE2008-140 |
LSIにおいては、トランジスタの微細化に伴いゲート遅延が短縮される一方で、信号の高周波化および配線の微細・複雑化に伴い配... [more] | OPE2008-140 pp.23-24 |
| SDM | 2008-12-05 13:15 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | ［招待講演］金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構 ○渡部平司・喜多祐起・細井卓治・志村考功（阪大）・白石賢二（筑波大）・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大） SDM2008-188 |
[more] | SDM2008-188 pp.21-25 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-17 09:00 |
東京 | 機械振興会館 | (100), (110)基板上High-k/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察 ○佐藤基之・杉田義博・青山敬幸・奈良安雄・大路 譲（半導体先端テクノロジーズ） SDM2008-128 ICD2008-38 |
(110) 基板は(100) 基板上と比較して正孔の有効質量が実効的に小さいことから大きな正孔移動度が得られる。しかしな... [more] | SDM2008-128 ICD2008-38 pp.1-6 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-18 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | FSP-FLA(Flexibly-Shaped-Pulse FLA)による極浅接合形成とメタル/高誘電率絶縁膜デバイス特性の改善 ○鬼沢 岳・加藤慎一・青山敬幸・奈良安雄・大路 譲（半導体先端テクノロジーズ） SDM2008-146 ICD2008-56 |
自由にパルス形状を変えることの出来るフラッシュランプアニール技術(FSP-FLA: Flexibly-Shaped-Pu... [more] | SDM2008-146 ICD2008-56 pp.103-108 |
| SDM | 2008-06-10 10:30 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 ～ Ruの実効仕事関数変化の起源 ～ ○森 大樹・大田晃生・吉永博路・宮崎誠一（広島大）・門島 勝・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ） SDM2008-50 |
厚さ1~6nmのSiO2もしくは厚さ0.7nmのSiON上に、~2.5nmのHfSiONを形成後、仕事関数制御メタルとし... [more] | SDM2008-50 pp.47-52 |
| SDM | 2008-06-10 11:20 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるX線光電子分光分析 ～ Al拡散による実効仕事関数変化の緩和 ～ ○大田晃生・森 大樹・吉永博路・宮崎誠一（広島大）・門島 勝・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ） SDM2008-52 |
厚さ~2.5nmのHfSiON膜をSiO2(~1nm)/Si(100)上に形成後、仕事関数制御メタルとして厚さ~30nm... [more] | SDM2008-52 pp.59-64 |
| CAS, NLP (共催) |
2007-10-19 14:10 |
東京 | 武蔵工業大学 | 脳波の自己相似性に着目した衣服着用感の感性解析に関する研究 ○小此木慎哉・Heer Vaxang・中川匡弘（長岡技科大）・今井公泰・網屋繁俊（クラレ）・滝澤 清（クラレトレーディング） CAS2007-60 NLP2007-88 |
本研究では「ソフィスタ」，「コットン」，「ポリエステル」の3種類の衣服着用時の脳活動を脳波のフラクタル性の観点から定量的... [more] | CAS2007-60 NLP2007-88 pp.47-52 |
| ICD, SDM (共催) |
2007-08-24 13:00 |
北海道 | 北見工業大学 | ［特別招待講演］日本が目指すナノエレクトロニクス大国 ○渡辺久恒（半導体先端テクノロジーズ） SDM2007-162 ICD2007-90 |
[more] | SDM2007-162 ICD2007-90 p.117 |
| SDM | 2007-06-08 10:30 |
広島 | 広島大学（学士会館） | HfSiOxのBTIに対する窒素添加効果 ○田村知大・内藤達也（筑波大）・佐藤基之・犬宮誠治（半導体先端テクノロジーズ）・蓮沼 隆・山部紀久夫（筑波大） SDM2007-42 |
電圧ストレス下におけるHfSiOx膜およびHfSiON膜のしきい値電圧変化を評価した。その結果、しきい値電圧の変化を-Δ... [more] | SDM2007-42 pp.59-64 |
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