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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM 2019-11-07
15:50
福井 福井大学 文京キャンパス (福井県) [招待講演]触媒反応支援化学気相成長法を用いた金属酸化物薄膜の成長
安井寛治長岡技科大CPM2019-48
触媒反応を利用して高エネルギーH2O分子を生成、有機金属ガスと気相中で反応させ金属酸化物薄膜を成長させるCVD法の開発と... [more] CPM2019-48
pp.21-26
CPM 2018-08-10
09:30
青森 弘前大学文京町地区キャンパス (青森県) 触媒反応支援化学気相成長法における加熱イリジウムワイアによる酸化亜鉛への窒素添加の試み
安達雄大伊庭竜太小野翔太郎長岡技科大)・大石耕一郎片桐裕則長岡高専)・安井寛治長岡技科大CPM2018-14
 [more] CPM2018-14
pp.29-32
CPM 2016-11-19
11:35
石川 金沢工大 扇が丘キャンパス (石川県) 触媒反応支援CVD法により成長した非極性ZnO結晶膜の光学特性
池田宗謙田島諒一安達雄大玉山泰宏加藤有行安井寛治長岡技科大CPM2016-73
触媒反応により生成した高エネルギーH_2Oを用いたCVD法により,r面サファイア基板上に非極性ZnO膜の成長を行い,得ら... [more] CPM2016-73
pp.59-63
EMD, CPM, OME
(共催)
2016-06-17
13:55
東京 機械振興会館 (東京都) 触媒反応支援CVD法による非極性ZnO結晶膜の成長
田島諒一池田宗謙叶内慎吾長岡技科大)・大石耕一郎片桐裕則長岡高専)・玉山泰宏安井寛治長岡技科大EMD2016-10 CPM2016-17 OME2016-20
 [more] EMD2016-10 CPM2016-17 OME2016-20
pp.13-17
CPM 2015-11-07
11:50
新潟 まちなかキャンパス長岡 (新潟県) 金属酸化物薄膜堆積のための触媒反応生成高エネルギーH2Oビーム
寺口祐介田島諒一中村友紀高橋一匡玉山泰宏安井寛治長岡技科大CPM2015-100
白金ナノ粒子表面での水素と酸素の燃焼反応を利用して高エネルギーH2Oを生成しラバールノズルによりビーム状に噴出,気相中で... [more] CPM2015-100
pp.75-79
EMD, CPM, OME
(共催)
2015-06-19
14:55
東京 機械振興会館 (東京都) 触媒反応支援CVD法によるガラス基板上ZnO膜成長におけるN2O添加初期層の効果
叶内慎吾石塚侑己大橋優樹長岡技科大)・大石耕一郎片桐裕則長岡高専)・玉山泰宏安井寛治長岡技科大EMD2015-15 CPM2015-25 OME2015-28
触媒反応により生成した高エネルギーH2Oを酸素源として用いたCVD法によるガラス基板上へのZnO膜成長において、N2O添... [more] EMD2015-15 CPM2015-25 OME2015-28
pp.23-27
CPM 2014-09-05
09:30
山形 山形大学工学部百年周年記念会館 セミナールーム1,2,3 (山形県) 減圧MOCVD法による非極性窒化ガリウム膜の成長とその特性
寺口祐介三宅祐介西山智哉長岡技科大)・大石耕一郎片桐裕則長岡高専)・玉山泰宏・○安井寛治長岡技科大CPM2014-83
減圧MOCVD法を用いてr面サファア基板上に非極性GaN結晶膜を成長させた。低温バッファー層を挿入した二段階成長、更に中... [more] CPM2014-83
pp.43-47
OME, EMD, CPM
(共催)
2014-06-20
14:00
東京 機械振興会館 (東京都) 触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてサファイア基板上に成長したZnOエピタキシャル膜の結晶構造と転位分布
中村友紀石塚侑己山口直也玉山泰宏安井寛治長岡技科大EMD2014-16 CPM2014-36 OME2014-24
白金ナノ粒子表面での水素と酸素の自己発熱反応を利用して高エネルギーH2Oを生成し、気相中でアルキル亜鉛ガスと衝突させ高エ... [more] EMD2014-16 CPM2014-36 OME2014-24
pp.43-48
OME, EMD, CPM
(共催)
2014-06-20
14:20
東京 機械振興会館 (東京都) 触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてサファイア基板上に堆積した窒素ドープZnO薄膜の成長
大橋優樹叶内慎吾山口直也玉山泰宏加藤孝弘安井寛治長岡技科大EMD2014-17 CPM2014-37 OME2014-25
白金ナノ粒子表面での水素と酸素の自己発熱反応を利用して高エネルギーH2Oを生成し、気相中でアルキル亜鉛ガスと衝突させ高エ... [more] EMD2014-17 CPM2014-37 OME2014-25
pp.49-53
CPM 2012-10-26
13:00
新潟 まちなかキャンパス長岡 (新潟県) 触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いたCVD法によるZnO膜の堆積特性
安井寛治三浦仁嗣田原将巳里本宗一長岡技科大
 [more]
CPM 2012-10-26
13:25
新潟 まちなかキャンパス長岡 (新潟県) H2-O2触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてサファイア基板上に堆積したZnO薄膜の電気伝導特性の解析
永冨瑛智山口直也竹内智彦里本宗一加藤孝弘安井寛治長岡技科大CPM2012-93
白金ナノ粒子表面での水素と酸素の発熱反応を利用して高エネルギーH_2Oを生成、アルキル亜鉛ガスと気相中で反応させ形成した... [more] CPM2012-93
pp.1-5
CPM 2012-08-08
13:50
山形 山形大学工学部100周年記念会館セミナー室 (山形県) ガスソースMBE法による高密度Geナノドット/SiC積層構造の作製とその発光特性
姉崎 豊佐藤 魁加藤孝弘加藤有行長岡技科大)・末光真希東北大)・中澤日出樹弘前大)・成田 克山形大)・安井寛治長岡技科大CPM2012-35
 [more] CPM2012-35
pp.11-15
EMD, CPM, OME
(共催)
2012-06-22
14:20
東京 機械振興会館 (東京都) 触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いて成長したZnO/a-Al2O3膜の電気伝導特性 ~ 二層モデルによる解析 ~
永冨瑛智山口直也加藤孝弘長岡技科大)・梅本宏信静岡大)・安井寛治長岡技科大EMD2012-9 CPM2012-26 OME2012-33
白金ナノ粒子表面での水素と酸素の発熱反応を利用して高エネルギー$H_2O$を生成、アルキル亜鉛ガスと衝突させ形成した高エ... [more] EMD2012-9 CPM2012-26 OME2012-33
pp.7-11
EMD, CPM, OME
(共催)
2012-06-22
14:45
東京 機械振興会館 (東京都) 触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 ~ スパッタ法によるバッファー層挿入効果 ~
小柳貴寛里本宗一佐藤 魁加藤孝弘長岡技科大)・片桐裕則神保和夫長岡高専)・安井寛治長岡技科大EMD2012-10 CPM2012-27 OME2012-34
白金ナノ粒子表面での水素と酸素の発熱反応を利用して高エネルギーH_2Oを生成、アルキル亜鉛ガスと衝突させ形成した高エネル... [more] EMD2012-10 CPM2012-27 OME2012-34
pp.13-18
CPM 2011-08-10
14:15
青森 弘前大学 文京町キャンパス (青森県) SiC層中に埋め込まれたGe・SiCドットの発光特性
大谷孝史姉崎 豊浅野 翔加藤有行長岡技科大)・成田 克山形大)・中澤日出樹弘前大)・加藤孝弘・○安井寛治長岡技科大CPM2011-59
Si基板上へガスソースMBE法によりモノメチルゲルマン(MMGe)を用いてSi c(4×4)構造形成後, Ge, SiC... [more] CPM2011-59
pp.15-20
EMD, CPM, OME
(共催)
2011-06-30
10:50
東京 機械振興会館 (東京都) 触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いて成長したZnO結晶薄膜の電気特性
里本宗一田原将巳三浦仁嗣加藤孝弘安井寛治長岡技科大EMD2011-10 CPM2011-46 OME2011-24
白金ナノ粒子表面での水素と酸素の発熱反応を利用して高エネルギーH2Oを生成、アルキル亜鉛ガスと衝突させ生成した高エネルギ... [more] EMD2011-10 CPM2011-46 OME2011-24
pp.11-16
CPM, LQE, ED
(共催)
2010-11-11
10:00
大阪 阪大 中ノ島センター (大阪府) 触媒反応により生成した高エネルギーH2Oを用いてサファイア基板上に成長したZnO結晶薄膜の光学特性
三浦仁嗣大谷孝史黒田朋義西山 洋・○安井寛治長岡技科大ED2010-142 CPM2010-108 LQE2010-98
 [more] ED2010-142 CPM2010-108 LQE2010-98
pp.1-6
CPM 2010-10-29
10:25
長野 信州大学 工学部 地域共同研究センター3階研修室 (長野県) パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化
永田一樹里本宗一長岡技科大)・片桐裕則神保和夫長岡高専)・末光眞希遠藤哲郎伊藤 隆東北大)・中澤日出樹弘前大)・成田 克山形大)・○安井寛治長岡技科大CPM2010-102
紫外・青紫LED, LD、また高温環境下で動作する電子デバイス用材料であるGaNの省資源成長法として期待されるホットメッ... [more] CPM2010-102
pp.55-58
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