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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
AP 2015-10-22
14:35
山口 山口県労福協会館 直交復調およびPIアルゴリズムを用いたAM変調信号ノイズ抑圧システムの検討
伊藤真也藤元美俊堀 俊和福井大)・原田知育服部佳晋豊田中研AP2015-101
 [more] AP2015-101
pp.39-42
AP 2015-03-20
10:55
福井 福井大学 文京キャンパス 直交復調およびヒルベルト変換を用いたAM変調信号ノイズ除去システム
伊藤真也藤元美俊堀 俊和福井大)・原田知育服部佳晋豊田中研AP2014-218
近年,電力変換器の半導体素子のスイッチングにより発生するがAMラジオに干渉し,音質を低下させるという問題があり,ノイズ低... [more] AP2014-218
pp.39-42
IE, ITS
(共催)
ITE-AIT, ITE-HI, ITE-ME, ITE-MMS, ITE-CE
(共催)
(連催) [詳細]
2015-02-24
09:45
北海道 北海道大学 クリフォード・フーリエ変換と加重位相相関によるカラー画像照合
石田皓之目黒淳一城殿清澄小島祥子豊田中研ITS2014-46 IE2014-73
 [more] ITS2014-46 IE2014-73
pp.113-118
RCS 2008-08-27
11:40
北海道 北海道大学 MIMO-OFDM伝送における高速フェージング補償に関する検討
高梨昌樹早川敬一郎三田勝史柴田伝幸豊田中研RCS2008-59
 [more] RCS2008-59
pp.37-42
CPM, ED, LQE
(共催)
2007-10-12
13:50
福井 福井大学 ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価
徳田 豊松岡陽一妹尾 武愛知工大)・上田博之石黒 修副島成雅加地 徹豊田中研ED2007-173 CPM2007-99 LQE2007-74
自立GaN基板上にMOCVD成長により作成したpnダイオードの電気特性の評価を行った。n+基板上にn層(10 μm, S... [more] ED2007-173 CPM2007-99 LQE2007-74
pp.85-88
CPM, LQE, OPE, EMD
(共催)
2007-08-24
10:55
北海道 北海道大学 外部共振器型面発光レーザの基本モード発振出力に関する考察
井上大介伊藤健治長谷川和男伊藤 博豊田中研EMD2007-46 CPM2007-67 OPE2007-84 LQE2007-47
 [more] EMD2007-46 CPM2007-67 OPE2007-84 LQE2007-47
pp.91-95
SDM, ED, CPM
(共催)
2007-05-25
11:20
静岡 静岡大学 浜松キャンパス ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価
加藤正史三鴨一輝市村正也名工大)・兼近将一石黒 修加地 徹豊田中研
GaNは大電力半導体素子への応用が期待される半導体材料であり、GaNの大電力素子を作製する上でエッチングプロセスは必要不... [more]
MW 2005-06-28
13:25
愛知 名古屋工業大学 トポロジー最適化手法を用いた電磁界シミュレーション ~ EBG材料構造の設計 ~
野村壮史・○佐藤和夫豊田中研)・辻 寧英平山浩一北見工大)・西脇眞二京大
電磁材料の内部に周期構造を作ることにより,材料固有の特性では得られない大きな誘電率,透磁率の実現や負の誘電率や透磁率とい... [more] MW2005-36
pp.21-25
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