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講演検索結果
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 60件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2024-04-11
13:50
神奈川 川崎市産業振興会館 9階第2研修室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[依頼講演]200MHz超のランダムアクセス読み出し、10.4MB/sの書き換えを実現した高性能MCU向け22nm 10.8Mb混載MRAMマクロ
伊豆名雅之小川大也松原 謙帯刀恭彦斉藤朋也武田晃一金田義宣下井貴裕三谷秀徳伊藤 孝河野隆司ルネサス エレクトロニクス
(ご登録済みです.開催日以降に掲載されます) [more]
ICD 2023-04-10
11:00
神奈川 川崎市産業振興会館10階第4会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[依頼講演]高性能IoTマイコン向け22nmロジック混載STT-MRAMの高速読み出し、高速書き換え回路技術の開発
下井貴裕松原 謙斉藤朋也小川大也帯刀恭彦金田義宣伊豆名雅之武田晃一三谷秀徳伊藤 孝河野隆司ルネサス エレクトロニクスICD2023-2
高性能IoTマイコン向け、22nmロジック混載プロセスにて試作した32Mb STT-MRAMの高精度センスアンプ回路技術... [more] ICD2023-2
p.7
SDM 2022-10-19
14:30
ONLINE オンライン開催に変更 CrSiC薄膜抵抗体の微細構造が電気特性に与える影響
伊藤 望前川和義高橋裕治利根川 丘ルネサス エレクトロニクスSDM2022-59
電子機器の小型化の要求を背景に、マイコンとアナログ素子 を 同一 Si基板上へ混載する技術に注目が集まっている。この混載... [more] SDM2022-59
pp.20-23
SDM 2021-11-12
10:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]4H-SiCの高エネルギー輸送における一軸性応力の影響に関するフルバンドモンテカルロ解析
西村智也永久克己園田賢一郎緒方 完ルネサス エレクトロニクスSDM2021-61
SiCは、パワーデバイス向けの次世代半導体材料として期待されており、一部はすでに実用化されている。しかし、その応力応答は... [more] SDM2021-61
pp.43-46
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2021-08-18
13:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]タスク分離型制御のASIL D向け機能安全と60.4TOPS、13.8TOPS/WのCNNアクセラレータを備える12nm自動運転プロセッサ
松原勝重Lieske Hannoルネサス エレクトロニクス)・木村 基Renesas Electronics Europe)・中村 淳小池 学寺島和昭森川 俊堀田義彦入田隆宏望月誠二浜崎博幸亀井達也ルネサス エレクトロニクスSDM2021-39 ICD2021-10
世代の運転支援システムや自動運転システムにおいて、軽量かつ低コストの車載電子制御装置を実現するには、膨大な演算を実現する... [more] SDM2021-39 ICD2021-10
pp.48-53
DC 2020-02-26
10:25
東京 機械振興会館 畳み込みニューラルネットワークを活用したLSIテスト不良予測
岡 龍之介大竹哲史大分大)・熊木光一ルネサス エレクトロニクスDC2019-87
近年,LSI は高集積化技術の発展や低価格化を要因として信頼性を保証するテストに関するコストが増大している.これまでに,... [more] DC2019-87
pp.7-12
SDM 2020-02-07
09:35
東京 東京大学/本郷キャンパス工学部4号館3階42講義室(419号室) [招待講演]強誘電体Hf0.5Zr0.5O2膜中へ単層Si挿入により均一埋設したAlナノクラスタが強誘電体トランジスタの閾値電圧ばらつきに与える効果
山口 直前川径一大原隆裕天羽生 淳佃 栄次園田賢一郎柳田博史井上真雄松浦正純山下朋弘ルネサス エレクトロニクスSDM2019-89
 [more] SDM2019-89
pp.5-8
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-07
16:30
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 [招待講演]28nmスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリを用いた高温動作かつ低エラー率を実現するPUF技術
下井貴裕斉藤朋也長瀬寛和伊豆名雅之神田明彦伊藤 孝河野隆司ルネサス エレクトロニクスSDM2019-39 ICD2019-4
28nmスプリットゲートMONOS(SG-MONOS)型フラッシュメモリを用いた、ハードウェアセキュリティ向けの高信頼の... [more] SDM2019-39 ICD2019-4
pp.15-19
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-09
10:50
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 [招待講演]ISO26262 ASIL-Dをサポートする、次世代自動車アーキテクチャ向けに仮想化支援プロセッサを内蔵した28nm・600MHz車載フラッシュマイクロコントローラ
奥村直人大谷寿賀子大槻典正鈴木康文前田昇平柳田智則小池貴夫伊藤正雄上村 稔島崎靖久服部俊洋阪本憲成近藤弘郁ルネサス エレクトロニクスSDM2019-47 ICD2019-12
自動車の電気電子(E/E)アーキテクチャ進化に伴い、電子制御ユニット(ECU)の統合が求められている。ECU機能の統合に... [more] SDM2019-47 ICD2019-12
pp.67-71
CAS, CS
(共催)
2019-03-08
15:00
神奈川 湘南工科大学 [特別招待講演]車載Ethernetの最新トレンド
帆加利知史北島伸克ルネサス エレクトロニクスCAS2018-145 CS2018-113
自動運転、コネクテッドカーを実現するためにこれまでにない大容量車両内データを処理する手段として、車載システムへのEthe... [more] CAS2018-145 CS2018-113
p.39
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-09
12:45
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 10nm FinFETプロセスにおける回復効果を含むBTIのスタンダードセルのレイアウト形状依存性に関する研究
五十嵐満彦内田優希高沢義生塚本康正澁谷宏治新居浩二ルネサス エレクトロニクスSDM2018-47 ICD2018-34
 [more] SDM2018-47 ICD2018-34
pp.109-113
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-09
13:10
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 12nm FinFETプロセスを用いた3G search/s高速デュアルポートTCAMの開発
藪内 誠森本薫夫新居浩二田中信二ルネサス エレクトロニクスSDM2018-48 ICD2018-35
 [more] SDM2018-48 ICD2018-35
pp.115-120
ICD 2018-04-20
10:20
東京 機械振興会館 [依頼講演]IoT向け65nmSOTBプロセスを用いた2RWデュアルポートSRAMの設計事例
澤田陽平山本芳樹長谷川拓実新川田裕樹藪内 誠ルネサス エレクトロニクス)・篠崎義弘伊東恭二日本システムウエア)・田中信二新居浩二蒲原史郎ルネサス エレクトロニクスICD2018-8
 [more] ICD2018-8
pp.29-32
ICD 2018-04-20
10:45
東京 機械振興会館 [依頼講演]同/異RowでのWLパルスタイミング調整を用いた同期型2RW 8T Dual-port SRAMのダイナミック電力削減
横山佳巧石井雄一郎奥田治之新居浩二RELICD2018-9
同期2-read/write (2RW) 8T dual-port (DP) SRAMにおいて動作電力を削減する効果的な... [more] ICD2018-9
pp.33-38
SDM 2017-10-26
13:00
宮城 東北大学未来研 [依頼講演]28nmスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリを用いた高温動作かつ低エラー率を実現するPUF技術
下井貴裕斉藤朋也長瀬寛和伊豆名雅之神田明彦伊藤 孝河野隆司ルネサス エレクトロニクスSDM2017-58
28nmスプリットゲートMONOS(SG-MONOS)型フラッシュメモリを用いた、ハードウェアセキュリティ向けの高信頼の... [more] SDM2017-58
pp.45-49
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2017-07-31
10:40
北海道 北海道大学情報教育館 SOTBプロセスによるIoT向け低消費電力混載SRAMの開発
藪内 誠新居浩二田中信二ルネサス エレクトロニクス)・篠崎義弘日本システムウエア)・山本芳樹長谷川拓実新川田裕樹蒲原史朗ルネサス エレクトロニクスSDM2017-33 ICD2017-21
 [more] SDM2017-33 ICD2017-21
pp.13-16
ICD 2017-04-20
15:20
東京 機械振興会館 [招待講演]車載用アプリケーションが求める混載Flash技術
中野全也伊藤 孝山内忠昭山口泰男河野隆司日高秀人ルネサス エレクトロニクスICD2017-8
低燃費エンジンおよびADAS(Advanced Driver Assistance System)の高性能化が進む中、車... [more] ICD2017-8
pp.39-44
ICD 2017-04-21
10:25
東京 機械振興会館 [依頼講演]16-nm FinFETを用いた6.05-Mb/mm2の高密度及び313psの高速読み出し可能なDouble Pumping型1W1R 2-port SRAM
澤田陽平藪内 誠森本薫夫ルネサス エレクトロニクス)・佐野聡明ルネサス システムデザイン)・石井雄一郎田中信二ルネサス エレクトロニクス)・田中美紀ルネサス システムデザイン)・新居浩二ルネサス エレクトロニクスICD2017-12
 [more] ICD2017-12
pp.63-65
ICD, CPM, ED, EID, EMD, MRIS, OME, SCE, SDM
(共催)
QIT
(併催) [詳細]
2017-01-31
15:25
広島 みやじま杜の宿(広島) ビット密度5.92Mb/mm2を実現したダブルポンピング回路を用いた28nm擬似2RW DP-SRAM
石井雄一郎薮内 誠澤田陽平森本薫夫塚本康正ルネサス エレクトロニクス)・良田雄太柴田 健佐野聡明ルネサス システムデザイン)・田中信二新居浩二ルネサス エレクトロニクスEMD2016-86 MR2016-58 SCE2016-64 EID2016-65 ED2016-129 CPM2016-130 SDM2016-129 ICD2016-117 OME2016-98
6TシングルポートSRAMセルとダブルポンピング回路を用いて、2-read/write (2RW)機能を実現した擬似2R... [more] EMD2016-86 MR2016-58 SCE2016-64 EID2016-65 ED2016-129 CPM2016-130 SDM2016-129 ICD2016-117 OME2016-98
pp.87-92
ICD 2016-04-14
10:10
東京 機械振興会館 [依頼講演]低消費電力MCU向け40-nm 4-Mb組込みSRAMを用いた効率的なスクリーニング手法
良田雄太ルネサス システムデザイン)・横山佳巧石井雄一郎ルネサス エレクトロニクス)・稲田敏浩田中浩司田中美紀辻橋良樹ルネサス システムデザイン)・新居浩二ルネサス エレクトロニクスICD2016-1
低消費マイコン(MCU)向けに、効率的なテストスクリーニング回路を搭載した組込みシングルポートSRAMを開発した。室温で... [more] ICD2016-1
pp.1-6
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