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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, ED, CPM
(共催)
2023-11-30
14:55
静岡 アクトシティ浜松 電圧印加界面顕微光応答法によるAu/Ni/薄層高濃度Mgドープp-GaN/n-GaNショットキー接触の二次元評価
吉村遥翔今林弘毅福井大)・堀切文正成田好伸藤倉序章住友化学)・太田 博三島友義法政大)・塩島謙次福井大ED2023-18 CPM2023-60 LQE2023-58
界面顕微光応答法( Scanning Internal Photoemission Microscopy : SIPM ... [more] ED2023-18 CPM2023-60 LQE2023-58
pp.21-24
CPM, ED, LQE
(共催)
2022-11-24
14:15
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター)(名古屋)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
電圧印加界面顕微光応答法によるn-GaNショットキー接触の電界集中の可視化
今林弘毅福井大)・堀切文正成田好伸福原 昇住友化学)・三島友義法政大)・塩島謙次福井大ED2022-33 CPM2022-58 LQE2022-66
 [more] ED2022-33 CPM2022-58 LQE2022-66
pp.45-48
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2015-01-23
10:30
京都 龍谷大学響都ホール校友会館 カラーフィルター用MIM装置のシミュレション ~ MIMシミュレションによる技術研究報告 ~
バナジー シャッショティー住友化学EID2014-51
 [more] EID2014-51
pp.87-90
SDM 2014-01-29
10:25
東京 機械振興会館 [招待講演]MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs
入沢寿史小田 穣池田圭司守山佳彦三枝栄子W Jevasuwan前田辰郎産総研)・市川 麿長田剛規秦 雅彦住友化学)・宮本恭幸東工大)・手塚 勉産総研SDM2013-137
(111)B面をチャネルとする底辺30 nmの三角形状In0.53Ga0.47As-OI nMOSFETsをSi基板上に... [more] SDM2013-137
pp.9-12
SDM 2014-01-29
15:05
東京 機械振興会館 [招待講演]強い短チャネル効果耐性と閾値変調性を持つ極薄膜InAs-on-Insulator Tri-Gate MOSFET
金 相賢横山正史中根了昌東大)・市川 磨長田剛規秦 雅彦住友化学)・竹中 充高木信一東大SDM2013-144
 [more] SDM2013-144
pp.39-42
SDM 2013-06-18
11:15
東京 機械振興会館 InGaAs MOSゲートスタック電気特性に与えるメタルゲート電極の影響
張 志宇横山正史金 相賢東大)・市川 磨長田剛規秦 雅彦住友化学)・竹中 充高木信一東大SDM2013-50
メタルゲート電極がInGaAs MOSゲートスタックの電気特性に与える影響を評価するために、Al2O3/InGaAsとH... [more] SDM2013-50
pp.33-37
SDM 2010-06-22
14:10
東京 東京大学(生産研An棟) High-k/III‐V界面の組成・構造とMIS特性との関係
安田哲二宮田典幸卜部友二石井裕之板谷太郎前田辰郎産総研)・山田 永福原 昇秦 雅彦住友化学)・大竹晃浩物質・材料研究機構)・星井拓也横山正史竹中 充高木信一東大SDM2010-42
ゲート長が10 nm以下となる技術世代において駆動力向上と低消費電力化を可能にする技術としてIII-V族半導体をチャネル... [more] SDM2010-42
pp.49-54
OME 2008-05-29
14:40
東京 電気倶楽部第3会議室 異方性繊維を用いた新規偏光板とその特性 ~ 偏向に依存した拡散特性の制御 ~
戸谷健朗東京農工大)・林 秀樹住友化学)・渡辺敏行東京農工大OME2008-26
光を吸収することなく偏光を分離する偏光板を実現するために,複屈折ファイバーとマリックス樹脂で囲んだポリマーコンポジットを... [more] OME2008-26
pp.29-34
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