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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ICD (共催) |
2013-08-02 09:00 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス (石川県) | SRAMセル安定性指標パラメータの検討：ノイズマージンかVminか? ○Anil Kumar・更屋拓哉（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・平本俊郎（東大）  SDM2013-74 ICD2013-56 |
SRAMセルの安定性の指標となるパラメータとして，ノイズマージン(NM)と最低動作電圧(Vmin)を比較検討した．NMと... [more] | SDM2013-74 ICD2013-56 pp.43-46 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2013-07-04 09:30 |
北海道 | サン・リフレ函館 (北海道) | 自動パワーゲーティングと多段インバータを用いた0.7V、9.2uW、39MHz水晶発振回路 ○井口俊太（東大）・齋藤 晶（半導体理工学研究センター）・鄭 雲飛（東大）・渡辺和紀（半導体理工学研究センター）・桜井貴康・高宮 真（東大） ICD2013-24 |
無線センサネット向け無線通信用の発振周波数39MHzの低電圧・低消費電力水晶発振回路を40nm CMOSで開発した。本稿... [more] | ICD2013-24 pp.1-6 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2013-07-04 10:20 |
北海道 | サン・リフレ函館 (北海道) | 共振周波数と独立にクロック周波数を設定可能な間欠型共振クロック分配技術 ○更田裕司（東大）・野村昌弘（半導体理工学研究センター）・高宮 真・桜井貴康（東大） ICD2013-26 |
本稿では，閾値電圧近傍の非常に低い電源電圧で動作するロジック回路向けの，共振周波数と独立にクロック周波数を設定可能な間欠... [more] | ICD2013-26 pp.13-18 |
| ICD | 2013-04-12 14:45 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター (茨城県) | ［依頼講演］非選択カラムのビット線電荷を有効利用するためのチャージコレクタ回路を搭載した13.8pJ/Access/Mbit SRAM ○森脇真一・山本安衛・鈴 木 利 一（半導体理工学研究センター）・川澄 篤（東芝）・宮野信治・篠原尋史（半導体理工学研究センター）・桜井貴康（東大） ICD2013-20 |
本論文は、非選択カラムの電荷を有効利用のためのチャージコレクタ回路を有する1Mb SRAMを40nmテクノロジで製作した... [more] | ICD2013-20 pp.103-108 |
| MW | 2013-03-07 14:20 |
広島 | 広島大学 (広島県) | ［招待講演］センサネット向けサブ50uW, 0.5V動作315MHz帯トランシーバ回路 ○高宮 真（東大）・齋藤 晶（半導体理工学研究センター）・井口俊太・本田健太郎・鄭 雲飛（東大）・渡辺和紀（半導体理工学研究センター）・桜井貴康（東大） MW2012-177 |
[more] | MW2012-177 pp.97-102 |
| ICD | 2012-12-17 15:55 |
東京 | 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール (東京都) | ［ポスター講演］局所電子注入非対称パスゲートトランジスタを有する6T-SRAMのためのしきい値電圧付近ワード線電圧注入法によるしきい値電圧ばらつきの自己収束 ○小林大介・宮地幸祐（中大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・竹内 健（中大） ICD2012-94 |
6T-SRAMにおいて，しきい値電圧（VTH）のばらつきにより低下する読み出しマージンを改善するため，パスゲートトランジ... [more] | ICD2012-94 p.31 |
| ICD | 2012-12-18 14:20 |
東京 | 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール (東京都) | デュアル電源電圧方式による315MHz帯無線送信回路の高効率化 ○井口俊太（東大）・齋藤 晶・渡辺和紀（半導体理工学研究センター）・桜井貴康・高宮 真（東大） ICD2012-119 |
315MHz帯無線センサネット向けの通信速度1Mbps、キャリア周波数314MHz、OOK変調方式の低電圧・低消費電力無... [more] | ICD2012-119 pp.121-126 |
| ICD, SDM (共催) |
2012-08-02 09:35 |
北海道 | 札幌市男女共同参画センター (北海道) | 読出しビット線リミット機構を備えた40-nm 256-Kbサブ10pJ/access動作8T SRAM ○吉本秀輔・寺田正治・梅木洋平・奥村俊介（神戸大）・川澄 篤・鈴木利一・森脇真一・宮野信治（半導体理工学研究センター）・川口 博・吉本雅彦（神戸大） SDM2012-64 ICD2012-32 |
[more] | SDM2012-64 ICD2012-32 pp.7-12 |
| ICD, SDM (共催) |
2012-08-02 10:00 |
北海道 | 札幌市男女共同参画センター (北海道) | SRAMセル安定性の一括ポストファブリケーション自己修復技術 ○クマール アニール・更屋拓哉（東大）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・平本俊郎（東大） SDM2012-65 ICD2012-33 |
電源電圧線(VDD)へ高電圧ストレスを製造後に印加することにより，SRAMセルの安定性が自己修復することを1kビットのS... [more] | SDM2012-65 ICD2012-33 pp.13-16 |
| ICD, SDM (共催) |
2012-08-02 11:25 |
北海道 | 札幌市男女共同参画センター (北海道) | ［招待講演］0.5V動作低エネルギー回路と応用 ○篠原尋史（半導体理工学研究センター） SDM2012-67 ICD2012-35 |
電源電圧を0.5Vあるいはそれ以下の極低電圧で動作させることが、根本的なLSI消費エネルギー低減策として期待が集まってい... [more] | SDM2012-67 ICD2012-35 pp.23-28 |
| ICD, SDM (共催) |
2012-08-03 13:35 |
北海道 | 札幌市男女共同参画センター (北海道) | オンチップゲートブーストを用いた0.45V入力、効率90%以上のバックコンバータ ○張 信・陳 柏宏（東大）・劉 良勝（半導体理工学研究センター）・石田光一（東大）・大熊康介・渡辺和紀（半導体理工学研究センター）・桜井貴康・高宮 真（東大） SDM2012-83 ICD2012-51 |
[more] | SDM2012-83 ICD2012-51 pp.111-114 |
| ICD, SDM (共催) |
2012-08-03 15:30 |
北海道 | 札幌市男女共同参画センター (北海道) | 多位相発振器による適応パルス幅制御を用いた低電圧・高速磁界結合通信機 ○浦野雄貴・松原岳志（慶大）・林 勇（半導体理工学研究センター）・アブル ハサン ジョハリ・小平 薫・徐 照男・黒田忠広・石黒仁揮（慶大） SDM2012-86 ICD2012-54 |
本研究では高速近接無線通信のための適応パルス幅制御を用いたパルスベース磁界結合通信機を提案する．適応パルス幅制御器はデジ... [more] | SDM2012-86 ICD2012-54 pp.127-132 |
| ICD, SDM (共催) |
2012-08-03 15:55 |
北海道 | 札幌市男女共同参画センター (北海道) | 38uW間欠サンプリング受信回路と52uW F級送信回路を備えたオール0.5V動作1Mbps，315MHz帯無線トランシーバ ○井口俊太（東大）・斎藤 晶（半導体理工学研究センター）・本田健太郎・鄭 雲飛（東大）・渡辺和紀（半導体理工学研究センター）・桜井貴康・高宮 真（東大） SDM2012-87 ICD2012-55 |
[more] | SDM2012-87 ICD2012-55 pp.133-138 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-29 12:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 (沖縄県) | Reliability Measurement of PFETs under Post Fabrication Self-Improvement Scheme for SRAM ○Nurul Ezaila Alias・Anil Kumar・Takuya Saraya（Univ. of Tokyo）・Shinji Miyano（STARC）・Toshiro Hiramoto（Univ. of Tokyo） |
The negative bias temperature instability (NBTI) reliability... [more] | |
| ICD | 2012-04-23 17:00 |
岩手 | つなぎ温泉清温荘（岩手県） (岩手県) | ［パネル討論］”復興”メモリと日本の明日に向かって ○宮野信治（半導体理工学研究センター）・佐々木 淳（岩手県庁）・大石基之（日経BP）・松永翔雲（東北大）・竹内 健（中大）・助川 博（東芝） ICD2012-6 |
[more] | ICD2012-6 p.29 |
| ICD | 2012-04-24 13:00 |
岩手 | つなぎ温泉清温荘（岩手県） (岩手県) | ［招待講演］高速、低消費電力6T-SRAMを実現する電荷の同時注入による不良セルの修復技術 ○宮地幸祐（東大）・鈴木利一（パナソニック）・宮野信治（半導体理工学研究センター）・竹内 健（東大） ICD2012-12 |
[more] | ICD2012-12 pp.61-66 |
| ICD | 2012-04-24 13:50 |
岩手 | つなぎ温泉清温荘（岩手県） (岩手県) | [依頼講演]ビット線振幅量を抑えるチャージシェア階層ビット線方式を用いた0.4V動作SRAM ○森脇真一・川澄 篤（半導体理工学研究センター）・鈴木利一（パナソニック）・山本安衛・宮野信治・篠原尋史（半導体理工学研究センター）・桜井貴康（東大） ICD2012-13 |
[more] | ICD2012-13 pp.67-71 |
| ICD | 2012-04-24 14:15 |
岩手 | つなぎ温泉清温荘（岩手県） (岩手県) | [依頼講演] 低電力ディスターブ緩和技術を備えた40nm 0.5V 12.9pJ/access 8T SRAM ○吉本秀輔・寺田正治・奥村俊介（神戸大）・鈴木利一・宮野信治（半導体理工学研究センター）・川口 博・吉本雅彦（神戸大） ICD2012-14 |
本論文では，低電圧かつ低消費電力な動作を実現可能な低電力ディスターブ緩和技術を提案する．提案技術は，プリチャージレスイコ... [more] | ICD2012-14 pp.73-78 |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-26 12:55 |
富山 | 富山県民会館 (富山県) | ［招待講演］エナジーハーベストを用いた無線センサノードに適用可能な0.5V極低電力回路技術 ○高宮 真・石田光一・更田裕司（東大）・野村昌弘・篠原尋史（半導体理工学研究センター）・桜井貴康（東大） SDM2011-88 ICD2011-56 |
エナジーハーベストを用いた無線センサノードに適用可能な0.5V極低電力回路技術について示す。ロジック回路の最低可動電圧(... [more] | SDM2011-88 ICD2011-56 pp.87-92 |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-26 16:05 |
富山 | 富山県民会館 (富山県) | 自動選択電荷注入を用いたCMOSロジック回路の最低可動電圧（VDDmin）の低減 ○本田健太郎・池内克之（東大）・野村昌弘（半導体理工学研究センター）・高宮 真・桜井貴康（東大） SDM2011-94 ICD2011-62 |
[more] | SDM2011-94 ICD2011-62 pp.121-126 |
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