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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2009-11-13
15:00
東京 機械振興会館 チャネル不純物分布を正確に反映した離散化表面ポテンシャルモデルとその超高速不純物濃度ばらつき解析への応用
坂本浩則有本 宏増田弘生船山 敏熊代成孝MIRAI-SeleteSDM2009-148
 [more] SDM2009-148
pp.73-78
SDM 2009-06-19
11:20
東京 東京大学(生産研An棟) GeMIS界面欠陥の電気的性質
田岡紀之水林 亘森田行則右田真司太田裕之半導体MIRAIプロジェクト)・高木信一半導体MIRAIプロジェクト/東大SDM2009-30
Ge MIS界面の電気的特性の理解は、少数キャリアの複雑な応答のため非常に困難である。そこで、本報告では、少数キャリアと... [more] SDM2009-30
pp.21-26
SDM 2008-06-10
10:55
東京 東京大学(生産研 An棟) High-k MOSデバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO2界面の役割
岩本邦彦上牟田雄一半導体MIRAI-ASET)・布重 裕芝浦工大/半導体MIRAI-産総研ASRC)・平野晃人小川有人渡邉幸宗半導体MIRAI-ASET)・右田慎二水林 亘森田行則半導体MIRAI-産総研ASRC)・高橋正志半導体MIRAI-ASET)・太田裕之半導体MIRAI-産総研ASRC)・生田目俊秀半導体MIRAI-ASET)・鳥海 明半導体MIRAI-産総研ASRC/東大SDM2008-51
 [more] SDM2008-51
pp.53-58
SDM 2006-06-22
14:15
広島 広島大学, 学士会館 還元雰囲気下でのゲート電極形成プロセスによるHfo2膜の初期絶縁破壊
水林 亘小川有人生田目俊秀佐竹秀喜鳥海 明産総研
 [more] SDM2006-61
pp.107-111
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