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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE 2015-12-18
09:50
東京 機械振興会館 窒化物半導体LEDの光取出し効率向上のための電磁界解析シミュレーション
尾崎 智山口敦史金沢工大)・後藤裕輝碓井 彰古河機械金属LQE2015-123
高出力用途の白色LED用の基板として、選択成長技術によって転位密度を低減したGaNテンプレート基板が注目されている。本報... [more] LQE2015-123
pp.1-4
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-27
14:30
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 ナノインプリントリソグラフィを用いたナノチャネルFIELO法により作製されたGaNテンプレートの2次元歪みマッピング
南部優賢山口敦史金沢工大)・後藤裕輝砂川晴夫松枝敏晴古河機械金属)・岡田愛姫子早大)・篠原秀敏後藤博史東芝機械)・水野 潤早大)・碓井 彰古河機械金属ED2014-80 CPM2014-137 LQE2014-108
白色LEDにおいて大電流領域で効率が低下する現象(Droop現象)を抑制する1つの手法として,下地のGaN膜(基板)の高... [more] ED2014-80 CPM2014-137 LQE2014-108
pp.33-38
ED 2013-04-18
15:55
宮城 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム [招待講演]UVナノインプリントによって形成したナノチャンネルFIELO法による低転位GaNテンプレート基板作製の研究
水野 潤岡田愛姫子庄子習一早大)・山口敦史金沢工大)・後藤裕輝砂川晴夫松枝敏晴古河機械金属)・篠原秀敏西原浩巳後藤博史東芝機械)・碓井 彰古河機械金属ED2013-8
UVナノインプリント技術によって形成するナノチャンネルFIELO法を提案し、サファイア基板上のGaN結晶において、膜厚2... [more] ED2013-8
pp.27-29
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-18
10:20
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール 顕微反射スペクトル測定によるGaN基板残留歪みの精密マッピング測定
山口敦史金沢工大)・耿 慧遠砂川晴夫石原裕次郎松枝敏晴碓井 彰古河機械金属ED2011-90 CPM2011-139 LQE2011-113
GaN基板に残留する微小歪み(0.01%程度)をミクロンオーダーの空間分解能で測定する新しい手法を開発した。これは、価電... [more] ED2011-90 CPM2011-139 LQE2011-113
pp.87-91
CPM, LQE, ED
(共催)
2010-11-12
10:50
大阪 阪大 中ノ島センター GaN自立基板を用いた縦型ダイオード
八木修一平田祥子住田行常別所公博河合弘治パウデック)・松枝敏晴碓井 彰古河機械金属ED2010-156 CPM2010-122 LQE2010-112
2インチn型GaN自立基板上にMOCVD法を用いてGaNエピタキシャル成長した基板を使用し、縦型のショットキーバリアダイ... [more] ED2010-156 CPM2010-122 LQE2010-112
pp.63-66
ED, LQE, CPM
(共催)
2009-11-19
09:25
徳島 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) HVPE法によるm面サファイヤ基板上{11-22}面GaN結晶の作製
佐々木 斉後藤裕輝碓井 彰古河機械金属ED2009-129 CPM2009-103 LQE2009-108
サファイヤ基板上HVPE成長により{11-22}面GaN層の作製を試みた。2インチm面サファイヤ基板上に、MOCVD法に... [more] ED2009-129 CPM2009-103 LQE2009-108
pp.5-8
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