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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-27
11:40
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造における縦方向リーク電流の初期AlN層依存性
山岡優哉大陽日酸)・伊藤和宏名工大)・生方映徳田渕俊也松本 功大陽日酸)・江川孝志名工大ED2015-83 CPM2015-118 LQE2015-115
本調査では、成長条件が異なる2種類のSi基板上AlNを製作し、scanning electron microscope(... [more] ED2015-83 CPM2015-118 LQE2015-115
pp.77-80
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-29
11:55
大阪 大阪市立大学 大口径Si基板(6インチ&8インチ)上のAlN、AlGaNの高速成長
徳永裕樹生方映徳矢野良樹山岡優哉山口 晃田渕俊也大陽日酸)・松本 功大陽日酸EMCED2012-69 CPM2012-126 LQE2012-97
 [more] ED2012-69 CPM2012-126 LQE2012-97
pp.17-20
SDM 2012-03-05
13:30
東京 機械振興会館 ALD/CVDによる次世代Cu配線用単層バリヤ/ライナーCo(W)膜
清水秀治大陽日酸/東大)・嶋 紘平百瀬 健東大)・小林芳彦大陽日酸)・霜垣幸浩東大SDM2011-180
ULSIの微細化に伴う配線抵抗の増大を抑えるため、新たな材料が必要とされている。特に、Cu配線の側壁に形成されるバリヤ/... [more] SDM2011-180
pp.25-29
SDM 2011-02-07
15:55
東京 機械振興会館 新プリカーサーを用いた低透水性バリアLow-k SiC膜(k<3.5)
宇佐美達矢小林千香子三浦幸男ルネサス エレクトロニクス)・永野修次大陽日酸)・大音光市ルネサス エレクトロニクス)・清水秀治大陽日酸)・加田武史大平達也トリケミカル研)・藤井邦宏ルネサス エレクトロニクスSDM2010-225
今回、CuバリアLow-k膜として、新プリカーサーであるDiBDMS (Di-iso-Buthyl DiMethyl S... [more] SDM2010-225
pp.55-58
ED, LQE, CPM
(共催)
2009-11-20
09:55
徳島 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) 4inch×11枚大型MOVPE装置(UR25K)を用いた窒化ガリウムの高速成長
矢野良樹池永和正徳永裕樹大陽日酸)・山本 淳大陽日酸イー・エム・シー)・田渕俊也大陽日酸)・内山康右大陽日酸イー・エム・シー)・山口 晃福田 靖生方映徳大陽日酸)・原田康博伴 雄三郎松本 功大陽日酸イー・エム・シー)・山崎利明大陽日酸ED2009-148 CPM2009-122 LQE2009-127
我々は4インチ基板11枚を1バッチで処理できる大型MOVPE装置(UR25K)を開発した。GaN系デバイスの成長時間の短... [more] ED2009-148 CPM2009-122 LQE2009-127
pp.95-98
US 2008-12-19
13:30
神奈川 東京工業大学(すずかけ台キャンパスG4棟2F中会議室) たわみ振動棒を用いた液面計の実用構成とその設計
中村健太郎小山大介上羽貞行東工大)・温井一光日本アプライドフロー)・池田顕蔵大陽日酸US2008-67
たわみ振動する金属棒を液中に入れると,液体の付加質量効果によってその共振周波数が低下する。この周波数変化を読み取れば棒の... [more] US2008-67
pp.1-6
EA, US
(併催)
2008-01-29
10:40
大阪 関西大学 棒のたわみ振動による液量測定方法
小山大介中村健太郎上羽貞行高橋久徳東工大)・温井一光日本アプライドフロー)・池田顕蔵大陽日酸US2007-98
 [more] US2007-98
pp.11-16
CPM, ED, LQE
(共催)
2007-10-11
15:20
福井 福井大学 アンモニアガス中の水分によるInGaN LEDのEL発光強度への影響 ~ MOVPEによるLED構造の成長におけるアンモニアガス中の水分管理 ~
万行大貴小野宏之・○小林芳彦松本 功渋谷和信大陽日酸ED2007-160 CPM2007-86 LQE2007-61
 [more] ED2007-160 CPM2007-86 LQE2007-61
pp.25-28
SDM 2007-10-05
11:20
宮城 東北大学 減圧雰囲気下でプラズマとCa(OH)2/CaOを用いる高効率フロロカーボン除去システムの開発
鈴木克昌石原良夫迫田 薫大陽日酸)・白井泰雪平山昌樹寺本章伸大見忠弘東北大)・渡辺高行宇部マテリアルズSDM2007-184
 [more] SDM2007-184
pp.35-38
LQE, ED, CPM
(共催)
2005-10-14
16:10
滋賀 立命館大学 2インチ6枚仕様MOCVDを用いたInGaN/GaN量子井戸構造のPLによるIn偏析評価
池永和正生方映徳山口 晃阿久津仲男藤居勤二松本 功大陽日酸
 [more] ED2005-156 CPM2005-143 LQE2005-83
pp.81-84
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