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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2021-08-18
11:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]低電圧動作・低温プロセス・高エンデュランスの極薄膜HfO2系強誘電体の実証 ~ 微細技術ノードの混載メモリへの展開 ~
トープラサートポン カシディット田原建人東大)・彦坂幸信中村 亘齋藤 仁富士通セミコンダクターメモリソリューション)・竹中 充高木信一東大SDM2021-38 ICD2021-9
本研究は、厚さ2.8~9.5 nmをもつHf0.5Zr0.5O2の強誘電体キャパシタの作製プロセス、強誘電特性、およびメ... [more] SDM2021-38 ICD2021-9
pp.42-47
ICD 2017-04-21
10:00
東京 機械振興会館 [依頼講演]A 55nm Ultra Low Leakage Deeply Depleted Channel Technology Optimized for Energy Minimization in Subthreshold SRAM and Logic
Harsh N. PatelAbhishek RoyFarah B. YahyaNingxi LiuBenton CalhounUVA)・Akihiko HaradaFEA)・Kazuyuki KumenoMakoto YasudaTaiji EmaMIFSICD2017-11
本稿では55nm超低リークDDC技術によるULL(Ultra-Low Leakage)トランジスタを用いた回路特性の評価... [more] ICD2017-11
pp.57-61
ICD 2016-04-14
14:50
東京 機械振興会館 [依頼講演]A Triple-Protection Structured COB FRAM with 1.2-V Operation and 1E17-Cycle Endurance
齋藤 仁中村 亘小澤聡一郎佐次田直也三原 智彦坂幸信王 文生堀 智之高井一章中澤光晴小杉 騰濱田 誠川嶋将一郎恵下 隆松宮正人FSLICD2016-9
我々は低電圧1.2 V動作, 書き換え回数1E17 サイクルの強誘電体RAM(FRAM)を開発した。我々が新たに開発した... [more] ICD2016-9
pp.45-49
SDM 2016-01-22
10:40
東京 東京大学 山上会館 [招待講演]常温12年応力変動の結果から銅配線のストレスマイグレーションメカニズムの再考
松山英也ソシオネクスト)・鈴木貴志中村友二富士通研)・塩津基樹江原英郎三重富士通セミコンダクターSDM2015-109
 [more] SDM2015-109
pp.5-8
SDM, ICD
(共催)
2013-08-02
14:25
石川 金沢大学 角間キャンパス [招待講演]ミッションクリティカルUNIXサーバ向け第10世代16コアSPARC64プロセッサ
菅 竜二田中智浩杉崎 剛西山龍一酒林聰太富士通)・小柳洋一富士通研)・岩月竜二早坂和美富士通)・上村大樹富士通セミコンダクター)・伊藤 学小関由知安達裕幸古谷和弘本車田 強富士通SDM2013-83 ICD2013-65
28nm CMOSプロセスを用いて16コア、24MB共有2次キャッシュ、システム/DDR3/PCIeインターフェースを搭... [more] SDM2013-83 ICD2013-65
pp.95-98
ICD, ITE-IST
(連催)
2013-07-04
10:55
北海道 サン・リフレ函館 [招待講演]データ補間回路を用いた2-tap DFE付32Gb/sデータ受信器
土肥義康柴崎崇之檀上 匠ウィン チャイヴィパース橋田拓志富士通研)・宮岡弘樹富士通セミコンダクター)・星野正格富士通マイクロソリューションズ)・小柳洋一富士通研)・山本拓司富士通米国研)・塚本三六田村泰孝富士通研ICD2013-27
本論文では,プリント回路基板(PCB)上チップ間電気通信において,非同期サンプリングクロックを用いてサンプリングした電圧... [more] ICD2013-27
pp.19-24
CAS 2013-01-29
10:15
大分 別府国際コンベンションセンター タイムインタリーブ型A/D変換器の高速オールデジタル補正
野崎 剛富士通マイクロソリューションズ)・吉岡正人富士通研)・薛 宗陽富士通マイクロソリューションズ)・梅田定美富士通セミコンダクター)・塚本三六富士通研CAS2012-81
イムインタリーブ型A/D変換器は、複数のA/D変換器が交互に動作することで、容易に高速変換を実現できる方式である。しかし... [more] CAS2012-81
pp.89-94
ICD 2012-12-18
10:55
東京 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール [招待講演]ソフトエラー評価技術と対策技術
上村大樹富士通セミコンダクターICD2012-116
ソフトエラーとは一過性のエラーのことで、宇宙線起因の中性子線、IC材料中の放射性不純物起因のα線により発生する。近年微細... [more] ICD2012-116
pp.103-108
ICD, ITE-IST
(連催)
2012-07-27
11:40
山形 山形大学米沢キャンパス [招待講演]90nm CMOSテクノロジを用いた3バンド対応W-CDMA用電力増幅器IC
神田浩一富士通研)・川野陽一佐々木孝朗白井徳明田村哲朗川井重明工藤真大村上智敏富士通セミコンダクター)・中本裕之富士通研)・長谷川延正加納英樹富士通セミコンダクター)・峰山亜希子大石和明富士通研)・島 昌司田村直義富士通セミコンダクターICD2012-28
 [more] ICD2012-28
pp.65-70
SDM 2011-11-10
14:40
東京 機械振興会館 [招待講演]STMによるキャリア分布測定のデバイスシミュレーション
福田浩一西澤正泰多田哲也産総研)・Leonid Bolotov筑波大)・鈴木 腕佐藤成生富士通セミコンダクター)・有本 宏金山敏彦産総研SDM2011-119
 [more] SDM2011-119
pp.21-26
MW, AP
(併催)
2011-09-09
16:50
大阪 大阪大学 (豊中キャンパス) 給電線付折返しダイポールアンテナのWiMAX用小型端末への適用
永利美緒伊藤 敦防衛大)・作間允力雄富士通セミコンダクター)・森下 久防衛大AP2011-76
折返しダイポールアンテナに4分の1波長の給電線を付加することで,入力インピーダンスを変換し,2共振特性が得られることが既... [more] AP2011-76
pp.65-70
SDM, ICD
(共催)
2011-08-25
11:15
富山 富山県民会館 [招待講演]強誘電体メモリ(FeRAM)の技術動向 ~ 2010とこれから ~
川嶋将一郎富士通セミコンダクターSDM2011-76 ICD2011-44
強誘電体は自発分極をもちこの方向を0と1の記憶に用いた不揮発性メモリが
FeRAMである。強誘電体の例としてPZT(チ... [more]
SDM2011-76 ICD2011-44
pp.29-34
ICD, SDM
(共催)
2010-08-27
10:15
北海道 札幌エルプラザ内男女共同参画センター [招待講演]実デバイス基板を用いたサブ10ミクロンの薄化技術の開発
前田展秀金 永ソク東大)・彦坂幸信恵下 隆富士通セミコンダクター)・北田秀樹藤本興治東大)・水島賢子富士通研)・鈴木浩助大日本印刷)・中村友二富士通研)・川合章仁荒井一尚ディスコ)・大場隆之東大SDM2010-141 ICD2010-56
200mmおよび300mmのデバイスウェハーを10μm以下のレベルまで薄化した.裏面研削後にできる200nmの非結晶層は... [more] SDM2010-141 ICD2010-56
pp.95-97
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