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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SANE 2016-10-21
13:50
大阪 大阪工業大うめきたナレッジセンター 24GHz帯小型マルチモードセンサモジュールNJR4233Dを用いたドローン検知の検討
佐々木理志笹原俊彦保坂浩志菅 良太吉田和明後藤雅明渡邉 優塚田泰弘及川和夫新日本無線SANE2016-47
NJR4233Dは、多種多様なアプリケーションに使用可能な24GHz帯マイクロ波センサとして、当社が独自に提案する多機能... [more] SANE2016-47
pp.41-45
SR, SRW
(併催)
2016-05-17
10:45
海外 Hotel Lasaretti, Oulu, Finland [依頼講演]PoC of mmWave (40 and 60 GHz) Integrated 5G Heterogeneous Networks
Makoto AndoTokyo Institute of Tech.)・Toru TaniguchiJapan Radio)・Makoto NodaSony)・Akira YamaguchiKDDI R&D Lab.)・Kei SakaguchiFraunhofer Heinrich-Herz-InstituteSR2016-13
 [more] SR2016-13
pp.47-50
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-27
15:50
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 表面活性化ボンディング法に依るSi/SiC接合の電気特性
林 朋宏梁 剣波阪市大)・新井 学新日本無線)・重川直輝阪市大ED2015-90 CPM2015-125 LQE2015-122
 [more] ED2015-90 CPM2015-125 LQE2015-122
pp.111-115
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-28
13:30
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 表面活性化ボンディング法により形成したSi/SiCヘテロ接合の電気特性
西田将太梁 剣波森本雅史重川直輝阪市大)・新井 学新日本無線ED2013-68 CPM2013-127 LQE2013-103
表面活性化ボンディング法(SAB法)により形成されたp+-Si/n-4H-SiCヘテロ接合(アニール処理なし、アニール処... [more] ED2013-68 CPM2013-127 LQE2013-103
pp.21-25
ED 2013-10-23
10:50
北海道 北海道大学エンレイソウ レーダー用電子同調マグネトロンの実用性能と探知能力の改善
小畑英幸古元邦美辻 直樹新日本無線ED2013-61
電子同調マグネトロンは、マイクロ波出力信号に変調がかけられるため、レーダーに用いた場合、探知信号の情報量を飛躍的に増大さ... [more] ED2013-61
pp.47-52
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(連催)
ICD, CPM
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2011-11-28
16:05
宮崎 ニューウェルシティ宮崎 省面積抵抗ストリングDACと閉ループ・オフセット検出を用いたCMOSオペアンプのオフセット校正
森本浩之後藤弘明九工大)・藤原 宗新日本無線)・中村和之九工大VLD2011-65 DC2011-41
オペアンプ回路のオフセット補正を、製造後に可能にする新規回路方式を開発した。クローズドループ型の補正フィードバック方式を... [more] VLD2011-65 DC2011-41
pp.79-84
ED 2011-07-29
13:30
新潟 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター AlGaN/GaN HFETに対する炭素添加高抵抗化SiドープGaNバッファ層の効果
深井雅之柿澤秀介伏見 浩新日本無線ED2011-37
AlGaN/GaN HFETに必要な高抵抗バッファ層を,フェルミレベル効果の利用による低温成長の炭素添加SiドープGaN... [more] ED2011-37
pp.1-6
ED 2011-07-29
13:55
新潟 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター AlGaN/GaN HFETのMIMゲート構造による界面電荷の制御
深澤義道脇 英司伏見 浩新日本無線ED2011-38
高周波用AlGaN/GaN HFETにおいて,分極電荷を制御できればデバイス特性の向上に有効である.そこで,ECRスパッ... [more] ED2011-38
pp.7-12
ED 2009-10-16
10:35
福井 福井大学 産学官連携本部(旧地域共同研究センター) 3階 研修室 パルスマグネトロンにおけるスプリアス低減技術
小畑英幸古元邦美辻 直樹新日本無線ED2009-126
レーダーから輻射されるスプリアスを低減するために、パルスマグネトロンのスプリアス発振レベルを低減するアノード共振回路設計... [more] ED2009-126
pp.53-57
ED 2008-10-23
13:25
福岡 九州工業大学 低温成長GaNキャップ層エッジターミネーションを用いたシリコン基板上の高耐圧AlGaN/GaNショットキーバリアダイオード
鎌田 厚新日本無線)・江川孝志名工大ED2008-149
 [more] ED2008-149
pp.143-148
SDM, ED
(共催)
2008-07-09
11:40
北海道 かでる2・7(札幌) [招待講演]AlGaN/GaN-based Electron Devices with Low-temperature GaN Cap Layer
Tadayoshi DeguchiNew Japan Radio)・Takashi EgawaNagoya Inst. of Tech.ED2008-41 SDM2008-60
 [more] ED2008-41 SDM2008-60
pp.9-14
ED 2007-06-16
12:00
富山 富山大学 バナジウムイオン注入ガードリングを用いた4H-SiC PiNダイオードの逆方向特性
小野修一新井 学新日本無線ED2007-46
4H-SiC PiNダイオードのターミネーションとして、メサ構造とガードリング構造の2種類を形成して、逆方向特性を比較し... [more] ED2007-46
pp.79-83
ED, MW
(共催)
2006-01-18
13:30
東京 機械振興会館 フリップチップ実装技術を用いた低位相雑音76GHz帯プレーナー構造ガンVCO
吉田 孝深澤義道出口忠義川口 清杉山隆啓中川 敦新日本無線
フリップチップ実装技術を用いた低位相雑音76GHz帯プレーナ構造ガンVCOを開発した。主な特性は電源電圧3.3V(消費電... [more] ED2005-192 MW2005-146
pp.1-5
ED, MW
(共催)
2006-01-19
13:20
東京 機械振興会館 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET
出口忠義脇 英司小野 悟山下明一鎌田 厚中川 敦新日本無線)・石川博康江川孝志名工大
半絶縁性の低温成長GaN(LT-GaN)キャップ層を有するAlGaN/GaN へテロ接合トランジスタ(LT-GaN/Al... [more] ED2005-203 MW2005-157
pp.23-27
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