お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催スケジュール
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
    [Japanese] / [English] 
研究会名/開催地/テーマ  )→
 
講演検索  検索語:  /  範囲:題目 著者 所属 抄録 キーワード )→

すべての研究会開催スケジュール  (検索条件: すべての年度)

講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・降順)
 9件中 1~9件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
AP 2016-05-20
09:55
兵庫 神戸大学 ダブルリッジ導波管を用いた垂直偏波無指向性スロットアレーアンテナ
張 欣日立金属)・陳 明輝勝利微波AP2016-22
水平面内で無指向性を持つ垂直偏波アンテナの高利得化を実現するために,対称二重リッジ導波管を用いたスロットアレーアンテナを... [more] AP2016-22
pp.33-38
PN 2016-04-25
15:15
東京 機械振興会館 [招待講演]アクセス・メトロ領域のダークファイバーに適用可能なシンプルDWDM技術
土田 統安多 慎小林憲文日立金属PN2016-2
敷設済みで未利用の光ファイバーが,敷設した事業者以外の事業者に,いわゆるダークファイバーとして提供されている.本稿ではダ... [more] PN2016-2
pp.9-16
OPE 2015-12-11
12:00
石川 しいのき迎賓館 1310nm帯25Gbpsシリコンフォトニクス光送信器/CMOS受信器を用いた2km SMF/100m OM3-MMFエラーフリー伝送
若山雄貴奥村忠嗣佐川みすず松岡康信有本英生日立)・須永義則日立金属OPE2015-146
1310 nm帯シリコンフォトニクス光変調器とレンズ集積InGaAs面型受光器を用いSMF 2 km伝送,およびOM3-... [more] OPE2015-146
pp.35-38
AP, SANE
(併催)
2015-08-27
15:10
茨城 茨城大学 水戸キャンパス [チュートリアル講演]無線LAN用発泡ポリエチレン絶縁漏えい同軸ケーブル
中村弘樹岩竹俊一宮根康一安藤敏之村野慎介北野延明日立金属AP2015-66
 [more] AP2015-66
pp.31-35
PEM
(第二種研究会)
2014-07-04
13:10
神奈川 神奈川産技センタ [招待講演]漏えい同軸ケーブルのモバイルシステムへの応用 ~ 無線LANおよびセルラー用LCXの開発について ~
北野延明日立金属
 [more]
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-28
14:45
大阪 大阪大学 吹田キャンパス GaN自立基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価
塩島謙次木原雄平青木俊周福井大)・金田直樹三島友義日立金属ED2013-71 CPM2013-130 LQE2013-106
GaN自立基板を用いた低濃度厚膜ショットキーダイオードを作製し、電気的特性を評価した結果を報告する。厚さ12μmの低Si... [more] ED2013-71 CPM2013-130 LQE2013-106
pp.35-38
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-28
15:10
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 低Mgドープp-GaNショットキー接触のAC動作
塩島謙次青木俊周福井大)・金田直樹三島友義日立金属ED2013-72 CPM2013-131 LQE2013-107
電圧掃引速度、掃引方向を変化させたI-V測定、及び交流測定を低Mgドープp-GaNショットキー接触に対して行った。I-V... [more] ED2013-72 CPM2013-131 LQE2013-107
pp.39-42
ITE-MMS, MRIS
(共催)
2009-11-13
15:15
東京 早稲田大学 [招待講演]交換結合膜の薄膜化による磁気ヘッド再生ギャップ長の低減
三俣千春日立金属)・佐久間昭正深道和明東北大MR2009-33
磁気ヘッドの再生素子に用いられる反強磁性膜について,再生ギャップ長を低減させるための薄膜化を目的とし,反強磁性(AFM)... [more] MR2009-33
pp.25-30
SDM 2007-12-14
16:20
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 傾斜メサ構造とJTE領域を有する10 kV SiC PiNダイオード
日吉 透京大)・堀 勉日立)・須田 淳木本恒暢京大SDM2007-233
次世代パワーデバイス用半導体として期待されているSiCを用いて、デバイス終端構造に改良を加えた10 kV PiNダイオー... [more] SDM2007-233
pp.47-50
 9件中 1~9件目  /   
ダウンロード書式の初期値を指定してください NEW!!
テキスト形式 pLaTeX形式 CSV形式 BibTeX形式
著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会