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 23件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
IMQ, IE, MVE
(共催)
CQ
(併催) [詳細]
2023-03-17
10:45
沖縄 沖縄県青年会館(那覇市)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
Wiped-Rate Estimation for Semiconductor Manufacturing Using DNN Based on 3D Body Tracking
Takehiro NagataUniv. of Tsukuba)・Li-Wei ChengNCKU)・Hidehiko ShishidoUniv. of Tsukuba)・Hyejin KimChanya MahapunNaoki YoshiiTsuyoshi MoriyaTEL)・Itaru KitaharaUniv. of Tsukuba
 [more]
SDM 2023-02-07
11:25
東京 東京大学 武田ホール
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]2nm世代以降のロジックデバイスにむけた先端プロセス技術
山本知成TELSDM2022-87
 [more] SDM2022-87
pp.9-12
SDM 2022-02-04
09:45
ONLINE オンライン開催 [招待講演]SAMを用いた次世代ダマシンインテグレーション
永井洋之岩下光秋菊地裕樹東京エレクトロン)・河崎洋章ギアナ パッタナイクTTCA)・藤田啓一TKL)・岩井和俊TEA)・小松裕之尾崎優貴JSRSDM2021-75
SAMを用いてCu拡散バリアを絶縁膜上へ選択的に成膜し、Cuダマシン配線を形成した。この構造ではVia底バリアメタルが無... [more] SDM2021-75
pp.5-8
SDM 2021-06-22
13:10
ONLINE オンライン開催 [記念講演]イソプロピルアルコールを用いた金属銅及び酸化銅上の表面改質
間脇武蔵東北大)・寺本章伸広島大)・石井勝利東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ)・志波良信諏訪智之東北大)・東雲秀司清水 亮梅澤好太東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ)・黒田理人白井泰雪須川成利東北大SDM2021-22
半導体製造工程における銅配線上での選択的形成プロセスに向けて,イソプロピルアルコール(IPA)を用いた酸化銅の還元反応と... [more] SDM2021-22
pp.1-6
SDM 2020-10-22
10:00
ONLINE オンライン開催 [記念講演]プラズマを利用した原子層制御エッチングプロセス
熊倉 翔東京エレクトロン宮城SDM2020-14
 [more] SDM2020-14
pp.1-6
SDM 2020-10-22
14:50
ONLINE オンライン開催 IPAを用いた銅・酸化銅上の表面改質
間脇武蔵東北大)・寺本章伸広島大)・石井勝利東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ)・志波良信諏訪智之東北大)・東雲秀司清水 亮梅澤好太東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ)・黒田理人白井泰雪須川成利東北大SDM2020-19
半導体製造工程における銅配線上での選択的形成プロセスに向けて,イソプロピルアルコール(IPA)を用いた酸化銅の還元反応と... [more] SDM2020-19
pp.25-29
SDM 2020-02-07
11:20
東京 東京大学/本郷キャンパス工学部4号館3階42講義室(419号室) [招待講演]高精度デュアルダマシン加工技術
藤川 誠山口達也TTS)・菊地裕樹前川 薫TTCA)・河崎洋章・○飯塚洋二東京エレクトロンSDM2019-92
Abstract— Plasma induced damage on porous low-k dielectrics ... [more] SDM2019-92
pp.21-23
SDM 2019-10-23
13:30
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F [招待講演]プラズマを用いた原子層エッチング(ALE)
熊倉 翔木原嘉英本田昌伸東京エレクトロン宮城SDM2019-53
Atomic layer etching (ALE)は、エッチングプロセスにおける吸着過程と反応過程を分離し、それぞれの... [more] SDM2019-53
pp.1-6
SDM 2019-02-07
10:05
東京 東京大学/本郷 工学部4号館 42講義室 [招待講演]高精度デュアルダマシン加工技術
早川 崇藤川 誠東京エレクトロン)・野沢秀二山口達也東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ
 [more]
SDM 2017-02-06
11:15
東京 東京大学/本郷 [招待講演]低温プロセスに向けたマイクロ波加熱処理によるNiGe/Ge接合の形成
中塚 理名大)・渡部佳優東京エレクトロン)・鈴木陽洋名大)・西 義雄Stanford大)・財満鎭明名大SDM2016-141
 [more] SDM2016-141
pp.11-15
SDM 2016-10-26
14:50
宮城 東北大学未来研 高濃度ドーピングされた(100)方位SOIウェーハに対するSi選択エピタキシャル成長後の平坦な表面形成技術
古川貴一寺本章伸黒田理人諏訪智之橋本圭市須川成利東北大)・鈴木大介千葉洋一郎石井勝利清水 亮長谷部一秀東京エレクトロン東北SDM2016-70
 [more] SDM2016-70
pp.9-14
SDM 2015-10-30
09:30
宮城 東北大学未来研 [招待講演]マイクロ波励起プラズマによる立体構造体への等方均一注入技術
上田博一TEL TDC)・ピーター ベントゼックTEL AMERICA)・岡 正浩小林勇気杉本靖広川上 聡TEL TDCSDM2015-76
Si FIN 構造体へのコンフォーマル砒素ドーピング形成をRLSATMマイクロ波プラズマと650~850度程度の低温熱処... [more] SDM2015-76
pp.29-33
SDM 2014-02-28
09:30
東京 機械振興会館 [招待講演]大口径中性粒子ビームCVDを用いたノンポーラスULK-SiOCH膜
菊地良幸東京エレクトロン/東北大)・寒川誠二東北大SDM2013-165
 [more] SDM2013-165
pp.1-5
SDM 2013-06-18
15:30
東京 機械振興会館 [依頼講演]SiCパワーMOSFET向け高誘電率ゲート絶縁膜技術
細井卓治阪大)・東雲秀司柏木勇作保坂重敏東京エレクトロン)・中村亮太中野佑紀浅原浩和中村 孝ローム)・木本恒暢京大)・志村考功渡部平司阪大SDM2013-59
 [more] SDM2013-59
pp.77-80
ISEC, SITE, ICSS, EMM
(共催)
IPSJ-CSEC, IPSJ-SPT
(連催)
(連催) [詳細]
2011-07-13
13:50
静岡 静岡大学浜松キャンパス 循環ベクトル乗算アルゴリズムの省メモリ実装
高橋龍介根角健太高井悠輔野上保之籠谷裕人岡山大)・成田 隆東京エレクトロンデバイスISEC2011-25 SITE2011-22 ICSS2011-30 EMM2011-24
著者らは標数と拡大次数に対して柔軟に対応できるような拡大体上乗算アルゴリズムとして,循環ベクトル乗算アルゴリズム(CVM... [more] ISEC2011-25 SITE2011-22 ICSS2011-30 EMM2011-24
pp.145-150
SDM 2007-10-04
15:15
宮城 東北大学 先端DRAMでのSiONゲート絶縁膜における窒素プロファイルと素子特性について
村川惠美東京エレクトロン/東北大)・竹内政志本田 稔石塚修一中西敏雄廣田良浩東京エレクトロンAT)・菅原卓也田中義嗣赤坂泰志東京エレクトロン)・寺本章伸須川成利大見忠弘東北大SDM2007-175
プラズマ窒化によるSiONゲート絶縁膜形成において、高分解RBSによって校正されたAR-XPSを用いて絶縁膜中窒素濃度分... [more] SDM2007-175
pp.11-14
SDM 2007-10-05
10:55
宮城 東北大学 低誘電率アモルファスハイドロカーボン(aCHx)膜の銅配線バリアー特性の検討
石川 拓東京エレクトロン技研/東北大)・野沢俊久松岡孝明東京エレクトロン技研)・寺本章伸平山昌樹伊藤隆司大見忠弘東北大SDM2007-183
近年、半導体デバイスの高集積化が進み、デバイスの高速動作の観点から配線のRC遅延を減少させるために低誘電率層間絶縁膜とC... [more] SDM2007-183
pp.31-34
LOIS, IPSJ-DC
(共催)
2007-07-27
15:25
北海道 公立はこだて未来大学 内部統制を実現するためのデータベース・セキュリティ技術 ~ モニタリングからのコントロールへ ~
松永 豊東京エレクトロンデバイス)・大場みち子日立
情報漏洩の防止や規制遵守の要請により、データベース内の情報アクセスや変更に関するセキュリティ管理が必要になってきている。... [more] OIS2007-25
pp.65-70
SDM 2007-06-07
14:45
広島 広島大学(学士会館) プラズマCVD SiNx薄膜の深さ方向化学組成および欠陥密度計測
三浦真嗣大田晃生村上秀樹東 清一郎宮崎誠一広島大)・鴻野真之西田辰夫中西敏雄東京エレクトロンSDM2007-34
Si2H6+NH3およびSi2H6+N2混合ガスのマイクロ波励起プラズマCVDにより、膜中内部応力の異なるシリコン窒化膜... [more] SDM2007-34
pp.17-22
LOIS, IPSJ-DC
(共催)
2006-07-28
14:05
山形 山形大学工学部 Web技術を悪用する攻撃に対するサーバ側セキュリティ要件
松永 豊東京エレクトロン)・大場みち子日立
Web技術を悪用したサーバ攻撃が急増しており, サイト閉鎖や個人情報漏洩, 金銭的被害が実際に発生している.Webフォー... [more] OIS2006-17
pp.47-53
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