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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2016-04-14
10:35
東京 機械振興会館 [依頼講演]容量結合データ書込技術を用いた7T-SRAM
高島大三郎遠藤真人東芝)・島崎一浩齋 学東芝マイクロエレクトロニクス)・谷野雅章東芝情報システムICD2016-2
本論文では、容量性結合によるデータ書込技術を用いた7Tr. SRAMについて述べる。従来SRAM固有の電流衝突を引き起こ... [more] ICD2016-2
pp.7-12
ICD 2014-04-18
10:30
東京 機械振興会館 [招待講演]7nsのアクセスタイム、27fA/bの待機時電流、25μW/MHzの動作時電力を達成した低電力MCU向け65nm 128kb SRAMの開発
福田寿一小原弘治堂坂利彰武山泰久緑川 剛東芝)・橋本健二脇山一郎TOSMEC)・宮野信治北城岳彦東芝ICD2014-12
65nmテクノロジーで128kbの低リークSRAMを開発し保持モードの待機時電流3.5nA(27fA/b)を達成した。q... [more] ICD2014-12
pp.59-64
VLD 2014-03-04
13:20
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]Advanced Model-Based Hotspot Fix Flow for Layout Optimization with Genetic Algorithm
Shuhei SotaToshiba Microelectronics)・Taiga UnoMasanari KajiwaraChikaaki KodamaToshiba)・Hirotaka IchikawaToshiba Microelectronics)・Ryota AburadaToshiya KotaniToshiba)・Kei NakagawaTamaki SaitoToshiba MicroelectronicsVLD2013-148
Low-k1リソグラフィ・プロセスでは、ホットスポットと呼ばれるリソグラフィ上の欠陥が多数発生するため、その削減が歩留り... [more] VLD2013-148
p.85
VLD 2014-03-04
14:40
沖縄 沖縄県青年会館 超微細化を実現する側壁ダブル・クアドラプルパターニングのための3色グリッド配線手法
児玉親亮東芝)・市川裕隆東芝マイクロエレクトロニクス)・中嶌史晴中山幸一野嶋茂樹小谷敏也東芝VLD2013-151
光リソグラフィの延命技術とよばれ,次世代リソグラフィ技術の実用化までの「つなぎ」のような存在であったダブルパターニング技... [more] VLD2013-151
pp.99-104
SDM, ICD
(共催)
2013-08-02
11:15
石川 金沢大学 角間キャンパス [招待講演]時間領域アナログ&デジタル混成信号処理技術を用いたLDPC復号回路
宮下大輔山城 遼東芝)・橋吉和典東芝マイクロエレクトロニクス)・小林弘幸香西昌平大脇幸人畝川康夫東芝SDM2013-79 ICD2013-61
アナログ信号処理は一本の配線で多ビットを同時に表現することができるため、一本の配線で1ビットの情報しか表現できないデジタ... [more] SDM2013-79 ICD2013-61
pp.71-76
ICD 2008-04-17
09:25
東京 機械振興会館 [招待講演]非対称ユニットβレシオセルを用いた0.7V,1GHz動作45nm SRAMマクロ
佐々木貴彦川澄 篤矢部友章武山泰久平林 修櫛田桂一東芝)・東畑晃史東芝マイクロエレクトロニクス)・片山 明深野 剛藤村勇樹大塚伸朗東芝ICD2008-1
$0.7V$単一電源により$1GHz$動作する$64kB$SRAMマクロを開発した [1] 。$45nm$テクノロジーを... [more] ICD2008-1
pp.1-6
ICD 2008-04-17
11:15
東京 機械振興会館 [招待講演]833MHz周波数動作グラフィックス用途向け疑似2ポートeDRAM
加来真理子岩井 斎永井 健和田政春鈴木 淳高井智久糸賀尚子宮崎隆行岩井隆之東芝)・竹中博幸東芝マイクロエレクトロニクス)・北城岳彦宮野信治大塚伸朗東芝ICD2008-3
本報告書で紹介するeDRAMはグラフィックス用途向けに開発された疑似2ポートeDRAMである。リードライトクロスポイント... [more] ICD2008-3
pp.13-18
ICD 2007-04-13
09:10
大分 大分県・湯布院・七色の風 Floating Body RAM技術開発及びその32nm nodeへ向けたScalability
中島博臣楠 直樹篠 智彰東芝)・東 知輝東芝マイクロエレクトロニクス)・大澤 隆藤田勝之幾見宣之松岡史宜福田 良渡辺陽二南 良博東芝)・坂本篤史東芝情報システム)・西村 潤浜本毅司仁田山晃寛東芝ICD2007-10
SOI基板上にFloating Body RAM技術の開発を行ってきたが、今回、SOI膜厚を43nmまで薄膜化し16Mb... [more] ICD2007-10
pp.53-58
SDM 2007-03-15
15:25
東京 機械振興会館 大容量Chain-FeRAM用高信頼微細キャパシタプロセス技術
山川晃司尾崎 徹金谷宏行國島 巌玖村芳典下城義朗首藤 晋日高 修山田有紀山崎壮一浜本毅司白武慎一郎高島大三郎宮川 正東芝)・大槻純人東芝マイクロエレクトロニクス
 [more] SDM2006-259
pp.27-32
ICD 2006-04-13
09:45
大分 大分大学 リテンション時間延長可能なスリープモードを搭載した65nm低消費電力混載DRAM
高井智久永井 健和田政春岩井 斎加来真理子鈴木 淳糸賀尚子宮崎隆行東芝)・竹中博幸東芝マイクロエレクトロニクス)・北城岳彦宮野信治東芝
混載DRAMにおけるデータ保持電力を削減するために、オンチップECC回路とMT-CMOS技術を用いて実現されるリテンショ... [more] ICD2006-2
pp.7-12
ICD 2006-04-13
11:35
大分 大分大学 90nm node CMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発
中島博臣南 良博篠 智彰東芝)・坂本篤史東芝情報システム)・東 知輝東芝マイクロエレクトロニクス)・楠 直樹藤田勝之初田幸輔大澤 隆青木伸俊谷本弘吉森門六月生井納和美浜本毅司仁田山晃寛東芝
SOI基板上にFBC(Floating Body Cell)とよぶメモリセルを用いて90nmCMOSコンパチの128Mb... [more] ICD2006-5
pp.25-30
ICD, SDM
(共催)
2005-08-19
13:25
北海道 函館国際ホテル 90nm GenericロジックCMOSプロセスを用いたメモリアレイ0.5V動作Asymmetric Three-Tr. Cell (ATC) DRAMの提案
市橋 基半導体理工学研究センター/ルネサステクノロジ)・戸田春希半導体理工学研究センター/東芝)・伊藤寧夫半導体理工学研究センター/東芝マイクロエレクトロニクス)・石橋孝一郎半導体理工学研究センター/ルネサステクノロジ
単一セルが1つのPMOSと2つのNMOSからなるATC DRAMを提案する.本メモリシステムは更に提案する"Forced... [more] SDM2005-151 ICD2005-90
pp.49-54
ICD 2005-04-14
11:40
福岡 福岡システムLSI 総合開発センター SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128MビットDRAM
大澤 隆藤田勝之初田幸輔東芝)・東 知輝東芝マイクロエレクトロニクス)・森門六月生南 良博篠 智彰中島博臣井納和美浜本毅司渡辺重佳東芝
SOI上のキャパシタレスDRAMセル、あるいはFloating Body Cell(FBC)と呼ばれているセルを使った1... [more] ICD2005-5
pp.23-28
IE, SIP, ICD, IPSJ-SLDM
(共催)
2004-10-22
10:50
山形 米沢市・伝国の杜(もり)会議室 MePの拡張機能を用いた携帯機器向けDSPエンジンの開発
古澤敏行東芝マイクロエレクトロニクス)・井上智史片山 功新居欣久松井正貴西川明成吉本 健東芝
MePの拡張機能を用いて、オーディオおよび通信アプリケーションをターゲットとしたDSPエンジンを開発した。32ビットデュ... [more] SIP2004-92 ICD2004-124 IE2004-68
pp.19-24
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