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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| DC | 2008-06-20 16:40 |
東京 | 機械振興会館 | メモリBISTにおけるハードウェアオーバヘッドおよび故障位置特定に関する一考察 ○新井雅之・大沢健太郎・岩崎一彦（首都大東京）・中尾教伸（ルネサステクノロジ）  DC2008-18 |
[more] | DC2008-18 pp.41-46 |
| SDM | 2007-10-05 15:25 |
宮城 | 東北大学 | LSAとSpike-RTAの組合せによる極浅接合形成技術 ○遠藤誠一・丸山祥輝・川崎洋司・山下朋弘・尾田秀一・井上靖朗（ルネサステクノロジ） SDM2007-191 |
本報告では、複数のspike-RTAとLSAの組み合わせに対するBF2 source/drain-extention(S... [more] | SDM2007-191 pp.61-64 |
| SDM, VLD (共催) |
2006-09-26 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | ばらつき因子の大域的な同定と統計的ワーストケースモデルの生成方法について ○永久克己・岡垣 健・谷沢元昭・石川清志・土屋 修（ルネサステクノロジ） |
コンパクトモデルパラメータ抽出を含む新しいワーストモデル生成手法を提案する。本手法によれば、開発早期段階においてコンカレ... [more] | VLD2006-41 SDM2006-162 pp.13-18 |
| ICD, SDM (共催) |
2005-08-19 11:35 |
北海道 | 函館国際ホテル | poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト ～ SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果 ～ ○由上二郎（ルネサステクノロジ）・嶋本泰洋（日立）・井上真雄・水谷斉治・林 岳・志賀克哉・藤田文子・土本淳一・大野吉和・米田昌弘（ルネサステクノロジ） |
SiON/poly-Si界面に微量Hfを添加することにより、poly-Si電極の仕事関数変調が可能になる。我々は、本技術... [more] | SDM2005-149 ICD2005-88 pp.37-42 |
| ICD, SDM (共催) |
2005-08-19 14:15 |
北海道 | 函館国際ホテル | AG-ANDフラッシュメモリにおける多値高速書込み技術 ～ 多値レベルに応じて最適容量を選択する改良型定電荷注入書込み方式 ～ ○大津賀一雄・倉田英明（日立）・小堺健司・野田敏史（ルネサステクノロジ）・笹子佳孝・有金 剛・河村哲史・小林 孝（日立） |
本報告では，多値AG-ANDフラッシュメモリにおいて高速な書込み転送レートを実現する書込み技術について述べる。多値高速書... [more] | SDM2005-153 ICD2005-92 pp.61-66 |
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