| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SANE | 2016-10-21 13:50 |
大阪 | 大阪工業大うめきたナレッジセンター | 24GHz帯小型マルチモードセンサモジュールNJR4233Dを用いたドローン検知の検討 ○佐々木理志・笹原俊彦・保坂浩志・菅 良太・吉田和明・後藤雅明・渡邉 優・塚田泰弘・及川和夫（新日本無線）  SANE2016-47 |
NJR4233Dは、多種多様なアプリケーションに使用可能な24GHz帯マイクロ波センサとして、当社が独自に提案する多機能... [more] | SANE2016-47 pp.41-45 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-27 15:50 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | 表面活性化ボンディング法に依るSi/SiC接合の電気特性 ○林 朋宏・梁 剣波（阪市大）・新井 学（新日本無線）・重川直輝（阪市大） ED2015-90 CPM2015-125 LQE2015-122 |
[more] | ED2015-90 CPM2015-125 LQE2015-122 pp.111-115 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-28 13:30 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | 表面活性化ボンディング法により形成したSi/SiCヘテロ接合の電気特性 ○西田将太・梁 剣波・森本雅史・重川直輝（阪市大）・新井 学（新日本無線） ED2013-68 CPM2013-127 LQE2013-103 |
表面活性化ボンディング法（SAB法）により形成されたp+-Si/n-4H-SiCヘテロ接合（アニール処理なし、アニール処... [more] | ED2013-68 CPM2013-127 LQE2013-103 pp.21-25 |
| ED | 2013-10-23 10:50 |
北海道 | 北海道大学エンレイソウ | レーダー用電子同調マグネトロンの実用性能と探知能力の改善 ○小畑英幸・古元邦美・辻 直樹（新日本無線） ED2013-61 |
電子同調マグネトロンは、マイクロ波出力信号に変調がかけられるため、レーダーに用いた場合、探知信号の情報量を飛躍的に増大さ... [more] | ED2013-61 pp.47-52 |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2011-11-28 16:05 |
宮崎 | ニューウェルシティ宮崎 | 省面積抵抗ストリングDACと閉ループ・オフセット検出を用いたCMOSオペアンプのオフセット校正 ○森本浩之・後藤弘明（九工大）・藤原 宗（新日本無線）・中村和之（九工大） VLD2011-65 DC2011-41 |
オペアンプ回路のオフセット補正を、製造後に可能にする新規回路方式を開発した。クローズドループ型の補正フィードバック方式を... [more] | VLD2011-65 DC2011-41 pp.79-84 |
| ED | 2011-07-29 13:30 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | AlGaN/GaN HFETに対する炭素添加高抵抗化SiドープGaNバッファ層の効果 ○深井雅之・柿澤秀介・伏見 浩（新日本無線） ED2011-37 |
AlGaN/GaN HFETに必要な高抵抗バッファ層を，フェルミレベル効果の利用による低温成長の炭素添加SiドープGaN... [more] | ED2011-37 pp.1-6 |
| ED | 2011-07-29 13:55 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | AlGaN/GaN HFETのMIMゲート構造による界面電荷の制御 ○深澤義道・脇 英司・伏見 浩（新日本無線） ED2011-38 |
高周波用AlGaN/GaN HFETにおいて，分極電荷を制御できればデバイス特性の向上に有効である．そこで，ECRスパッ... [more] | ED2011-38 pp.7-12 |
| ED | 2009-10-16 10:35 |
福井 | 福井大学 産学官連携本部（旧地域共同研究センター） ３階 研修室 | パルスマグネトロンにおけるスプリアス低減技術 ○小畑英幸・古元邦美・辻 直樹（新日本無線） ED2009-126 |
レーダーから輻射されるスプリアスを低減するために、パルスマグネトロンのスプリアス発振レベルを低減するアノード共振回路設計... [more] | ED2009-126 pp.53-57 |
| ED | 2008-10-23 13:25 |
福岡 | 九州工業大学 | 低温成長GaNキャップ層エッジターミネーションを用いたシリコン基板上の高耐圧AlGaN/GaNショットキーバリアダイオード ○鎌田 厚（新日本無線）・江川孝志（名工大） ED2008-149 |
[more] | ED2008-149 pp.143-148 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-09 11:40 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | ［招待講演］AlGaN/GaN-based Electron Devices with Low-temperature GaN Cap Layer ○Tadayoshi Deguchi（New Japan Radio）・Takashi Egawa（Nagoya Inst. of Tech.） ED2008-41 SDM2008-60 |
[more] | ED2008-41 SDM2008-60 pp.9-14 |
| ED | 2007-06-16 12:00 |
富山 | 富山大学 | バナジウムイオン注入ガードリングを用いた4H-SiC PiNダイオードの逆方向特性 ○小野修一・新井 学（新日本無線） ED2007-46 |
4H-SiC PiNダイオードのターミネーションとして、メサ構造とガードリング構造の２種類を形成して、逆方向特性を比較し... [more] | ED2007-46 pp.79-83 |
| ED, MW (共催) |
2006-01-18 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | フリップチップ実装技術を用いた低位相雑音76GHz帯プレーナー構造ガンVCO ○吉田 孝・深澤義道・出口忠義・川口 清・杉山隆啓・中川 敦（新日本無線） |
フリップチップ実装技術を用いた低位相雑音76GHz帯プレーナ構造ガンVCOを開発した。主な特性は電源電圧3.3V（消費電... [more] | ED2005-192 MW2005-146 pp.1-5 |
| ED, MW (共催) |
2006-01-19 13:20 |
東京 | 機械振興会館 | 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET ○出口忠義・脇 英司・小野 悟・山下明一・鎌田 厚・中川 敦（新日本無線）・石川博康・江川孝志（名工大） |
半絶縁性の低温成長GaN(LT-GaN)キャップ層を有するAlGaN/GaN へテロ接合トランジスタ(LT-GaN/Al... [more] | ED2005-203 MW2005-157 pp.23-27 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]