研究会 |
発表日時 |
開催地 |
タイトル・著者 |
抄録 |
資料番号 |
SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2023-08-01 13:00 |
北海道 |
北海道大学 情報教育館 3F (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
[招待講演]低電力半導体技術の研究開発と応用の拡大 ~ 43年間の半導体研究を振り返って ~ ○石橋孝一郎(電通大) SDM2023-38 ICD2023-17 |
ムーアにより集積回路の集積度は1959年を起点に64年の間2年で2倍の向上を果たしてきた.発表者は1980年に卒研で集積... [more] |
SDM2023-38 ICD2023-17 pp.14-15 |
MI |
2022-09-15 15:00 |
神奈川 |
慶應・矢上C (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
敵対的生成ネットワークを用いた機械学習によるバクテリアコロニーの分類精度向上 ○天野雅貴・Duc-Tho Mai・Guanghao Sun(電通大)・Nguyen Vu Trung・Le Thi Hoi(HMU)・Nguyen Thi Hoa(NLH)・石橋孝一郎(電通大) MI2022-61 |
[more] |
MI2022-61 pp.49-52 |
ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2022-08-08 14:15 |
ONLINE |
オンライン開催に変更 現地開催(北海道大学百年記念会館)は中止 |
極低電圧動作を狙ったSteep SS "Dual-Gate型 PN-Body Tied SOI-FET" 試作結果 ○米崎晴貴・井田次郎・森 貴之(金沢工大)・石橋孝一郎(電通大) SDM2022-38 ICD2022-6 |
本研究では, 極低電圧動作を狙ったSteep SS “Dual-Gate (DG) 型PN-Body Tied (PNB... [more] |
SDM2022-38 ICD2022-6 pp.17-20 |
ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2020-08-07 11:00 |
ONLINE |
オンライン開催 |
急峻なSSを持つ“PN-Body Tied SOI-FET ”のCMOSインバータ伝達特性 ○石黒翔太・井田次郎・森 貴之(金沢工大)・石橋孝一郎(電通大) SDM2020-8 ICD2020-8 |
本研究では、我々が提案している急峻なSubthreshold Slope (SS)を持つ“PN Body-Tied SO... [more] |
SDM2020-8 ICD2020-8 pp.37-40 |
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2019-11-15 16:35 |
愛媛 |
愛媛県男女共同参画センター |
RFエネルギーハーベスティング向けDCDCコンバータの検討 ○ムンフツォグ ムンフズル・石橋孝一郎(電通大) ICD2019-43 IE2019-49 |
RFエネルギーハーベスティングはいつでもどこでもエネルギーを収集できることで注目されているが、一方で,出力電圧が低いこと... [more] |
ICD2019-43 IE2019-49 pp.71-74 |
SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2019-08-09 14:10 |
北海道 |
北海道大学 情報科学院 3F A31 |
急峻なSSを持つ“PN Body-Tied SOI-FET”におけるBOX中の正電荷と基板バイアスの影響 ○矢吹 亘・井田次郎・森 貴之(金沢工大)・石橋孝一郎(電通大)・新井康夫(高エネルギー加速器研究機構) SDM2019-51 ICD2019-16 |
本研究では、我々が提案している急峻なsubthreshold slope (SS)を持つ“PN Body-Tied SO... [more] |
SDM2019-51 ICD2019-16 pp.89-93 |
ASN |
2019-01-29 10:25 |
鹿児島 |
休暇村 指宿 |
汎用太陽電池向け1 chip昇圧回路による照度Beat Sensor ○鈴木康介・石橋孝一郎(電通大) ASN2018-88 |
[more] |
ASN2018-88 pp.53-57 |
SDM |
2018-11-09 15:55 |
東京 |
機械振興会館 |
[招待講演]急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI-FETを用いたMOS Diode接続での特性および微小電圧整流実験 ○百瀬 駿・井田次郎・山田拓弥・森 貴之・伊東健治(金沢工大)・石橋孝一郎(電通大)・新井康夫(高エネルギー加速器研究機構) SDM2018-76 |
生活環境下に存在するRF信号電力を利用するためには,高い電力変換効率を実現するRF整流器が必要である.RF整流器はµWも... [more] |
SDM2018-76 pp.59-64 |
SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2018-08-07 10:45 |
北海道 |
北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 |
[招待講演]エネルギーハーベスティングBeat Sensorと応用の可能性 ~ 低電力、低コスト、高精度IoTセンサの提案 ~ ○石橋孝一郎(電通大) SDM2018-27 ICD2018-14 |
新しいIoTセンサとしてBeat Sensorを提案する。Beat Sensorはセンサから得られたデータをID信号の間... [more] |
SDM2018-27 ICD2018-14 pp.11-14 |
SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2018-08-07 14:25 |
北海道 |
北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 |
急峻なSSを持つ"PN-Body Tied SOI-FET"を使った極低電圧整流実験 ○百瀬 駿・井田次郎・山田拓弥・森 貴之・伊東健治(金沢工大)・石橋孝一郎(電通大)・新井康夫(高エネルギー加速器研究機構) SDM2018-31 ICD2018-18 |
µW級の電力で機能する整流器を構築するためには,新たなダイオード技術の開発が必要である.従来のp-n接合ダイオード,ショ... [more] |
SDM2018-31 ICD2018-18 pp.31-34 |
MW (第二種研究会) |
2018-06-27 - 2018-06-29 |
海外 |
KMITL(タイ・バンコク) |
Rectification of Small Voltage Signal by Super Steep Subthreshold Slope "PN-Body Tied SOI FET" for RF Energy Harvesting ○Takuya Yamada・Jiro Ida・Takayuki Mori・Shun Momose・Yasunori Tsuchiya・Kenji Itoh(KIT)・Koichiro Ishibashi(UEC) |
Rectification of the small voltage signal was experimentally... [more] |
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ASN |
2018-01-30 11:15 |
大分 |
三菱電機 湯布郷館 |
エネルギーハーベスティングBeat Sensorとその特性 ~ 低コスト・小型・高精度IoTセンサの実現 ~ ○石橋孝一郎・瀧峠良平(電通大) ASN2017-86 |
[more] |
ASN2017-86 pp.19-22 |
ASN |
2018-01-31 12:20 |
大分 |
三菱電機 湯布郷館 |
[ポスター講演]エネルギーハーベスティングセンサネットワーク向けナノワット級外温度センサ回路 ○新居慎也・石橋孝一郎(電通大) ASN2017-104 |
本論文では外部素子にサーミスタを用いることで、センサ自体の低電力と小面積化を測ったエネルギーハーベスティングセンサネット... [more] |
ASN2017-104 pp.121-126 |
SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2017-08-02 11:35 |
北海道 |
北海道大学情報教育館 |
急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FETを用いた高効率RFエネルギーハーベスティング用Gate Controlled Diodeの特性 ○百瀬 駿・井田次郎・森 貴之・吉田貴大・岩田潤平・堀井隆史・古田貴大・山田拓弥・高松大地・伊東健治(金沢工大)・石橋孝一郎(電通大)・新井康夫(高エネルギー加速器研究機構) SDM2017-45 ICD2017-33 |
新たに提案した極低ドレイン電圧で急峻なサブスレッショルド特性を持つPN-Body Tied SOI FETを用いたGat... [more] |
SDM2017-45 ICD2017-33 pp.109-114 |
SDM |
2016-10-26 15:30 |
宮城 |
東北大学未来研 |
[招待講演]超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術 ○槇山秀樹・山本芳樹・長谷川拓実・岡西 忍・前川径一・新川田裕樹・蒲原史朗・山口泰男(ルネサス エレクトロニクス)・杉井信之(日立)・石橋孝一郎(電通大)・水谷朋子・平本俊郎(東大) SDM2016-71 |
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧の低減に有効である。しかし、超低電圧領域... [more] |
SDM2016-71 pp.15-20 |
VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2015-12-02 16:45 |
長崎 |
長崎県勤労福祉会館 |
SOTB MOSFETを用いた低電力マイクロコントローラの動的基板バイアス制御機構の実装と予備評価 ○奥原 颯(慶大)・小出知明(電通大)・Johannes maximilian kuehn・Akram Ben Ahmed(慶大)・石橋孝一郎(電通大)・天野英晴(慶大) CPSY2015-71 |
[more] |
CPSY2015-71 pp.57-62 |
VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2015-12-02 17:10 |
長崎 |
長崎県勤労福祉会館 |
論理回路の極低電力動作を実現する基板バイアス発生回路 ○小出知明・石橋孝一郎(電通大)・杉井信之(超低電圧デバイス技研組合) CPM2015-134 ICD2015-59 |
近年、トランジスタの微細化が進んだことに伴い動作時の電力増加が課題になっている。本研究では65nmSOTB(Silico... [more] |
CPM2015-134 ICD2015-59 pp.39-43 |
SDM |
2014-10-17 14:30 |
宮城 |
東北大学未来研 |
[招待講演]超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術 ○槇山秀樹・山本芳樹・尾田秀一・蒲原史朗・杉井信之・山口泰男(超低電圧デバイス技研組合)・石橋孝一郎(電通大)・水谷朋子・平本俊郎(東大) SDM2014-94 |
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧の低減に有効である。しかし、超低電圧領域... [more] |
SDM2014-94 pp.61-68 |
ICD, SDM (共催) |
2014-08-04 09:00 |
北海道 |
北海道大学 情報教育館(札幌市) |
[招待講演]A Perpetuum Mobile 32bit CPU with 13.4pJ/cycle, 0.14μA Sleep Current using Reverse-Body-Bias Assisted 65nm SOTB CMOS Technology ○Koichiro Ishibashi(UEC)・Nobuyuki Sugii(LEAP)・Kimiyoshi Usami(SIT)・Hideharu Amano(KU)・Kazutoshi Kobayashi(KIT)・Cong-Kha Pham(UEC)・Hideki Makiyama・Yoshiki Yamamoto・Hirofumi Shinohara・Toshiaki Iwamatsu・Yasuo Yamaguchi・Hidekazu Oda・Takumi Hasegawa・Shinobu Okanishi・Hiroshi Yanagita(LEAP) SDM2014-62 ICD2014-31 |
[more] |
SDM2014-62 ICD2014-31 pp.1-4 |
ICD, SDM (共催) |
2012-08-03 13:10 |
北海道 |
札幌市男女共同参画センター |
薄膜MOSトランジスタを用いた40nm CMOS高速応答デジタルLDOレギュレータ ○小野内雅文・大津賀一雄・五十嵐康人・池谷豊人・森田貞幸(ルネサス エレクトロニクス)・石橋孝一郎(電通大)・柳沢一正(ルネサス エレクトロニクス) SDM2012-82 ICD2012-50 |
薄膜MOSトランジスタを用いた40nm CMOS高速応答デジタルLDOレギュレータを試作した。試作LDOでは印加電圧緩和... [more] |
SDM2012-82 ICD2012-50 pp.105-110 |