| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2024-11-28 14:55 |
愛知 | 名古屋工業大学 (窒化物半導体マルチビジネス創生センター) (愛知県) | GaInN/GaN MQW光電変換素子における結晶品質及び性能改善に関する検討 ○小嶋智輝・石田颯汰朗・江川孝志・三好実人（名工大）  ED2024-23 CPM2024-67 LQE2024-54 |
GaInN系光電変換素子は、様々な用途に適用が期待できる光無線給電システムの構成要素として向けて有望である。これまで我々... [more] | ED2024-23 CPM2024-67 LQE2024-54 pp.13-16 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2024-11-29 13:55 |
愛知 | 名古屋工業大学 (窒化物半導体マルチビジネス創生センター) (愛知県) | 電流狭窄層およびδドープ導電性緩衝層に歪超格子層を用いたSi基板上AlGaN/GaN CAVETの作製とデバイス特性評価 ○久保俊晴・三木隆太郎・江川孝志（名工大） ED2024-33 CPM2024-77 LQE2024-64 |
GaN系縦型デバイスとしてCAVET(Current Aperture Vertical Electron Transi... [more] | ED2024-33 CPM2024-77 LQE2024-64 pp.53-56 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2024-11-29 14:20 |
愛知 | 名古屋工業大学 (窒化物半導体マルチビジネス創生センター) (愛知県) | 緩衝層として歪超格子層およびAlGaN遷移層を用いたSi基板上AlGaN/GaN HEMTの電気特性評価 ○三木隆太郎・久保俊晴・江川孝志（名工大） ED2024-34 CPM2024-78 LQE2024-65 |
[more] | ED2024-34 CPM2024-78 LQE2024-65 pp.57-60 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2024-11-29 15:20 |
愛知 | 名古屋工業大学 (窒化物半導体マルチビジネス創生センター) (愛知県) | GaInN/GaN MQW構造からなるp型ベース層を備えたGaN系HBTの作製と特性評価 ○井上諒星・小嶋智輝・間瀬 晃・江川孝志・三好実人（名工大） ED2024-36 CPM2024-80 LQE2024-67 |
GaN系ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)は、同じGaN系のHEMTや他材料系からなるHBTと比べて高速・大動力... [more] | ED2024-36 CPM2024-80 LQE2024-67 pp.65-68 |
| ED, MW (共催) |
2024-01-25 15:30 |
東京 | 機械振興会館 (東京都, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
EID AlGaN/GaN MOS-HEMTにおけるAl2O3ゲート酸化膜直下の電子状態解析 ○南條拓真・清井 明・今澤貴史・古橋壮之・西川和康（三菱電機）・江川孝志（名工大） ED2023-68 MW2023-160 |
ノーマリオフ動作するプレーナ型のExtrinsically Electron Induced by Dielectric... [more] | ED2023-68 MW2023-160 pp.11-14 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 13:05 |
静岡 | アクトシティ浜松 (静岡県) | 単結晶AlN基板上の薄層UID-GaNチャネルを備えたAlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価 ○川出智之・米谷宜展・田中さくら・江川孝志・三好実人（名工大） ED2023-14 CPM2023-56 LQE2023-54 |
MOCVD法により単結晶AlN基板上に、AlNバックバリア層、UID-GaNチャネル層、歪み制御した四元混晶AlGaIn... [more] | ED2023-14 CPM2023-56 LQE2023-54 pp.1-5 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 13:30 |
静岡 | アクトシティ浜松 (静岡県) | 四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製 ○滝本将也・間瀬 晃・小嶋智輝・江川孝志・三好実人（名工大） ED2023-15 CPM2023-57 LQE2023-55 |
GaN系半導体を用いたヘテロ接合バイポーラトランジスタ（HBT）は次世代の高周波デバイスとして有望視されている。GaN系... [more] | ED2023-15 CPM2023-57 LQE2023-55 pp.6-10 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 13:55 |
静岡 | アクトシティ浜松 (静岡県) | ALDにより形成した絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HFETに対するゲートリセスエッチング後表面処理の効果 ○久保俊晴・江川孝志（名工大） ED2023-16 CPM2023-58 LQE2023-56 |
ALD-SiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたゲートリセス構造を有するノーマリオフ型AlGaN/GaN MIS-HFE... [more] | ED2023-16 CPM2023-58 LQE2023-56 pp.11-14 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 17:10 |
静岡 | アクトシティ浜松 (静岡県) | 光無線給電システムに向けた自立GaN基板上GaInN系受光素子の作製と特性評価 ○藤澤孝博・Hu Nan・小嶋智輝・江川孝志・三好実人（名工大） ED2023-23 CPM2023-65 LQE2023-63 |
GaInN系受光素子は太陽電池だけでなく、光無線給電システムへの適用にも非常に有望である。本研究では、光無線給電システム... [more] | ED2023-23 CPM2023-65 LQE2023-63 pp.44-47 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2023-05-19 15:40 |
愛知 | 名古屋工大 (愛知県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
極微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェンFETの作製と評価 ○加藤一朗・久保俊晴・三好実人・江川孝志（名工大） ED2023-5 CPM2023-5 SDM2023-22 |
グラフェンをFETとして用いるには絶縁基板への転写が必要であり、その過程でグラフェンに欠陥が導入されてしまう可能性がある... [more] | ED2023-5 CPM2023-5 SDM2023-22 pp.20-23 |
| MW, ED (共催) |
2023-01-27 13:40 |
東京 | 機械振興会館 (東京都, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
ノーマリオフ型EID-AlGaN/GaN MOS-HEMTの大電流/高耐圧動作実証 ○南條拓真・品川友宏・綿引達郎・三浦成久・古橋壮之・西川和康（三菱電機）・江川孝志（名工大） ED2022-93 MW2022-152 |
AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor（HEMT）は，通信用の高周波高出... [more] | ED2022-93 MW2022-152 pp.36-39 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-24 14:55 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） (愛知県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
単結晶AlN基板上AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価 ○田中さくら・川出智之・井上暁喜・江川孝志・三好実人（名工大） ED2022-35 CPM2022-60 LQE2022-68 |
[more] | ED2022-35 CPM2022-60 LQE2022-68 pp.53-56 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-24 15:15 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） (愛知県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
GaN系HBTに向けたp-GaInN base層と四元AlGaInN emitter層の検討 ○飯田悠介・間瀬 晃・滝本将也・二階祐宇・江川孝志・三好実人（名工大） ED2022-36 CPM2022-61 LQE2022-69 |
窒化物半導体HBTは次世代の高周波パワーデバイスとして非常に有望である。窒化物半導体HBTはp型ベース層が高抵抗であるこ... [more] | ED2022-36 CPM2022-61 LQE2022-69 pp.57-60 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-24 15:45 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） (愛知県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
リセス構造形成後表面処理を施したAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価 ○戸田圭太郎・久保俊晴・江川孝志（名工大） ED2022-37 CPM2022-62 LQE2022-70 |
ALD-SiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたゲートリセス構造を有するノーマリオフ型AlGaN/GaN MIS-HEM... [more] | ED2022-37 CPM2022-62 LQE2022-70 pp.61-64 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-24 16:05 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） (愛知県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
高抵抗歪超格子層を用いたSi基板上のAlGaN/GaN縦型デバイス ○小池貴也・林 航希・早藤綾佑・久保俊晴・江川孝志（名工大） ED2022-38 CPM2022-63 LQE2022-71 |
[more] | ED2022-38 CPM2022-63 LQE2022-71 pp.65-68 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-25 11:25 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） (愛知県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
半極性 {11-22}AlInN/GaInN の成長温度依存性 ○藤澤孝博・中林泰希・江川孝志・三好実人（名工大）・竹内哲也（名城大）・岡田成仁・只友一行（山口大） ED2022-42 CPM2022-67 LQE2022-75 |
AlInNはGaN系の電子デバイスや光デバイスの要素構造への応用が期待されている。本研究では、GaN系の長波長LDクラッ... [more] | ED2022-42 CPM2022-67 LQE2022-75 pp.81-84 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-25 15:25 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | c面Al0.83In0.17N/GaN格子整合ヘテロ構造の光学特性評価 ○李 リヤン・嶋 紘平（東北大）・山中瑞樹（名工大）・小島一信（東北大）・江川孝志（名工大）・上殿明良（筑波大）・石橋章司（産総研）・竹内哲也（名城大）・三好実人（名工大）・秩父重英（東北大） ED2021-24 CPM2021-58 LQE2021-36 |
Al1-xInxNは、禁制帯幅 (Eg) 波長を深紫外線から赤外線まで変化させられる直接遷移型半導体混晶であり光・電子デ... [more] | ED2021-24 CPM2021-58 LQE2021-36 pp.45-50 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-25 16:55 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | 光無線給電システムに向けたGaInN系受光素子の単色光照射下でのPV性能評価 ○中林泰希・山本皓介・Pradip Dalapati・江川孝志・三好実人（名工大） ED2021-27 CPM2021-61 LQE2021-39 |
GaInN系受光素子は太陽電池だけでなく、光無線給電システムへの適用にも非常に有望である。本研究では、光無線給電システム... [more] | ED2021-27 CPM2021-61 LQE2021-39 pp.59-62 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 14:30 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたノーマリーオフ型AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価 ○戸田圭太郎・久保俊晴・江川孝志（名工大） ED2021-31 CPM2021-65 LQE2021-43 |
[more] | ED2021-31 CPM2021-65 LQE2021-43 pp.75-78 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 14:55 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | AlN/AlGaInNバリアを備えた高耐圧Al0.36Ga0.64NチャネルHFET ○井上暁喜・田中さくら・江川孝志・三好実人（名工大） ED2021-32 CPM2021-66 LQE2021-44 |
本研究では、AlNおよび四元混晶AlGaInNバリア層を備えたAl0.36Ga0.64Nチャネルヘテロ電界効果トランジス... [more] | ED2021-32 CPM2021-66 LQE2021-44 pp.79-82 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]