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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2023-05-19 15:40 |
愛知 | 名古屋工大 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
極微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェンFETの作製と評価 ○加藤一朗・久保俊晴・三好実人・江川孝志（名工大）  ED2023-5 CPM2023-5 SDM2023-22 |
グラフェンをFETとして用いるには絶縁基板への転写が必要であり、その過程でグラフェンに欠陥が導入されてしまう可能性がある... [more] | ED2023-5 CPM2023-5 SDM2023-22 pp.20-23 |
| MW, ED (共催) |
2023-01-27 13:40 |
東京 | 機械振興会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
ノーマリオフ型EID-AlGaN/GaN MOS-HEMTの大電流/高耐圧動作実証 ○南條拓真・品川友宏・綿引達郎・三浦成久・古橋壮之・西川和康（三菱電機）・江川孝志（名工大） ED2022-93 MW2022-152 |
AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor（HEMT）は，通信用の高周波高出... [more] | ED2022-93 MW2022-152 pp.36-39 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-24 14:55 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
単結晶AlN基板上AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価 ○田中さくら・川出智之・井上暁喜・江川孝志・三好実人（名工大） ED2022-35 CPM2022-60 LQE2022-68 |
[more] | ED2022-35 CPM2022-60 LQE2022-68 pp.53-56 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-24 15:15 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
GaN系HBTに向けたp-GaInN base層と四元AlGaInN emitter層の検討 ○飯田悠介・間瀬 晃・滝本将也・二階祐宇・江川孝志・三好実人（名工大） ED2022-36 CPM2022-61 LQE2022-69 |
窒化物半導体HBTは次世代の高周波パワーデバイスとして非常に有望である。窒化物半導体HBTはp型ベース層が高抵抗であるこ... [more] | ED2022-36 CPM2022-61 LQE2022-69 pp.57-60 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-24 15:45 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
リセス構造形成後表面処理を施したAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価 ○戸田圭太郎・久保俊晴・江川孝志（名工大） ED2022-37 CPM2022-62 LQE2022-70 |
ALD-SiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたゲートリセス構造を有するノーマリオフ型AlGaN/GaN MIS-HEM... [more] | ED2022-37 CPM2022-62 LQE2022-70 pp.61-64 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-24 16:05 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
高抵抗歪超格子層を用いたSi基板上のAlGaN/GaN縦型デバイス ○小池貴也・林 航希・早藤綾佑・久保俊晴・江川孝志（名工大） ED2022-38 CPM2022-63 LQE2022-71 |
[more] | ED2022-38 CPM2022-63 LQE2022-71 pp.65-68 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-25 11:25 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
半極性 {11-22}AlInN/GaInN の成長温度依存性 ○藤澤孝博・中林泰希・江川孝志・三好実人（名工大）・竹内哲也（名城大）・岡田成仁・只友一行（山口大） ED2022-42 CPM2022-67 LQE2022-75 |
AlInNはGaN系の電子デバイスや光デバイスの要素構造への応用が期待されている。本研究では、GaN系の長波長LDクラッ... [more] | ED2022-42 CPM2022-67 LQE2022-75 pp.81-84 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-25 15:25 |
ONLINE | オンライン開催 | c面Al0.83In0.17N/GaN格子整合ヘテロ構造の光学特性評価 ○李 リヤン・嶋 紘平（東北大）・山中瑞樹（名工大）・小島一信（東北大）・江川孝志（名工大）・上殿明良（筑波大）・石橋章司（産総研）・竹内哲也（名城大）・三好実人（名工大）・秩父重英（東北大） ED2021-24 CPM2021-58 LQE2021-36 |
Al1-xInxNは、禁制帯幅 (Eg) 波長を深紫外線から赤外線まで変化させられる直接遷移型半導体混晶であり光・電子デ... [more] | ED2021-24 CPM2021-58 LQE2021-36 pp.45-50 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-25 16:55 |
ONLINE | オンライン開催 | 光無線給電システムに向けたGaInN系受光素子の単色光照射下でのPV性能評価 ○中林泰希・山本皓介・Pradip Dalapati・江川孝志・三好実人（名工大） ED2021-27 CPM2021-61 LQE2021-39 |
GaInN系受光素子は太陽電池だけでなく、光無線給電システムへの適用にも非常に有望である。本研究では、光無線給電システム... [more] | ED2021-27 CPM2021-61 LQE2021-39 pp.59-62 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 14:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたノーマリーオフ型AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価 ○戸田圭太郎・久保俊晴・江川孝志（名工大） ED2021-31 CPM2021-65 LQE2021-43 |
[more] | ED2021-31 CPM2021-65 LQE2021-43 pp.75-78 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 14:55 |
ONLINE | オンライン開催 | AlN/AlGaInNバリアを備えた高耐圧Al0.36Ga0.64NチャネルHFET ○井上暁喜・田中さくら・江川孝志・三好実人（名工大） ED2021-32 CPM2021-66 LQE2021-44 |
本研究では、AlNおよび四元混晶AlGaInNバリア層を備えたAl0.36Ga0.64Nチャネルヘテロ電界効果トランジス... [more] | ED2021-32 CPM2021-66 LQE2021-44 pp.79-82 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 11:15 |
ONLINE | オンライン開催 | エピタキシャルAlInN膜のp/n導電性制御に関する研究 ○中林泰希・高田華果・江川孝志・三好実人（名工大）・竹内哲也（名城大） ED2020-4 CPM2020-25 LQE2020-55 |
本研究では、有機金属気相成長法(MOCVD)によるAlInN膜成長において、Si及びMgドープによる導電性制御、ならびに... [more] | ED2020-4 CPM2020-25 LQE2020-55 pp.13-16 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 11:35 |
ONLINE | オンライン開催 | 光無線給電システムに向けたGaN系受光素子の検討 ○山本皓介・Pradip Dalapati・江川孝志・三好実人（名工大） ED2020-5 CPM2020-26 LQE2020-56 |
半導体発光デバイスと受光デバイスを用いた光無線給電システムが注目されている。本研究では、光無線給電システムに適用可能なエ... [more] | ED2020-5 CPM2020-26 LQE2020-56 pp.17-20 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 13:50 |
ONLINE | オンライン開催 | ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価 ○横井駿一・久保俊晴・江川孝志（名工大） ED2020-8 CPM2020-29 LQE2020-59 |
SiO2はバンドギャップが約9eVと大きいため、原子層堆積(ALD)によってAl2O3とSiO2との2層絶縁膜を形成する... [more] | ED2020-8 CPM2020-29 LQE2020-59 pp.29-32 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2020-05-29 13:25 |
愛知 | 名古屋工業大学 （開催中止，技報発行なし） |
SLS層によるAlGaN/GaN HEMT構造の転位低減 ○浦田峻佑・キム ヒョンス・江川孝志（名工大） |
[more] | |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 13:55 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性評価 ○横井駿一・古岡啓太・久保俊晴・江川孝志（名工大） ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84 |
SiO2はバンドギャップが約9 eVと大きいため、原子層堆積(ALD)によってAl2O3とSiO2との2層絶縁膜を形成す... [more] | ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84 pp.37-40 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 14:55 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | MOCVD法によるGaN、GaInN上への厚膜AlInN膜のエピタキシャル成長 ○山中瑞樹・三好実人・江川孝志（名工大）・岡田成仁・只友一行（山口大）・竹内哲也（名城大） ED2019-44 CPM2019-63 LQE2019-87 |
[more] | ED2019-44 CPM2019-63 LQE2019-87 pp.49-52 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 15:30 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | c面GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長と結晶及び光学特性評価 ○原田紘希・三好実人・江川孝志（名工大）・竹内哲也（名城大） ED2019-45 CPM2019-64 LQE2019-88 |
可視光GaN系LDのクラッド層としての応用を目指し、有機金属化学気相成長法(MOCVD)により、c面GaN/サファイアテ... [more] | ED2019-45 CPM2019-64 LQE2019-88 pp.53-56 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-29 13:25 |
愛知 | 名古屋工業大学 | c面GaN上へのエピタキシャルAlInN膜の成長ならびにその混晶組成と微細構造の関係 ○山中瑞樹・三好実人・江川孝志（名工大）・竹内哲也（名城大） ED2018-33 CPM2018-67 LQE2018-87 |
[more] | ED2018-33 CPM2018-67 LQE2018-87 pp.5-8 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2018-11-30 09:00 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET ○細見大樹・古岡啓太・陳 珩・斉藤早紀・久保俊晴・江川孝志・三好実人（名工大） ED2018-41 CPM2018-75 LQE2018-95 |
新規AlGaNチャネルHFET構造として，バリア層に四元混晶AlGaInNを採用したAlGaInN/AlGaNヘテロ構造... [more] | ED2018-41 CPM2018-75 LQE2018-95 pp.41-44 |
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