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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EA, SIP, SP
(共催)
2019-03-14
10:50
長崎 アイランド ナガサキ(長崎市) ヒアラブルデバイスのための最近傍音源抽出
齊藤瑛士川村 新京都産大EA2018-101 SIP2018-107 SP2018-63
近年,ヒアラブルデバイスが注目されている.ヒアラブルデバイスの重要な機能のひとつとして,複数の音声が混在している環境での... [more] EA2018-101 SIP2018-107 SP2018-63
pp.13-18
ITE-MMS, ITE-CE
(共催)
MRIS
(連催) [詳細]
2012-01-19
15:15
大阪 パナソニック企業年金基金 松心会館 スピンポンピングを用いたp型Siへの室温スピン注入とスピン輸送
久保和樹仕幸英治阪大)・安藤和也斎藤英治東北大)・新庄輝也白石誠司阪大MR2011-36
Siは結晶の反転対称性が良いことに起因してスピン軌道相互作用が小さく、半導体材料の中でもスピンコヒーレンスがよい。これま... [more] MR2011-36
pp.21-25
ED 2009-04-24
09:50
宮城 東北大学電気通信研究所 Si基板上への高移動度極薄チャネル層形成のためのグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術
半田浩之宮本 優齋藤英司吹留博一伊藤 隆東北大)・末光眞希東北大/JSTED2009-10
近年,産業への適応性から,SiCバルク基板の超高真空中アニールによるエピタキシャルグラフェンが大変注目を集めている.しか... [more] ED2009-10
pp.39-43
ED 2009-04-24
13:00
宮城 東北大学電気通信研究所 赤外干渉法によるSi基板上3C-SiC薄膜形成のリアルタイムモニタリング
齋藤英司末光眞希東北大ED2009-14
モノメチルシランを用いたSi基板上3C-SiC成長中に単色温度計の温度表示が振動する“温度振動”を観測した.この振動は薄... [more] ED2009-14
pp.59-61
SDM 2008-06-10
12:45
東京 東京大学(生産研 An棟) Si(110)面上熱酸化膜形成時におけるSiサブオキサイド時間発展のXPSリアルタイム測定
山本喜久富樫秀晃今野篤史松本光正加藤 篤齋藤英司末光眞希東北大)・寺岡有殿吉越章隆原子力機構SDM2008-53
Si(110)表面の熱酸化膜被覆過程およびその界面結合状態をリアルタイム放射光光電子分光により調べた.その結果,酸化開始... [more] SDM2008-53
pp.65-70
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