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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2011-10-21
10:15
青森 八戸ポータルミュージアム はっち n型半導体立方晶窒化ホウ素単結晶からの電界電子放出機構
山田貴壽長谷川雅考産総研)・Christoph E. NebelFIA)・工藤唯義増沢智昭岡野 健国際基督教大)・谷口 尚物質・材料研究機構ED2011-69
 [more] ED2011-69
pp.47-52
ED 2010-10-25
14:15
京都 宇治おうばくプラザ(京都大学) 負の電子親和力を有するn型半導体ダイヤモンドからの電界電子放出機構
山田貴壽長谷川雅考産総研)・ネーベル クリストフFIA)・工藤唯義山口尚登増澤智昭岡野 健国際基督教大ED2010-131
 [more] ED2010-131
pp.17-21
ED 2007-08-03
16:35
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 銀杏会館 高濃度リン添加ダイヤモンドからの電子放出の真空熱処理温度依存性
山田貴壽ソム クマラグルバランネーベル クリストフ鹿田真一産総研ED2007-142
高濃度リン添加ダイヤモンドを真空熱処理し,電界電子放出特性とX線光電子分光(XPS)法測定の結果の相関を調べた.比較表面... [more] ED2007-142
pp.33-36
ED 2006-08-03
14:50
大阪 大阪大学 コンベンションセンター ダイヤモンドからの電子放出
鹿田真一山田貴壽Christoph Nebel産総研
(111)n型ダイヤモンドの表面を処理して、水素終端、酸素終端、再構成表面(炭素終端)を作り、電子放出特性を調べた。その... [more] ED2006-122
pp.27-31
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