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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2012-06-21 15:05 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 極浅接合における異なる化学結合状態を持つ不純物の検出とその深さ方向プロファイル評価 ○筒井一生・金原 潤・宮田陽平（東工大）・野平博司（東京都市大）・泉 雄大・室 隆桂之・木下豊彦（高輝度光科学研究センター）・パールハット アヘメト・角嶋邦之・服部健雄・岩井 洋（東工大）  SDM2012-56 |
Si基板表面にBドープおよびAsドープにより形成された極浅接合中に存在する複数の化学結合状態を持つ不純物の深さ方向濃度プ... [more] | SDM2012-56 pp.69-74 |
| SDM | 2012-06-21 16:35 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案 ○田村雄太・吉原 亮・角嶋邦之・パールハット アヘメト・片岡好則・西山 彰・杉井信之・筒井一生・名取研二・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2012-59 |
本研究ではシリサイド形成時の界面制御方法としてNi/Si積層構造を提案する。Ni/Si積層構造によって形成した積層$Ni... [more] | SDM2012-59 pp.87-92 |
| SDM | 2011-07-04 09:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | 高温熱処理とMIPS構造によるLa-silicate/Si界面特性の改善と低EOTの実現 ○川那子高暢・角嶋邦之・Parhat Ahmet・筒井一生・西山 彰・杉井信之・名取研二・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2011-50 |
本論文では、低EOTと良好な界面特性の両立に向けた直接接合La-silicate/Si構造の界面制御について報告する。8... [more] | SDM2011-50 pp.1-5 |
| SDM | 2010-06-22 10:20 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | キャリア移動度評価によるシリコンナノワイヤトランジスタの電気特性解析 ○佐藤創志・角嶋邦之・パールハット アヘメト（東工大）・大毛利健治（早大）・名取研二・岩井 洋（東工大）・山田啓作（早大） SDM2010-35 |
高いON電流と低いOFF電流を併せ持つことによる低電源電圧・低消費電力デバイスとしてシリコンナノワイヤトランジスタ(Si... [more] | SDM2010-35 pp.11-16 |
| SDM | 2010-06-22 10:45 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | SiナノワイヤへのNiシリサイド形成と過剰な侵入とその抑制に関する検討 ○茂森直登・佐藤創志・角嶋邦之・パールハット アヘメト・筒井一生・西山 彰・杉井信之・名取研二・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2010-36 |
SiナノワイヤにおけるNiシリサイドはワイヤ形状や周囲の酸化膜の影響から、バルク基板との反応と異なった反応を示す。ワイヤ... [more] | SDM2010-36 pp.17-22 |
| SDM | 2010-06-22 13:45 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | EOT=0.5nmに向けた希土類MOSデバイスの高温短時間熱処理の検討 ○来山大祐・小柳友常・角嶋邦之・Parhat Ahmet・筒井一生・西山 彰・杉井信之・名取研二・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2010-41 |
EOT=0.5 nmを達成するにはSi基板との界面においてSiO<sub>2</sub>界面層が形成されないhigh-k... [more] | SDM2010-41 pp.43-48 |
| SDM | 2007-06-08 11:20 |
広島 | 広島大学（学士会館） | ラジカル窒化によるLa2O3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 ～ 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果 ～ ○佐藤創志・舘 喜一・宋 在烈・角嶋邦之・パールハット アヘメト・筒井一生・杉井信之・服部健雄・岩井 洋（東工大） SDM2007-44 |
窒素ラジカルの照射下においてEB蒸着によりLa2O3膜を堆積することにより、La2O3膜への窒素導入を行った。La2O3... [more] | SDM2007-44 pp.71-74 |
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