研究会 |
発表日時 |
開催地 |
タイトル・著者 |
抄録 |
資料番号 |
SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2023-08-02 13:15 |
北海道 |
北海道大学 情報教育館 3F (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
[招待講演]原子層堆積法によるInGaOチャネルとInSnO電極によるナノシート酸化物半導体トランジスタ ○小林正治・日掛凱斗・李 卓・ハオ ジュンシャン・パンディ チトラ・更屋拓哉・平本俊郎(東大)・高橋崇典・上沼睦典・浦岡行治(奈良先端大) SDM2023-45 ICD2023-24 |
半導体デバイスの大規模集積化においては,デバイスの二次元的な微細化に加えて三次元集積化によりデバイスの高密度化と高機能化... [more] |
SDM2023-45 ICD2023-24 pp.45-49 |
SDM |
2021-11-11 10:00 |
ONLINE |
オンライン開催 |
[招待講演]シリコンIGBTの新展開 ~ スケーリングIGBTと両面ゲートIGBT ~ ○平本俊郎・更屋拓哉(東大) SDM2021-53 |
パワーエレクトロニクス分野では,シリコンIGBT (insulated gate bipolar transistors... [more] |
SDM2021-53 pp.1-6 |
SDM |
2021-11-11 14:00 |
ONLINE |
オンライン開催 |
[招待講演]三次元積層構造に向けた強誘電体HfO2 FeFETの消去動作の効率化に関する研究 ○小林正治・Mo, Fei・Xiang, Jiawen・Mei, Xiaoran・沢辺慶起・更屋拓哉・平本俊郎(東大)・Su, Chun-Jung(TSRI)・Hu, Vita Pi-Ho(NTU) SDM2021-56 |
ビッグデータの利活用のためにはIoTエッジデバイスにおけるストレージメモリの大容量化が欠かせない.特に消費電力性能が重要... [more] |
SDM2021-56 pp.19-22 |
SDM |
2021-11-11 16:15 |
ONLINE |
オンライン開催 |
標準化された電荷密度対電圧特性に基づく新しいしきい値定義の提案 ○竹内 潔・水谷朋子・更屋拓哉・小林正治・平本俊郎(東大) SDM2021-58 |
基板でのフェルミレベルと真性レベルの差の2倍だけバンドが曲がった状態をMOSFETのしきい状態とするしきい値の定義方法が... [more] |
SDM2021-58 pp.29-32 |
SDM |
2020-11-20 11:30 |
ONLINE |
オンライン開催 |
[招待講演]Si IGBTの3次元デバイス・シミュレーション ~ 物理モデルの検討と実測結果との比較 ~ ○執行直之・渡辺正裕・角嶋邦之・星井拓也・古川和由(東工大)・中島 昭(産総研)・佐藤克己(三菱電機)・末代知子(東芝)・更屋拓哉・高倉俊彦・伊藤一夫・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔(東大)・若林 整・宗田伊里也(東工大)・西澤伸一(九大)・筒井一生(東工大)・平本俊郎(東大)・大橋弘通・岩井 洋(東工大) SDM2020-30 |
[more] |
SDM2020-30 pp.36-40 |
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2019-11-15 14:15 |
愛媛 |
愛媛県男女共同参画センター |
SOIウェハの直接接合を用いた3層構造リングオシレータとイメージセンサの試作 ○後藤正英(NHK)・本田悠葵(NHKエンジニアリングシステム)・渡部俊久・萩原 啓・難波正和・井口義則(NHK)・更屋拓哉・小林正治(東大)・日暮栄治(産総研)・年吉 洋・平本俊郎(東大) ICD2019-38 IE2019-44 |
超高精細と高フレームレートとを両立する次世代のイメージセンサを目指して,画素並列信号処理を行う3次元構造イメージセンサの... [more] |
ICD2019-38 IE2019-44 pp.45-49 |
SDM |
2019-11-07 11:00 |
東京 |
機械振興会館 |
[招待講演]強誘電体HfO2トンネル接合メモリのスケーラビリティに関する検討 ○小林正治・莫 非・多川友作・更屋拓哉・平本俊郎(東大) SDM2019-69 |
[more] |
SDM2019-69 pp.5-8 |
SDM |
2019-11-08 13:30 |
東京 |
機械振興会館 |
[招待講演]トレンチゲート型Si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション ○渡辺正裕・執行直之・星井拓也・古川和由・角嶋邦之(東工大)・佐藤克己(三菱電機)・末代知子(東芝デバイス&ストレージ)・更屋拓哉・高倉俊彦・伊藤一夫・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔(東大)・宗田伊里也・若林 整(東工大)・中島 昭(産総研)・西澤伸一(九大)・筒井一生(東工大)・平本俊郎(東大)・大橋弘通・岩井 洋(東工大) SDM2019-77 |
トレンチゲート型シリコンIGBT(insulated gate bipolar transistor)の3次元TCADシ... [more] |
SDM2019-77 pp.45-48 |
SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2019-08-08 10:00 |
北海道 |
北海道大学 情報科学院 3F A31 |
極値理論を利用した最大SRAMデータ保持電圧の統計解析 ○水谷朋子・竹内 潔・更屋拓哉・小林正治・平本俊郎(東大) SDM2019-41 ICD2019-6 |
最大SRAMデータ保持電圧 (DRV) の推定に極値理論を応用した.65nm技術で作製したバルク6T-SRAM デバイス... [more] |
SDM2019-41 ICD2019-6 pp.27-30 |
SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2019-08-08 10:25 |
北海道 |
北海道大学 情報科学院 3F A31 |
[依頼講演]5Vゲート駆動による3300VスケーリングIGBTのスイッチング動作 ○平本俊郎・更屋拓哉・伊藤一夫・高倉俊彦・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔(東大)・附田正則(北九州市環境エレクトロニクス研)・沼沢陽一郎(明大)・佐藤克己(三菱電機)・末代知子(東芝デバイス&ストレージ)・齋藤 渉(九大)・角嶋邦之・星井拓也・古川和由・渡辺正裕・執行直之・若林 整・筒井一生・岩井 洋(東工大)・小椋厚志(明大)・西澤伸一(九大)・大村一郎(九工大)・大橋弘通(東工大) SDM2019-42 ICD2019-7 |
[more] |
SDM2019-42 ICD2019-7 pp.31-34 |
SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2019-08-09 09:30 |
北海道 |
北海道大学 情報科学院 3F A31 |
[招待講演]極薄IGZOチャネルを有する強誘電体トランジスタメモリの検討 ○小林正治・莫 非・多川友作・金 成吉・安 珉柱・更屋拓哉・平本俊郎(東大) SDM2019-45 ICD2019-10 |
強誘電体HfO2の発見によりCMOSプロセスとの整合性の高さが注目され強誘電体メモリが低消費電力メモリとして再び注目を集... [more] |
SDM2019-45 ICD2019-10 pp.59-62 |
SDM |
2019-01-29 15:40 |
東京 |
機械振興会館 |
[招待講演]5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減 ○更屋拓哉・伊藤一夫・高倉俊彦・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔(東大)・附田正則(北九州市環境エレクトロニクス研)・沼沢陽一郎(明大)・佐藤克己(三菱電機)・末代知子・齋藤 渉(東芝)・角嶋邦之・星井拓也・古川和由・渡辺正裕・執行直之・筒井一生・岩井 洋(東工大)・小椋厚志(明大)・西澤伸一(九大)・大村一郎(九工大)・大橋弘通(東工大)・平本俊郎(東大) SDM2018-90 |
スケーリング原理に基づく5Vゲート駆動1200V耐圧を有するSi-IGBT (Insulated Gate Bipola... [more] |
SDM2018-90 pp.39-44 |
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB (連催) CPSY, IPSJ-ARC (連催) CPM, ICD, IE (共催) RECONF (併催) [詳細] |
2018-12-07 15:15 |
広島 |
サテライトキャンパスひろしま |
画素単位の3次元集積化技術を用いたリニア広ダイナミックレンジ出力QVGAイメージセンサ ○後藤正英・本田悠葵・渡部俊久・萩原 啓・難波正和・井口義則(NHK)・更屋拓哉・小林正治・日暮栄治・年吉 洋・平本俊郎(東大) CPM2018-97 ICD2018-58 IE2018-76 |
超高精細と高フレームレートとを両立する次世代のイメージセンサを目指して,画素並列信号処理を行う3次元構造CMOSイメージ... [more] |
CPM2018-97 ICD2018-58 IE2018-76 pp.43-48 |
QIT (第二種研究会) |
2018-11-26 13:30 |
東京 |
東京大学 |
[ポスター講演]多量子ビット化実現に向けたスケーラブルな積層構造型シリコン量子ビットの提案 ○伊藤優希・小林正治・平本俊郎(東大) |
シリコン量子ビットの多量子ビット化に向けて積層構造型シリコン量子ビットを提案する。提案するシリコン量子ビットは量子ビット... [more] |
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SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2018-08-09 13:45 |
北海道 |
北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 |
SRAMの安定性自己修復手法における複数回ストレス印加の効果 ○水谷朋子・竹内 潔・更屋拓哉・小林正治・平本俊郎(東大) SDM2018-49 ICD2018-36 |
ランダムしきい値電圧 (VTH) ばらつきにより劣化したSRAMセルの安定性を向上させる「安定性自己修復技術」において,... [more] |
SDM2018-49 ICD2018-36 pp.121-126 |
SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2018-08-09 14:10 |
北海道 |
北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 |
強誘電体HfO2 FTJの高TER化と多値化のためのデバイスおよびプロセス設計 ○小林正治・多川友作・バク ヒ・平本俊郎(東大) SDM2018-50 ICD2018-37 |
[more] |
SDM2018-50 ICD2018-37 pp.127-130 |
SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2017-08-01 09:00 |
北海道 |
北海道大学情報教育館 |
[招待講演]ノーマリーオフ動作のための強誘電体HfO2を集積した不揮発性SRAM ○小林正治・上山 望・平本俊郎(東大) SDM2017-37 ICD2017-25 |
[more] |
SDM2017-37 ICD2017-25 pp.45-48 |
SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2017-08-01 09:45 |
北海道 |
北海道大学情報教育館 |
不揮発情報一括書き込み・読み出し可能な初期値確定SRAM ○水谷朋子・竹内 潔・更屋拓哉(東大)・篠原尋史(早大)・小林正治・平本俊郎(東大) SDM2017-38 ICD2017-26 |
通常のSRAMアレイを利用した一括書き込み・読み出し可能な不揮発性メモリを提案する.記憶させたい情報を反転してからセルに... [more] |
SDM2017-38 ICD2017-26 pp.49-54 |
ICD, CPM, ED, EID, EMD, MRIS, OME, SCE, SDM (共催) QIT (併催) [詳細] |
2017-01-31 10:55 |
広島 |
みやじま杜の宿(広島) |
[招待講演]強誘電性HfO2を用いた負性容量トランジスタの動作速度に関する実験検討 ○小林正治・上山 望・蒋 京珉・平本俊郎(東大) EMD2016-79 MR2016-51 SCE2016-57 EID2016-58 ED2016-122 CPM2016-123 SDM2016-122 ICD2016-110 OME2016-91 |
[more] |
EMD2016-79 MR2016-51 SCE2016-57 EID2016-58 ED2016-122 CPM2016-123 SDM2016-122 ICD2016-110 OME2016-91 pp.51-54 |
VLD, DC (共催) CPM, ICD, IE (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2016-11-29 10:30 |
大阪 |
立命館大学大阪いばらきキャンパス |
[招待講演]SOI基板の直接接合を用いた画素並列信号処理3次元構造CMOSイメージセンサの開発 ○後藤正英・本田悠葵・渡部俊久・萩原 啓・難波正和・井口義則(NHK)・更屋拓哉・小林正治・日暮栄治・年吉 洋・平本俊郎(東大) CPM2016-79 ICD2016-40 IE2016-74 |
[more] |
CPM2016-79 ICD2016-40 IE2016-74 pp.17-21 |