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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
PRMU, IBISML
(共催)
IPSJ-CVIM
(連催) [詳細]
2023-03-02
10:35
北海道 はこだて未来大学
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
カーボンナノチューブ画像の再学習による超解像度化
各務嘉記丸山隆浩堀田一弘名城大PRMU2022-68 IBISML2022-75
本論文ではカーボンナノチューブ画像の超解像を行う.従来のSwinIRよりも高精度な超解像度化を実現するために,より大きな... [more] PRMU2022-68 IBISML2022-75
pp.54-58
SANE 2022-08-19
09:30
北海道 室蘭市生涯学習センター きらん
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
レーダ間干渉抑圧を用いたチャープシーケンスレーダにおけるハードウェア不完全性の影響
丸山貴大茨城大)・梅比良正弘南山大)・王 瀟岩武田茂樹茨城大SANE2022-45
 [more] SANE2022-45
pp.68-73
SAT, SANE
(併催)
2022-02-25
15:35
ONLINE オンライン開催 スペクトル利用効率改善のためのレーダ間干渉抑圧を用いたチャープシーケンスレーダの検討
丸山貴大梅比良正弘渡辺 祐王 瀟岩武田茂樹茨城大SANE2021-103
 [more] SANE2021-103
pp.31-36
SANE 2021-12-16
15:25
千葉 千葉大学
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
狭帯域干渉キャンセラを用いたCSレーダにおける補間を用いた速度測定特性改善法
丸山貴大茨城大)・梅比良正弘南山大)・渡邊 祐武田茂樹王 瀟岩茨城大SANE2021-77
 [more] SANE2021-77
pp.79-84
SDM 2018-10-17
14:00
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F [招待講演]次世代車載マイコン対応Fin-FET MONOS
津田是文斉藤朋也長瀬寛和川嶋祥之吉冨敦司岡西 忍林 倫弘丸山卓也井上真雄村中誠志加藤茂樹萩原琢也齊藤博和山口 直門島 勝丸山隆弘三原竜善柳田博史園田賢一郎山口泰男山下朋弘ルネサス エレクトロニクスSDM2018-52
 [more] SDM2018-52
pp.1-5
SDM 2018-01-30
14:00
東京 機械振興会館 [招待講演]16/14nmノード混載フラッシュメモリに向けた狭いVth分布を持つFinFET Split-Gate MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティ
津田是文斉藤朋也長瀬寛和川嶋祥之吉冨敦司岡西 忍林 倫弘丸山卓也井上真雄村中誠志加藤茂樹萩原琢也齊藤博和山口 直門島 勝丸山隆弘三原竜善柳田博史園田賢一郎山下朋弘山口泰男ルネサス エレクトロニクスSDM2017-94
本論文ではFinFET構造を持つSG-MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティについて述べる.FinFET SG-M... [more] SDM2017-94
pp.13-16
ICD 2017-04-20
14:55
東京 機械振興会館 [依頼講演]16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS
津田是文川嶋祥之園田賢一郎吉冨敦司三原竜善鳴海俊一井上真雄村中誠志丸山隆弘山下朋弘山口泰男ルネサス エレクトロニクス)・久本 大日立ICD2017-7
世界初のFinFET構造を有するスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリの作製,動作について報告する.FinFET構... [more] ICD2017-7
pp.35-38
SDM 2017-01-30
13:30
東京 機械振興会館 [招待講演]16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS
津田是文川嶋祥之園田賢一郎吉冨敦司三原竜善鳴海俊一井上真雄村中誠志丸山隆弘山下朋弘山口泰男ルネサス エレクトロニクス)・久本 大日立SDM2016-134
世界初のFinFET構造を有するスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリの作製,動作について報告する.FinFET構... [more] SDM2016-134
pp.17-20
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-19
13:00
愛知 名古屋大学 VBL アンモニアベース有機金属分子線エピタキシーによるGaNの横方向成長
内山翔太林 家弘阿部亮太丸山隆浩成塚重弥名城大ED2011-8 CPM2011-15 SDM2011-21
アンモニアベース有機金属分子線エピタキシー(MOMBE)を用いGaNの選択成長をおこなった。成長温度は860℃と一定に保... [more] ED2011-8 CPM2011-15 SDM2011-21
pp.39-43
CPM, ED, SDM
(共催)
2008-05-16
12:50
愛知 名古屋工業大学 温度差法を用いたGaAs(001)マイクロチャンネルエピタキシーによる横方向成長
手嶋康将鈴木堅志郎成塚重弥丸山隆浩名城大ED2008-15 CPM2008-23 SDM2008-35
 [more] ED2008-15 CPM2008-23 SDM2008-35
pp.71-74
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