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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ED
(共催)
2015-02-05
17:00
北海道 北海道大学(百年記念会館) Low pull-in voltage graphene nanoelectromechanical switch
Jian SunNozomu KanetakeTakuo ChikubaManoharan MuruganathanHiroshi MizutaJAISTED2014-145 SDM2014-154
 [more] ED2014-145 SDM2014-154
pp.39-43
SDM, ED
(共催)
2015-02-06
11:05
北海道 北海道大学(百年記念会館) グラフェン単キャリアトランジスタの作製と特性評価
岩崎拓哉ムルガナタン マノハラン水田 博北陸先端大ED2014-150 SDM2014-159
単一量子ドット(QD)を持つグラフェン単キャリアトランジスタ(SCT)を作製し, 単キャリア輸送特性の評価・解析を行った... [more] ED2014-150 SDM2014-159
pp.69-73
SDM, ED, CPM
(共催)
2013-05-17
11:45
静岡 静大(浜松)創造科学技術大学院 Electron-tunneling operation of single-dopant-atom transistors at elevated temperature -- Toward room temperature operation --
Daniel MoraruEarfan HamidArup SamantaShizuoka Univ.)・Le The AnhJAIST)・Takeshi MizunoShizuoka Univ.)・Hiroshi MizutaJAIST/Southampton Univ.)・Michiharu TabeShizuoka Univ.ED2013-28 CPM2013-13 SDM2013-35
 [more] ED2013-28 CPM2013-13 SDM2013-35
pp.65-70
ED, SDM
(共催)
2012-02-07
14:10
北海道 北海道大学 百年記念会館 第一原理計算によるシリコンナノトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析
葛屋陽平モラル ダニエル水野武志田部道晴静岡大)・水田 博北陸先端大/サザンプトン大ED2011-143 SDM2011-160
MOSFETの微細化に伴い、ランダムドーパントによる特性の揺らぎが大きな問題となってきている。これは、ナノメータ領域のチ... [more] ED2011-143 SDM2011-160
pp.7-11
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